1、概述

去鉆污及凹蝕是剛-撓印制電路板數(shù)控鉆孔后，化學鍍銅或者直接電鍍銅前的一個重要工序，要想剛-撓印制電路板實現(xiàn)可靠電氣互連，就必須結合剛-撓印制電路板其特殊的材料構成，針對其主體材料聚酰亞胺和丙烯酸不耐強堿性的特性，選用合適的去鉆污及凹蝕技術。剛-撓印制電路板去鉆污及凹蝕技術分濕法技術和干法技術兩種，下面就這兩種技術與各位同行進行共同探討。

2、剛-撓印制電路板濕法去鉆污及凹蝕技術

剛-撓印制電路板濕法去鉆污及凹蝕技術由以下三個步驟組成：l 膨松（也叫溶脹處理）。利用醇醚類膨松藥水軟化孔壁基材，破壞高分子結構，進而增加可被氧化之表面積，以使其氧化作用容易進行，一般使用丁基卡必醇使孔壁基材溶脹。l 氧化。目的是清潔孔壁并調整孔壁電荷，目前，國內傳統(tǒng)用三種方式。

Ⅰ.濃硫酸法：由于濃硫酸具有強的氧化性和吸水性，能將絕大部分樹脂碳化并形成溶于水的烷基磺化物而去除，反應式如下：CmH2nOn+H2SO4--mC+nH2O除孔壁樹脂鉆污的效果與濃硫酸的濃度、處理時間和溶液的溫度有關。用于除鉆污的濃硫酸的濃度不得低于86%，室溫下20-40秒，如果要凹蝕，應適當提高溶液溫度和延長處理時間。濃硫酸只對樹脂起作用，對玻璃纖維無效，采用濃硫酸凹蝕孔壁后，孔壁會有玻璃纖維頭突出，需用氟化物（如氟化氫銨或者氫氟酸）處理。采用氟化物處理突出的玻璃纖維頭時，也應該控制工藝條件， 防止因玻璃纖維過腐蝕造成芯吸作用，一般工藝過程如下：H2SO4：10%NH4HF2：5-10g/l溫度：30℃ 時間：3-5分鐘

按照此方法對打孔以后的剛-撓印制電路板去鉆污及凹蝕，然后對孔進行金屬化，通過金相分析，發(fā)現(xiàn)內層鉆污根本沒去徹底，導致銅層與孔壁附著力低下，為此在金相分析做熱應力實驗時（288℃，10±1秒），孔壁銅層脫落而導致內層斷路。

況且，氟化氫銨或者氫氟酸有巨毒，廢水處理很困難。更主要的是聚酰亞胺在濃硫酸中呈惰性，所以此方法不適應剛-撓印制電路板的去鉆污及凹蝕。

Ⅱ.鉻酸法：由于鉻酸具有強烈的氧化性，其浸蝕能力強，所以它能使孔壁高分子物質長鏈斷開，并發(fā)生氧化、磺化作用，于表面生成較多的親水性基團，如羰基（-C=O）、羥基（-OH）、磺酸基（-SO3H）等，從而提高其親水性，調整孔壁電荷，并達到去除孔壁鉆污和凹蝕的目的。一般工藝配方如下： 鉻酐CrO3 : 400 g/l 硫酸H2SO4 ：350 g/l 溫度：50-60℃ 時間：10-15min

按照此方法對打孔以后的剛-撓印制電路板去鉆污及凹蝕，然后對孔進行金屬化，對金屬化孔進行了金相分析和熱應力實驗，結果完全符合GJB962A-32標準。

所以，鉻酸法也適應于剛-撓印制電路板的去鉆污及凹蝕，針對小企業(yè)而言，該方法的確非常適合，簡單易操作，更主要的是成本，但該方法唯一的遺憾是存在有毒物質鉻酐。

Ⅲ.堿性高錳酸鉀法：目前，很多PCB廠家由于缺少專業(yè)的工藝，仍然沿襲剛性多層印制電路板去鉆污及凹蝕技術--堿性高錳酸鉀技術來處理剛-撓印制電路板，通過該方法去除樹脂鉆污后，同時能蝕刻樹脂表面使其表面產生細小凸凹不平的小坑，以便提高孔壁鍍層與基體的結合力，在高溫高堿的環(huán)境下，利用高錳酸鉀氧化除去溶脹的樹脂鉆污，該體系對于一般的剛性多層板很湊效，但對于剛-撓印制電路板不適應，因為剛-撓印制電路板的主體絕緣基材聚酰亞胺不耐堿性，在堿性溶液中要溶脹甚至少部分溶解，更何況是高溫高堿的環(huán)境。如果采用此方法，即使當時剛-撓印制電路板沒報廢，也為以后采用該剛-撓印制電路板的設備的可靠性大打折扣。

l 中和。經過氧化處理后的基材必須經清洗干凈，防止污染后道工序的活化溶液，為此必須經過中和還原工序，根據(jù)氧化方式的不同選用不同的中和還原溶液。

3、剛-撓印制電路板干法去鉆污及凹蝕技術

目前，國內外流行的干法是等離子體去鉆污及凹蝕技術。等離子體用于剛-撓印制電路板的生產，主要是對孔壁去鉆污和對孔壁表面改性。其反應可看著是高度活化狀態(tài)的等離子體與孔壁高分子材料和玻璃纖維發(fā)生的氣、固相化學反應,生成的氣體產物和部分未發(fā)生反應的粒子被真空泵抽走的過程,是一個動態(tài)的化學反應平衡過程.根據(jù)剛---撓印制電路板所用的高分子材料通常選用N2、O2、CF4氣體作為原始氣體.其中N2起到清潔真空和預熱的作用。 O2+CF4混合氣體的等離子體化學反應示意式為:

O2+CF4 O+OF+CO+COF+F+e-+…….

等離子體 由于電場加速使其成為高活性粒子而碰撞O和F粒子而產生高活性的氧自由基和氟自由基等,與高分子材料反應如下:［C、H、O、N］+［O+OF+CF3+CO+F+…］ CO2+HF+H2O+NO2+……

等離子體與玻璃纖維的反應為: SiO2+［O+OF+CF3+CO+F+…］ SiF4+CO2+CaL

至此，實現(xiàn)了剛---撓印制電路板的等離子體處理。

值得注意的是原子狀態(tài)的O與C-H和C=C發(fā)生羰基化反應而使高分子鍵上增加了極性基團，使高分子材料表面的親水性得到改善。

O2+CF4等離子體處理過的剛-撓印制電路板，再用O2等離子體處理，不但可以使孔壁潤濕性（親水性）得到改善，同時可以去除反應。結束后的沉積物和反應不完全的中途產物。用等離子體技術去鉆污及凹蝕的方法處理剛-撓印制電路板并且經過直接電鍍以后，對金屬化孔進行了金相分析和熱應力實驗，結果完全符合GJB962A-32標準。

4、結束語

綜上所述，不管是干法還是濕法，如果針對體系主體材料的特性，選擇合適的方法，都可以達到剛-撓互連母板去鉆污及凹蝕刻的目的。