2018年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額6531.4億元

據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)，2018年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額6531.4億元，同比增長20.69%。

設(shè)計業(yè)銷售額為2519.3億元，同比增長21.49%；制造業(yè)銷售額為1818.2億元，繼續(xù)保持快速增長，同比增長25.56%；封裝測試業(yè)銷售額2193.9億元，同比增長16.09%。

2018年我國半導(dǎo)體材料市場規(guī)模85億美元，部分領(lǐng)域成績可喜

據(jù)中國電子材料行業(yè)協(xié)會信息部副主任劉偉鑫的報道;2018年國內(nèi)封裝材料市場規(guī)模約為56.8億美元。2018年，晶圓制造材料與封裝測試材料總計市場規(guī)模約為85億美元,其中晶園制造材料的消耗28.2億美元。

大陸IC晶圓廠總裝機(jī)容量份額全球排名第五

IC Insights發(fā)表半導(dǎo)體研究報告指出，全球每月安裝的數(shù)據(jù)截至2018年12月，按地理區(qū)域(或國家/地區(qū))劃分的晶圓生產(chǎn)能力。 每個數(shù)字代表位于該地區(qū)的晶圓廠每月的總裝機(jī)容量，無論擁有晶圓廠的公司的總部位置如何。 例如，韓國三星在美國安裝的晶圓產(chǎn)能計入北美產(chǎn)能總量，而不是韓國產(chǎn)能總量。 ROW地區(qū)主要由新加坡、以色列和馬來西亞組成，但也包括俄羅斯、白俄羅斯和澳大利亞等國家/地區(qū)。

對話張汝京暢談芯恩項目進(jìn)展和CIDM 2.0

芯恩成立于2018年一季度，獲得了青島市規(guī)劃的一片40萬平米的土地，其中，25萬平米用于8英寸晶圓廠（Fab1，最大月產(chǎn)能8萬片，0.35μm~0.11μm制程）和12英寸晶圓廠（Fab2，最大月產(chǎn)能4萬片，90nm~28nm制程），這是一期工程，目前正在建設(shè)當(dāng)中。

按照該公司的規(guī)劃，今年的第3季度開始試生產(chǎn)，第4季度開始量產(chǎn)。而且，除Fab外，還有總部大樓、研發(fā)大樓、Mask Shop、設(shè)計大樓等。具有特色的是，該公司會自己研發(fā)并生產(chǎn)掩模片所需的部分襯底片（Mask Blank），目前有一個研發(fā)小組正在緊鑼密鼓地進(jìn)行著這方面的工作，為將來的量產(chǎn)做準(zhǔn)備。

合作方面，張汝京表示，目前，芯恩已與一家歐洲IDM大廠簽訂技術(shù)轉(zhuǎn)移協(xié)議，并會合作開發(fā)新產(chǎn)品制程及工藝優(yōu)化，另外，該公司已經(jīng)與30多家IC設(shè)計企業(yè)進(jìn)行過合作洽談，其中已與21家簽約成為合作伙伴。

2019年中國功率半導(dǎo)體市場觀察

全球市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢指出，受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價，帶動了2018年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2591億元人民幣。其中功率分立器件市場規(guī)模為1874億元人民幣，同比增長14.7%；電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣，同比增長8%。

中科院微電子所副所長周玉梅：設(shè)立集成電路一級學(xué)科勢在必行

全國政協(xié)委員、中科院微電子所副所長周玉梅在接受《中國電子報》采訪時表示，她建議設(shè)立集成電路一級學(xué)科，更好地配置教育資源，使集成電路人才培養(yǎng)與國家戰(zhàn)略需求和產(chǎn)業(yè)發(fā)展相匹配。

例如2017年我國高校集成電路專業(yè)領(lǐng)域高校畢業(yè)生人數(shù)在20萬人左右，但最終僅有12%左右的畢業(yè)生進(jìn)入集成電路行業(yè)。

投資逾80億元半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園落戶，新加坡拓譜電子助力四川綿陽8英寸晶圓制造

據(jù)四川新聞網(wǎng)報道，西部半導(dǎo)體集成電路高科技產(chǎn)業(yè)園項目共分兩期建設(shè)，首期投資80.26億元人民幣，項目總建筑面積40萬平方米，其中主體生產(chǎn)線面積24萬平方米，配套設(shè)施面積16萬平方米（包括原材料倉庫、中央動力廠房、研發(fā)及辦公樓、凈水廠、污水處理站等），將形成8英寸晶圓產(chǎn)品生產(chǎn)能力。項目建成達(dá)產(chǎn)后，將實現(xiàn)年銷售收入41億元。

新加坡拓譜電子公司于2013年在新加坡成立，是一家專業(yè)從事半導(dǎo)體微機(jī)電系統(tǒng)及其產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計和應(yīng)用的技術(shù)服務(wù)企業(yè)。公司產(chǎn)品主要銷往日本，韓國及澳大利亞等。

耐威科技北京8英寸MEMS產(chǎn)線將于今年Q3實現(xiàn)試產(chǎn)

3月7日，耐威科技在互動平臺表示，公司目前預(yù)計北京8英寸MEMS產(chǎn)線將在今年三季度實現(xiàn)試生產(chǎn)，2020年正式分步投產(chǎn)。根據(jù)前期測算，項目3萬片月產(chǎn)能若完全達(dá)產(chǎn)，預(yù)計可新增年平均銷售收入約20億元，新增年平均凈利潤約3億元。

回顧耐威科技發(fā)布2018 年年度業(yè)績快報，該公司實現(xiàn)營業(yè)收入 71,384.10 萬元，較上年同期增長 18.87%；實現(xiàn)營業(yè)利潤13,305.71萬元，較上年同期增長90.05%；實現(xiàn)利潤總額13,278.58 萬元，較上年同期增長 89.85%；實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤 9,887.81 萬元，較上年同期增長 104.15%。

常州再添8to12英寸集成電路級硅片項目，首期實現(xiàn)月產(chǎn)能10萬片

3月1日，常州武進(jìn)國家高新區(qū)進(jìn)行了10個重點(diǎn)項目集中簽約，涉及高端裝備、智電汽車、電子信息等領(lǐng)域，累計總投資118億元；其中外資項目7個，內(nèi)資項目3個。

此次簽約項目包括8-12英寸集成電路級硅片項目，該項目由江蘇睿芯晶半導(dǎo)體科技有限公司投資，項目首期總投資約3億美金，建設(shè)300毫米半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能10萬片/月，項目達(dá)產(chǎn)后，年可實現(xiàn)營業(yè)收入11.4億元。

研發(fā)投入不及高通零頭，中國芯長路漫漫

大連理工大學(xué)管理與經(jīng)濟(jì)學(xué)部發(fā)表了《中國科研經(jīng)費(fèi)報告（2018）》。據(jù)報告披露，在2017年，中國全社會研發(fā)經(jīng)費(fèi)達(dá)到了1.7萬億元，自2012年超越日本業(yè)成為全球第二研發(fā)大國之后，中國繼續(xù)拉大與第三名的差距。

有媒體在2018年的報道，華為在最近十年，華為投入了4000億進(jìn)入研發(fā)，其中芯片研發(fā)的投入可能達(dá)到1600億。

SMIC的研發(fā)投入;2017/4.7億美元及2018/5.3億美元.

多家fabless的研發(fā)投入;

北方華創(chuàng)已經(jīng)具備 8 英寸半導(dǎo)體設(shè)備系列產(chǎn)品的市場供應(yīng)能力，產(chǎn)品包括多晶硅刻蝕機(jī)、高深寬比硅刻蝕機(jī)、氧化硅刻蝕機(jī)、金屬刻蝕機(jī)、PECVD、LPCVD、立式氧化爐、臥式擴(kuò)散爐、單片清洗機(jī)及全自動槽式清洗機(jī)等工藝設(shè)備；2017 年，北方華創(chuàng)自主研發(fā)的 12 英寸立式氧化爐也已經(jīng)投入產(chǎn)線；在刻蝕機(jī)領(lǐng)域，硅刻蝕機(jī)研發(fā)已經(jīng)步入 7nm 制點(diǎn)，14nm 的設(shè)備已進(jìn)入中芯國際的產(chǎn)線驗證；金屬刻蝕機(jī)方面已研發(fā)出國內(nèi)首臺適用于 8 英寸晶圓的設(shè)備，并也進(jìn)入中芯國際產(chǎn)線。

下圖為北方華創(chuàng);

國內(nèi)射頻產(chǎn)業(yè)的真實現(xiàn)狀

射頻器件包括射頻開關(guān)和LNA，射頻PA，濾波器，天線Tuner和毫米波FEM等，其中濾波器占了射頻器件營業(yè)額的約50%，射頻PA占約30%，射頻開關(guān)和LNA占約10%，其他占約10%。上述數(shù)據(jù)表明，濾波器和PA是射頻器件的重頭戲，其中PA負(fù)責(zé)發(fā)射通道的信號放大，濾波器負(fù)責(zé)發(fā)射機(jī)接收信號的濾波。

尤其是工藝方面，更是很多PA廠商，甚至是射頻廠商難以逾越的門檻。我們縱觀上面的射頻器件供應(yīng)商，幾乎所有都是IDM廠商。擁有自己的晶圓廠是他們能夠領(lǐng)先市場的關(guān)鍵。目前，射頻器件（不含濾波器）涉及的主要工藝：GaAs, SOI, CMOS, SiGe。其中，GaAs的電子遷移速率比Si高5.7倍，非常適合用于長距離、長通信時間的高頻電路；SOI工藝的優(yōu)勢在于可集成邏輯與控制功能，不需要額外的控制芯片；CMOS的優(yōu)勢在于可以將射頻、基頻與存儲器等組件合而為一的高整合度，并同時降低組件成本；SiGe工藝幾乎能夠與硅半導(dǎo)體超大規(guī)模集成電路(VLSI)行業(yè)中的所有新工藝技術(shù)兼容，是未來的趨勢。

2018全球太陽能電池前十

2023年2點(diǎn)5D及3D封裝產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)57點(diǎn)49億美元

根據(jù)產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)Yole Développement(Yole)的研究指出，像HBM和CIS這樣的硬件創(chuàng)造了TSV的大部分收入。2023年整體堆疊技術(shù)市場將超過57億美元，年復(fù)合成長率(CAGR)為27%，2.5D/3D TSV和晶圓級封裝技術(shù)中，消費(fèi)市場是最大的貢獻(xiàn)者，市場比重超過65%。高效能運(yùn)算(HPC)是立體構(gòu)裝技術(shù)的真正驅(qū)動力，并且將呈現(xiàn)高度成長到2023年，市場占有率從2018年的20%增加到2023年的40%。汽車、醫(yī)療和工業(yè)等領(lǐng)域的應(yīng)用將是主力。

三星宣布28nm嵌入式MRAM量產(chǎn)

三星計劃今年下半年試產(chǎn)1Gb eMRAM測試芯片

三星（首爾）沒有指定該產(chǎn)品的代工客戶。該公司表示，它的eMRAM模塊可以很容易地插入28FDS工藝的后端，對工藝前端的依賴性較小，以便與現(xiàn)有的邏輯技術(shù)（包括體硅、finfet和fd-soi晶體管）容易集成。

三星宣布，基于其28納米FD-SOI工藝，其首款嵌入式MRAM（EMRAM）產(chǎn)品將投入商業(yè)生產(chǎn)。

東芝已開發(fā)出128層3D TLC

據(jù)外媒報道，東芝已開發(fā)出128層512Gb 3D TLC NAND裸片，正是東芝下一代3D NAND技術(shù)，被命名為BiCS5，目前的最新技術(shù)是BiCS4，是96層3D TLC。Wells Fargo高級分析師Aaron Rakers認(rèn)為東芝和西部數(shù)據(jù)即將具有業(yè)界最高的NAND Flash密度。

Intel有希望重奪2019全球第一芯片供應(yīng)商

由于存儲器價格下降三星今年的銷售額可能同比下降20%

由于2019年全球存儲器市場可能下降24%,而三星的82%銷售額來自它的存儲器.所以IC Insight預(yù)計2019年三星的銷售額為631億美元,相比2018年的785億美元.而intel于2019年銷售額為706億美元,相比2018年的699億美元,稍有上升.

SEMI2022年前8英寸晶圓廠望增加70萬片產(chǎn)量

SEMI（國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會）所公布全球8英寸晶圓廠展望報告（Global200mmFabOutlook）指出，由于移動通訊、物聯(lián)網(wǎng)、車用和工業(yè)應(yīng)用的強(qiáng)勁需求，2019到2022年8英寸晶圓廠產(chǎn)量預(yù)計將增加70萬片，增幅為14%。有鑒于上述的眾多應(yīng)用都在8英寸找到適合的生產(chǎn)甜蜜點(diǎn)，未來幾年將提高全球8英寸晶圓廠產(chǎn)能至每月接近650萬片。

鈺創(chuàng)董事長盧超群：異質(zhì)整合世代，共同攜手大膽創(chuàng)新

隨著人工智能(AI)世代藍(lán)圖逐漸清晰，舉凡各類大數(shù)據(jù)(big data)、云端、數(shù)據(jù)中心、邊緣運(yùn)算(edge computing)、機(jī)器學(xué)習(xí)(machine learning)、次世代車、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用將百花齊放，5G通訊世代則預(yù)計2020年正式商轉(zhuǎn)，對于經(jīng)過60年歷練的***半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來說，可說是無限寬廣的商機(jī)。

隨著半導(dǎo)體先進(jìn)制程微縮逐漸逼近物理極限，亦即摩爾定律趨緩，您認(rèn)為半導(dǎo)體下世代最重要的觀念與演變?yōu)楹危?/p>

所謂的「異質(zhì)整合」(heterogeneous integration)，我在約2004年率先提出，這也算是***以及我本人在世界舞臺的開創(chuàng)。到了2018年，異質(zhì)整合概念成為IEEE最大的活動，更提出異質(zhì)整合藍(lán)圖。而異質(zhì)整合到底要整合什么，這不僅只是半導(dǎo)體層面，同時包括了應(yīng)用層面。

從半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)展來看，很多應(yīng)用產(chǎn)品已經(jīng)持續(xù)被推動，異質(zhì)整合則會帶領(lǐng)我們晶圓制造先進(jìn)制程從5奈米一直更推往到1奈米，當(dāng)然，或許大部分人不相信會到1奈米制程。

盡管如此，未來透過異質(zhì)整合，可以把半導(dǎo)體整合在小小的空間，用最有效的功率跟指令周期表現(xiàn)出來，更具有經(jīng)濟(jì)商機(jī)。這是除了摩爾定律的爆發(fā)力以外，異質(zhì)整合帶來的爆發(fā)將更為明確。

異質(zhì)整合概念，現(xiàn)在也得到市場認(rèn)同，持續(xù)把「硅」當(dāng)作中心，繼續(xù)用臺積電、設(shè)計公司的本領(lǐng)去發(fā)展。應(yīng)用層面已經(jīng)到了奈米級系統(tǒng)，舉凡鏡頭、鏡頭、傳感器、MEMS組件、RF組件等等，以前都在板子上制作，以后會一同整合到奈米級封裝里頭。

集邦咨詢：第一季DRAM合約價大幅下修，創(chuàng)8年以來最大跌幅

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，由于供過于求的市況，DRAM產(chǎn)業(yè)大部分交易已經(jīng)改為月結(jié)價(Monthly Deals)，2月份更罕見出現(xiàn)價格大幅下修。目前季跌幅從原先預(yù)估的25%調(diào)整至逼近30%，是繼2011年以來單季最大跌幅。

DRAMeXchange指出，從市場面來觀察，整體合約價自去年第四季開始下跌，隨后庫存水位持續(xù)攀升。近期DRAM原廠庫存（含wafer bank）普遍來到至少一個半月的高水位。同時，Intel低端CPU缺貨情況預(yù)期將延續(xù)至今年第三季末。