盡管 JEDEC 尚未完成 DDR5 最終標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā)，但芯片大廠之間早就開始了暗自較勁。在舊金山舉辦的國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上，SK Hynix 首次詳細介紹了自家基于 DDR5 規(guī)范的同步 DRAM 芯片。作為同樣來自韓國的競爭對手，三星在同一會議上描述了基于低功耗 LPDDR5 規(guī)范的 DSRAM 作為反擊。

與當(dāng)前已面世的 DDR4 標(biāo)準(zhǔn)對比，DDR5 能夠提供雙倍的帶寬密度，以及更高的通道效率。原定于去年完成的 DDR5 標(biāo)準(zhǔn)，現(xiàn)仍在持續(xù)中，預(yù)計相關(guān)產(chǎn)品會在今年年底開始出現(xiàn)。

在周三的國際固態(tài)電路會議上，海力士芯片設(shè)計師 Dongkyun Kim 發(fā)表了自家首款 DDR5 芯片的報告。

“這是一款 16Gb @ 每引腳 6.4Gbps 的 SDRAM，工作電壓 1.1V 。制造節(jié)點為 1y 納米，基于四金屬 DRAM 工藝，封裝面積 76.22 平方毫米?！?/p>

Kim 對延遲鎖定回路的部分改動進行了深入講解，表示 Hynix 借助了相位旋轉(zhuǎn)器和注入鎖定振蕩器，實現(xiàn)了對延遲鎖定環(huán)（DLL）的修改。以減少在較高時鐘速度下，操作相關(guān)的時鐘抖動和占空比失真。

“他還描述了海力士設(shè)計團隊使用的其它技術(shù)，包括用于抵消與更高速度相關(guān)的時鐘域問題的寫入等級訓(xùn)練方法，以及改進的前向反饋均衡（FFE）電路。”

與此同時，三星公司描述了一款 10nm 級別的 LPDDR5 SDRAM 。在低至 1.05V 的電壓下，它可以達到 7.5 Gb/s 的速率。

“JEDEC 在本周早些時候發(fā)布了 LPDDR5 標(biāo)準(zhǔn)，最終定下的標(biāo)準(zhǔn) I/O 運行速率為 6400 MT/s，較 LPDDR4時代提升了 50% ?！?/p>

如此一來，業(yè)界有望大幅提升智能手機、平板電腦、以及超極本等應(yīng)用場景下的內(nèi)存速度和效率。此外，Objective Analysis 首席分析師 Jim Handy 披露了三星 LPDDR5 新品的更多技術(shù)細節(jié)。