SK海力士跨向1ynm內(nèi)存時代 提高DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能
SK海力士近日宣布，將在提高第一代10nm級工藝（1xnm） DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能的同時，今年下半年開始銷售基于第二代10nm級工藝（1ynm）的內(nèi)存芯片，并為下代內(nèi)存做好準(zhǔn)備。SK海力士首款1ynm工藝產(chǎn)品將是8Gb DDR4-3200芯片，號稱相比1xnm工藝可將尺寸縮小20％，并將功耗降低15％。
此外，這顆新的芯片還具備四相時鐘機(jī)制，有利于提高信號強(qiáng)度、維持高頻穩(wěn)定性，并支持感應(yīng)放大控制技術(shù)（SAC），有利于減少晶體管尺寸縮小時可能出現(xiàn)的數(shù)據(jù)錯誤。
有消息稱，SK海力士還會用1ynm工藝制造DDR5、LPDDR5、GDDR6內(nèi)存芯片，所以盡早部署并量產(chǎn)非常關(guān)鍵。
其實(shí)，SK海力士是內(nèi)存三巨頭中最后一家大規(guī)模上1ynm工藝的，三星、美光去年就用上了。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
內(nèi)存芯片
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
128瀏覽量
22931 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
1003瀏覽量
40931
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
SK海力士HBS存儲技術(shù)，基于垂直導(dǎo)線扇出VFO封裝工藝
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)韓媒報道，存儲行業(yè)巨頭SK海力士正全力攻克一項(xiàng)全新的性能瓶頸技術(shù)高帶寬存儲HBS。 ? SK海力士研發(fā)的這項(xiàng)HBS技術(shù)采用了創(chuàng)新的
SK海力士321層4D NAND的誕生
SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新，在NAND閃存（NAND Flash，以下簡稱NAND
SK海力士HBM技術(shù)的發(fā)展歷史
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位，這些成就的背后皆源于
英偉達(dá)供應(yīng)商SK海力士盈利大增158%
得益于AI需求的有力推動；高帶寬內(nèi)存(HBM)需求持續(xù)暴漲，這帶動了英偉達(dá)供應(yīng)商SK海力士盈利大增158%。 據(jù)SK海力士公布的財務(wù)業(yè)績數(shù)據(jù)
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測試良率
三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士，更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HB
發(fā)表于 04-18 10:52
SK海力士強(qiáng)化HBM業(yè)務(wù)實(shí)力的戰(zhàn)略規(guī)劃
隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，作為其核心支撐技術(shù)的高帶寬存儲器（以下簡稱HBM）實(shí)現(xiàn)了顯著的增長，為SK海力士在去年實(shí)創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績做出了不可或缺的重要貢獻(xiàn)。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，SK海力士的
SK海力士緊急審查中國EDA軟件使用
的復(fù)雜動態(tài)。 業(yè)界人士透露，美國的新政策可能會限制韓國半導(dǎo)體公司使用中國的EDA軟件。EDA軟件在半導(dǎo)體設(shè)計過程中起著至關(guān)重要的作用，它能夠幫助設(shè)計師高效地創(chuàng)建和驗(yàn)證復(fù)雜的芯片設(shè)計。因此，對于SK海力士等半導(dǎo)體公司來說，確保所使
SK 海力士發(fā)布2024財年財務(wù)報告
SK 海力士近日正式公布了截至2024年12月31日的2024財年及第四季度財務(wù)報告，數(shù)據(jù)顯示，該公司在過去一年中取得了令人矚目的業(yè)績。 2024年全年，SK 海力士營收達(dá)到了6619
SK海力士創(chuàng)歷史最佳年度業(yè)績
SK海力士近日發(fā)布了截至2024年12月31日的2024財年及第四季度財務(wù)報告，數(shù)據(jù)顯示公司再創(chuàng)佳績。2024財年，SK海力士的營業(yè)收入高達(dá)66.1930萬億韓元，營業(yè)利潤達(dá)到23.4
海力士展示AI專用計算內(nèi)存解決方案AiMX-xPU
在Hot Chips 2024上，海力士專注于AI加速器的標(biāo)準(zhǔn)DRAM之外的產(chǎn)品。該公司展示了其在內(nèi)存計算方面的最新進(jìn)展，這次是用其AiMX-xPU和LPDDR-AiM進(jìn)行LLM推理。其理念是，無需
SK海力士增產(chǎn)HBM DRAM,應(yīng)對AI芯片市場旺盛需求
SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存（HBM）的DRAM產(chǎn)能，目標(biāo)是將每月產(chǎn)能從去年的10萬片
SK海力士加速16Hi HBM3E內(nèi)存量產(chǎn)準(zhǔn)備
近日，SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內(nèi)存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的全面生產(chǎn)測試已經(jīng)正式啟動，為明年初的樣品出樣乃至2025年上半年的大規(guī)模量產(chǎn)與供應(yīng)奠定了
SK海力士考慮提供2.5D后端工藝服務(wù)
與測試)市場，這將標(biāo)志著其在AI芯片產(chǎn)業(yè)鏈上的布局進(jìn)一步向下延伸。此舉不僅有助于SK海力士擴(kuò)大整體利潤規(guī)模，更能在一定程度上緩解下游外部先進(jìn)封裝廠產(chǎn)能瓶頸對其HBM(高帶寬存儲器)銷售
SK海力士被曝贏得博通 HBM 訂單，預(yù)計明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴(kuò)大到 16~17 萬片
存儲芯片，并將其應(yīng)用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預(yù)計將在明年下半年供應(yīng)該芯片。 ? 由于需要同時向英偉達(dá)和博通供應(yīng)
SK海力士新設(shè)AI芯片開發(fā)與量產(chǎn)部門
韓國存儲芯片巨頭SK海力士于近日宣布，為鞏固其在人工智能(AI)內(nèi)存領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，公司決定在年度組織調(diào)整中新增兩個專門部門，專注于下一代AI芯片
工商網(wǎng)監(jiān)
評論