3月38日，華虹半導(dǎo)體發(fā)布2018年度業(yè)績報告。在被業(yè)界認為市場不太景氣的“艱難”一年里，華虹半導(dǎo)體卻交出了一份不錯的成績單。展望2019年，華虹半導(dǎo)體將迎來無錫工廠的量產(chǎn)，進入新的發(fā)展階段。

回顧2018年：需求旺盛，業(yè)績創(chuàng)新高

數(shù)據(jù)顯示，2018年華虹半導(dǎo)體銷售收入、毛利率、年內(nèi)溢利和凈資產(chǎn)收益率均再創(chuàng)歷史新高。其中，銷售收入9.3億美元，同比增長15.1%；年內(nèi)溢利創(chuàng)1.86億美元，占銷售收入的20%，同比增長27.8%；毛利率33.4%，同比增長0.3%。

華虹半導(dǎo)體表示，2018年度的優(yōu)秀業(yè)績來源于全球消費電子、工業(yè)電子和汽車電子等半導(dǎo)體市場對本公司差異化技術(shù)需求的持續(xù)增長、技術(shù)的創(chuàng)新、技術(shù)組合的持續(xù)優(yōu)化以及公司產(chǎn)能的擴充。

從技術(shù)類型看，2018年嵌入式非易失性存儲器技術(shù)是華虹半導(dǎo)體的第一大營收來源，營收占比38.7%，營收同比增長15.8%，主要來自智能卡芯片和MCU兩大類。智能卡芯片方面，90納米嵌入式非易失性存儲器技術(shù)是國內(nèi)新一代銀行IC卡技術(shù)，其2018年度銀行卡芯片出貨量同比增長超100%，創(chuàng)歷史新高，是該技術(shù)平臺營收的主要增長點，也是未來幾年營收的主力點，MCU方面則利潤豐厚。

分立器件是華虹半導(dǎo)體技術(shù)平臺的第二大營收來源，營收占比33.4%，營收同比增長40.5%，出貨量同比增長16%，其中中高壓分立器件技術(shù)營收占比超過50%，是該公司營收和研發(fā)的重點。

從客戶類型看，2018年華虹半導(dǎo)體來自無廠芯片設(shè)計公司和系統(tǒng)公司的營業(yè)收入占比為77.5%，同比增長16.0%，營收增長主要來自中國區(qū)的無廠芯片設(shè)計公司客戶群；來自整合器件制造商的營業(yè)收入占比為22.5%，同比增長12.3%。

從區(qū)域市場看，2018年中國區(qū)仍然是華虹半導(dǎo)體營收最大的市場，營收占比為56.4%，營收同比增長17.7%；其次為美國區(qū)，營收占比17.4%，營收同比增長14.2%；亞洲其他區(qū)域的營收增長最快，同比增長23.1%；歐洲區(qū)營收同比增長9.1%；日本區(qū)營收則同比下滑8.5%。

從終端市場看，2018年華虹半導(dǎo)體的營業(yè)收入中最大的是消費電子市場，營收占比64.3%，營收同比增長7.1%；工業(yè)和汽車電子市場是其2018年第二大終端市場營收來源，營收占比20.2%，營收同比增長78.7%。

在產(chǎn)能方面，2018年華虹半導(dǎo)體現(xiàn)有三個廠區(qū)產(chǎn)能均略有提升，晶圓制造月產(chǎn)能合計17.4萬片，產(chǎn)能利用率達99.2%；運營晶圓201.6萬片，同比增長7.9%，是其營收增長的重要原因。華虹半導(dǎo)體表示，2018年度晶圓出貨量首次突破200萬片，實現(xiàn)了自2014年上市以來出貨量140萬片至今9.5%的年復(fù)合增長率。

對于華虹半導(dǎo)體這一份漂亮的成績單，一位不愿具名的業(yè)內(nèi)人士表示并不意外。在他看來，一方面是8英寸晶圓代工需求旺盛、訂單一直在排隊中，而且華虹半導(dǎo)體去年還新增了產(chǎn)能；另一方面華虹半導(dǎo)體在特色工藝領(lǐng)域的技術(shù)和工藝均很強，就純晶圓代工廠而言，華虹半導(dǎo)體在該領(lǐng)域的競爭對手并不多。

該人士預(yù)估，2019年華虹半導(dǎo)體的成績將依舊優(yōu)秀。

展望2019年：繼續(xù)聚焦差異化 迎無錫工廠量產(chǎn)

展望2019年，華虹半導(dǎo)體認為，基于更多終端應(yīng)用衍生的需求、更多集成電路設(shè)計公司的蓬勃發(fā)展與IDM公司持續(xù)委托晶圓代工的趨勢，全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)預(yù)期將持續(xù)健康的增長，增速高于同期全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增速。

對于2019年的發(fā)展計劃，華虹半導(dǎo)體表示將繼續(xù)聚焦8英寸差異化技術(shù)的研發(fā)和優(yōu)化，聚焦物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、5G以及其他新興市場，進一步優(yōu)化現(xiàn)有95納米和90納米等嵌入式非易失性存儲器平臺，追求更高效低耗的新型IGBT技術(shù)，完善0.13微米RF-SOI射頻技術(shù)，并致力研發(fā)90納米BCD技術(shù)。

此外，華虹半導(dǎo)體還表示，由于全球分立器件需求旺盛，公司計劃未來一到兩年擴充每月約2萬片200mm晶圓產(chǎn)能，進一步滿足客戶和市場需求。

值得一提的是，2019年華虹半導(dǎo)體還將迎來無錫工廠的量產(chǎn)。華虹無錫已于2018年底主體結(jié)構(gòu)全面封頂，預(yù)計將于2019年第二季度末完成廠房和潔凈室的建設(shè)，下半年開始搬入設(shè)備，并于2019年第四季度開始300mm晶圓的量產(chǎn)。

為加快實現(xiàn)華虹無錫的順利投產(chǎn)、風(fēng)險量產(chǎn)和上量，華虹半導(dǎo)體在2018年就啟動了55nm邏輯工藝及相關(guān)IP的研發(fā)，預(yù)計2019年下半年開始導(dǎo)入客戶，同時開始研發(fā)55納米嵌入式閃存工藝的存儲單元，功能驗證已通過，為未來55納米嵌入式閃存技術(shù)量產(chǎn)打下堅實的基礎(chǔ)。

華虹半導(dǎo)體表示，華虹無錫是公司產(chǎn)能的升級，也是公司發(fā)展的新階段和新的里程碑。