采用GaN和SiC技術(shù)的新一代半橋逆變器的性能分析
新一代逆變器採(cǎi)用GaN和SiC等先進(jìn)開(kāi)關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開(kāi)關(guān)，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量，通過(guò)提高開(kāi)關(guān)頻率來(lái)實(shí)現(xiàn)。
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