自2007年起，每年三月的最后一個周六，全世界的個人或團體都會自發(fā)參與由世界自然基金會（WWF）發(fā)起的“地球一小時”活動，旨在用減少耗電的行為來表明他們對應對氣候變化行動的支持。

那么作為“全球環(huán)保先進企業(yè)”的三菱電機，又將如何借助自身技術優(yōu)勢積極響應世界范圍內(nèi)的低碳節(jié)能熱潮呢？

早在20世紀90年代，三菱電機便開始了對碳化硅材料的研究。自2010年起，三菱電機陸續(xù)推出了搭載SiC-SBD※2、SiC-MOSFET※6的SiC功率半導體模塊，廣泛應用于空調以及工業(yè)機械、鐵路車輛的逆變器系統(tǒng)等，為降低家電及工業(yè)機械的耗電量，縮小其體積和重量做出了貢獻。

近日，三菱電機株式會社發(fā)布了1200V碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品，該產(chǎn)品有利于降低太陽能發(fā)電系統(tǒng)、EV充電器等系統(tǒng)的損耗和體積。預計將于2019年6月提供樣品，2020年1月開始發(fā)售。

本產(chǎn)品將在“TECHNO-FRONTIER 2019 -MOTORTECHJAPAN-”（4月17日～19日于日本幕張舉行）,“PCIM Europe 2019展”（5月7～9日于德國紐倫堡舉行）, “PCIMAsia 2019展”（6月26～28日在中國上海舉行）上展出。

※1 Silicon Carbide：碳化硅

※2 Schottky Barrier Diode：肖特基勢壘二極管

新產(chǎn)品特點

1、通過采用碳化硅，有利于降低系統(tǒng)損耗和體積

通過使用碳化硅大幅降低開關損耗，降低約21％的電力損耗※3

實現(xiàn)高速開關，有利于縮小電抗器等配套零部件的體積

※3與內(nèi)置PFC電路的三菱電機產(chǎn)品功率半導體模塊“DIPPFCTM”上搭載的Si（硅）二極管相比

2、通過采用JBS結構，提高可靠性

采用pn結與肖特基結相結合的JBS※4結構

通過JBS結構提高浪涌電流耐量，從而提高可靠性

※4Junction Barrier Schottky

3、由5個產(chǎn)品構成的產(chǎn)品陣容可對應各種各樣的用途

除了通常的TO-247封裝外，還采用了擴大絕緣距離的TO-247-2封裝

除民用品外還可對應工業(yè)等各種各樣的用途

產(chǎn)品陣容中還包括符合AEC-Q101※5的產(chǎn)品（BD20120SJ），也可對應車載用途

※5 Automotive Electronics Council：車載電子零部件質量規(guī)格

新產(chǎn)品發(fā)售概要

主要規(guī)格

※7 8.3msec, sine wave

SiC-SBD系列的產(chǎn)品陣容