市調機構 TrendForce 最新調查顯示，DRAM 產業(yè)供過于求加劇下，大部分交易已改為月結價 (Monthly Deals)，進入 2 月后，合約價更罕見出現(xiàn)崩潰式下跌，季跌幅從原先預估的 25 % 擴大至逼近30%，是繼 2011 年以來單季最大跌幅，也創(chuàng)下近9 年來最深跌幅。

DRAM 合約價跌幅加深有兩個原因，一是自 2018 年第四季開始進入修正期后，庫存水位仍是持續(xù)累積，近期 DRAM 原廠庫存（含 wafer bank）來到至少一個半月的高水位，大幅高于正常庫存水位。

第二個原因是終端需求的疲弱不振，DRAM 市場進入最可怕的“無量下跌”期，英特爾（Intel）低階 CPU 缺貨情況預期延續(xù)至 2019 年第三季末，也是導致需求低迷的原因之一，目前市況是，即使原廠愿意大幅降價求售，也無法有效刺激銷量。

要解決當前的“死局”，唯“需求”是問。沒有需求大舉回籠做后盾，高庫存水位持續(xù)累積的問題只會一直循環(huán)下去，導致今年 DRAM 價格持續(xù)下修。

全球 DRAM 產業(yè)局勢已是三星電子（Samsung Electronics）、SK 海力士（SK Hynix）、美光（Micron）三分天下，相較過去全球 5~6 家 DRAM 廠，為了競爭不時發(fā)動價格、不理性擴產，常導致產業(yè)陷入負循緩，現(xiàn)在三大供應商都維持一種讓產業(yè)些許供不應求、不亂殺價破壞市場行情的好默契，在封閉市場享受一定利潤。

不過，過去一年 DRAM 廠也面臨不少質疑聲浪。2017 年國內多家手機廠商聯(lián)合投訴三大存儲大廠操縱 DRAM 價格，國內的反壟斷機構因此約談三星等存儲大廠，啟動反壟斷調查。

雖然該反壟斷調查沒有具體結果，究竟是市場正常運作？或是聯(lián)合哄抬報價？不同立場都有各自說法。

另有一個說法是，存儲大廠要求客戶采購 DRAM 芯片的附帶條件，是必須順帶采購價格已先一步走弱的 NAND Flash 芯片，形成一種搭售（bundle）策略，這樣的手法在存儲業(yè)界已經是行之有年，但在此關鍵時刻下，也再度被提上臺面檢視是否有灰色地帶。

此外，2018 年初美國律師事務所也代表美國蘋果（Apple）產品消費者控告三家 DRAM 供應商聯(lián)合操縱 DRAM 價格，認為三家大廠掌握多數(shù)的市占率，為了賺取龐大利益而罔顧消費者的利益。

終端廠商和消費者不斷抗議，加上全球經濟局勢影響，導致需求轉弱、英特爾 CPU 缺貨等問題，最后都使得 DRAM 價格開始回檔，進入 2018 年第三季后，各類型 DRAM 產品的價格逐一由升轉跌的趨勢，宣告為漲勢多年的 DRAM 價格正式畫下休止符。

然而，DRAM 芯片已被全球各國視為戰(zhàn)略物資，面對眼前一時的價格修正回檔，短期擴產或有縮手，但中長期保衛(wèi)市占率的策略不會改變，因此，三大供應商在市占率上的競爭不會停歇。

SK 海力士日前宣布將斥資 120 兆韓元（約 1,070 億美元）興建 4 座晶圓廠，針對既有的 DRAM 廠，未來十年也計畫持續(xù)投入 55 兆韓元（約 490 億美元）升級發(fā)展，這番震撼業(yè)界的大手筆舉措，就是為了維持在 DRAM 產業(yè)的競爭優(yōu)勢持續(xù)，以及確保未來 5G 世代來臨后，對于存儲的需求會更為迫切熱絡。

圖 | SK海力士（來源：東方IC）

此外，美光也正考慮新建全新的 12 吋 DRAM 廠，預計量產時間約 2021 年，三星目前也正在興建平澤二廠?？梢灶A見，大者恒大已是 DRAM 產業(yè)的不變趨勢，剩下的三大廠沒有一家是無名之輩，產業(yè)競爭不進則退，未來的每一步都是生死之戰(zhàn)。

反觀國內的 DRAM 產業(yè)發(fā)展卻進入一個僵局階段，如果沒有美國禁運事件的沖擊，此時的福建晉華、合肥長鑫或許已進入第一顆國產 DRAM 芯片小量生產的階段，產業(yè)的氣氛將是截然不同。

全球 DRAM 產業(yè)的競爭進入另一番新局，三星、SK 海力士、美光三大廠結束賺取超額利潤的甜蜜期，開始進入養(yǎng)精蓄銳階段，為下一個 3~5 年做生死交關的長遠規(guī)劃。

于此同時，國內 DRAM 技術的自主開發(fā)看似進入僵局，但總有新局在臺面下醞釀著，DRAM 產業(yè)永遠都有新故事、新局勢，再等一等，下一章新扉頁即將展開。