采用GaN和SiC技術的新一代半橋逆變器的性能分析
新一代逆變器採用GaN和SiC等先進開關技術。寬帶隙功率開關，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量，通過提高開關頻率來實現(xiàn)。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
逆變器
+關注
關注
304文章
5169瀏覽量
216718 -
SiC
+關注
關注
32文章
3735瀏覽量
69475 -
GaN
+關注
關注
21文章
2369瀏覽量
82608
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
深入剖析LMG5200：80-V、10-A GaN半橋功率級的卓越性能與應用
深入剖析LMG5200：80-V、10-A GaN半橋功率級的卓越性能與應用 在電子工程師的日常工作中，選擇合適的功率級器件對于設計的成功至關重要。今天，我們就來詳細探討
探索LMG2640：650V GaN半橋的卓越性能與應用潛力
探索LMG2640：650V GaN半橋的卓越性能與應用潛力 在當今的電子世界中，高效、緊湊的電源解決方案需求日益增長。氮化鎵（GaN）
深入剖析LMG2656：650V 230mΩ GaN半橋的卓越性能與應用
深入剖析LMG2656：650V 230mΩ GaN半橋的卓越性能與應用 在電源轉換領域，氮化鎵（GaN）
62mm SiC半橋模塊與雙通道SiC驅動板設計固態(tài)變壓器（SST）功率單元
62mm SiC半橋模塊與雙通道SiC驅動板設計固態(tài)變壓器（SST）功率單元
深入解析LM5113-Q1：汽車應用的高性能半橋GaN驅動器
深入解析LM5113-Q1：汽車應用的高性能半橋GaN驅動器 在電子工程領域，不斷追求高性能、高可靠性的器件是推動
LMG1210：高性能半橋MOSFET和GaN FET驅動芯片的技術剖析
LMG1210：高性能半橋MOSFET和GaN FET驅動芯片的技術剖析 在電子設備追求高頻、高效的今天，對于驅動芯片的
DRV7167A：高性能GaN半橋電機驅動器的卓越之選
DRV7167A：高性能GaN半橋電機驅動器的卓越之選 在電子工程師的日常工作中，尋找一款性能卓
Neway第三代GaN系列模塊的生產成本
Neway第三代GaN系列模塊的生產成本Neway第三代GaN系列模塊的生產成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設計及市場定位等多重因素影響，整體呈現(xiàn)“高技
發(fā)表于 12-25 09:12
XM3半橋電源模塊系列CREE
XM3半橋電源模塊系列是 Wolfspeed（原CREE）推出的高功率碳化硅（SiC）電源模塊平臺，專為電動汽車、工業(yè)電源和牽引驅動等高要求應用設計。XM3半
發(fā)表于 09-11 09:48
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級是一款90V連續(xù)、100V脈沖、35A半
深愛半導體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊
SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列！我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術，賦能客戶在三大核心維
發(fā)表于 07-23 14:36
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級數(shù)據(jù)手冊
一個采用半橋配置的高頻GaN FET驅動器驅動。該驅動器和兩個GaN場效應晶體管安裝在完全無接合
SLMi8233DDCG-DG雙通道隔離驅動器兼容Nsi6602CDWR——高可靠性半橋驅動的核心引擎
能源轉換
30kW+ UPS逆變器IGBT半橋驅動
光伏微型逆變器GaN開關管驅動
高密度電源
鈦金級服務器電源同步整流驅動
5G基站電源
發(fā)表于 06-21 09:44
GaN與SiC功率器件深度解析
本文針對當前及下一代電力電子領域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性
CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工業(yè)級全碳化硅（S
發(fā)表于 03-17 09:59
工商網監(jiān)
評論