12寸晶圓(直徑300mm)的制造工藝是一個高度復(fù)雜且精密的過程,涉及材料科學(xué)、半導(dǎo)體物理和先進設(shè)備技術(shù)的結(jié)合。以下是其核心工藝流程及關(guān)鍵技術(shù)要點: 一、單晶硅生長與晶圓成型 高純度多晶硅提純 原料
發(fā)表于 11-17 11:50
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在芯片的納米世界中,多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡稱Poly-Si) 。這種由無數(shù)微小硅晶粒組成的材料,憑借其可調(diào)的電學(xué)性能與卓越的工藝兼容性,成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的“多面手”。
發(fā)表于 07-08 09:48
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隧穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)技術(shù)作為當(dāng)前太陽能電池領(lǐng)域的核心技術(shù)之一,憑借其優(yōu)異的背面鈍化性能,在工業(yè)生產(chǎn)中實現(xiàn)了廣泛應(yīng)用。然而,多晶硅薄膜材料固有的窄帶隙和高吸收系數(shù)特性,導(dǎo)致其在
發(fā)表于 06-23 09:03
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圖1.多晶硅太陽能電池的顯微鏡光學(xué)圖像。在此圖像上可以觀察到大塊的熔融和凝固的硅。 可再生能源,例如太陽能,預(yù)計將在不久的將來發(fā)揮重要作用。為了將太陽光的能量直接轉(zhuǎn)化為電能,硅太陽能電池(晶體或
發(fā)表于 05-26 08:28
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本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。
發(fā)表于 04-15 10:27
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本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹,重點解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn),并結(jié)合不同工藝條件對材料性能的影響,幫助讀者深入理解
發(fā)表于 04-09 16:19
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多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡稱Poly)是由無數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅(如硅襯底)不同,
發(fā)表于 04-08 15:53
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本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
發(fā)表于 04-02 09:22
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鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù),該方法先將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化,隨后利用翻轉(zhuǎn)機械將其注入模具內(nèi)結(jié)晶凝固,最初主要用于生產(chǎn)等軸多晶硅。近年來,為提升多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率,通過控制模具中熔體凝固過程的溫度,創(chuàng)造定向散熱條件,從而
發(fā)表于 03-13 14:41
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隨著全球能源需求的增長,開發(fā)高效率太陽能電池變得尤為重要。本文旨在開發(fā)一種成本效益高且可擴展的制備工藝,用于制造具有前側(cè)SiOx/多晶硅選擇性發(fā)射極的雙面TOPCon太陽能電池,并通過優(yōu)化工藝實現(xiàn)
發(fā)表于 03-03 09:02
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本文介紹了單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨特的工藝優(yōu)勢,它具備進行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處之一,便是能夠?qū)崿F(xiàn)臨場的多晶硅和鎢硅化物沉積
發(fā)表于 02-11 09:19
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本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖,gate就是柵極,柵極由最開始的鋁柵,到多晶硅柵,再到HKMG工藝中的金屬柵極。 ? 柵極的作用 ? 柵極的主要作用是控制
發(fā)表于 02-08 11:22
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Poly-SEs技術(shù)通過在電池的正面和背面形成具有選擇性的多晶硅層,有效降低了電池的寄生吸收和接觸電阻,同時提供了優(yōu)異的電流收集能力。在n型TOPCon太陽能電池中,Poly-SEs的應(yīng)用尤為重要
發(fā)表于 02-06 13:59
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在全球積極推動清潔能源轉(zhuǎn)型的大背景下,太陽能光伏產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展,而多晶硅作為光伏產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵起始原料,其質(zhì)量和性能直接關(guān)系到整個光伏系統(tǒng)的發(fā)電效率和穩(wěn)定性。因此,了解并嚴格把控多晶硅的存儲條件顯得尤為重要。
發(fā)表于 12-27 09:22
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1. 美國宣布提高中國太陽能硅片、多晶硅關(guān)稅至50% 2025 年1 月1 日生效 ? 美國拜登政府周三(12月11日)宣布,將增加對中國太陽能硅片和多晶硅、鎢產(chǎn)品的進口關(guān)稅,作為其保護本國清潔
發(fā)表于 12-12 10:09
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