傳統(tǒng)的光電轉換技術一般采用LED等發(fā)光器件。這種發(fā)光器件多采用邊緣發(fā)射，體積大，因此比較難以和半導體技術結合。20世紀90年代垂直腔表面發(fā)射激光VCSEL技術成熟后，解決了發(fā)光器件和半導體技術結合的問題，因此迅速得到普及。

晶圓光學鏡片中間的兩面發(fā)射垂直腔面發(fā)射體激光器（VCSEL）

近年來，智能手機領域相關技術更新迭代十分迅速，由于人們的日常需求逐漸提高，手機的拍照，感應，識別等功能尤其受到關注，故手機攝像頭用量提升的趨勢仍處于加速態(tài)勢，特別是3D攝像頭等新創(chuàng)新的使用也將為手機攝像頭領域提供增益，尤其以VCSEL激光器為核心關鍵元器件的3D Sensing攝像頭在手機上的應用，帶動相關市場迎來一輪爆發(fā)。

3D Sensing攝像頭

3D Sensing攝像頭相比于傳統(tǒng)攝像頭除了能夠獲取平面圖像以外，還可以獲得拍攝對象的深度信息，即三維的位置及尺寸信息，其通常由多個攝像頭+深度傳感器組成。3D 攝像頭實現實時三維信息采集，為消費電子終端加上了物體感知功能，從而引入多個“痛點型應用場景”，包括人機交互、人臉識別、三維建模、安防和輔助駕駛等多個領域，3D Sensing攝像頭讓交互方式從平面變成了立體。而3D Sensing攝像頭產業(yè)鏈與傳統(tǒng)攝像頭產業(yè)鏈相比主要新增加紅外光源+光學組件+紅外傳感器等部分，其中最關鍵的部分就是紅外光源。

因特爾公司研發(fā)的RealSense 3D攝像頭架構

目前，可以提供800-1000nm波段的近紅外光源主要有三種：紅外LED、紅外LD-EEL（邊發(fā)射激光二極管）和VCSEL（垂直腔面發(fā)射激光器）。早期3D傳感系統(tǒng)一般都使用LED作為紅外光源，但是隨著VCSEL技術的成熟，性價比已經接近紅外LED，除此之外，在技術方面，由于LED不具有諧振腔，導致光束更加發(fā)散，在耦合性方面很差，而VCSEL在精確度、小型化、低功耗、可靠性全方面占優(yōu)的情況下，現在常見的3D攝像頭系統(tǒng)一般都采用VCSEL作為紅外光源。而與傳統(tǒng)邊發(fā)射激光器相比，VCSEL 在光束質量、與光纖耦合效率、腔面反射率上都具有較大優(yōu)勢，且因為VCSEL發(fā)射光線垂直于襯底而邊發(fā)射激光器發(fā)射光線平行于襯底，因此 VCSEL 能夠實現二維陣列而邊發(fā)射激光器不行。

VCSEL技術

垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，簡稱VCSEL，又譯垂直共振腔面射型雷射）是一種半導體，其激光垂直于頂面射出，與一般用切開的獨立芯片制成，激光由邊緣射出的邊射型激光有所不同。

VCSEL是很有發(fā)展前景的新型光電器件，也是光通信中革命性的光發(fā)射器件。顧名思義，邊發(fā)射激光器是沿平行于襯底表面、垂直于解理面的方向出射，而面發(fā)射激光器其出光方向垂直于襯底表面，如下圖：

邊發(fā)射激光器（a）與面發(fā)射激光器(b)示意圖

它優(yōu)于邊發(fā)射激光器的表現在于：易于實現二維平面和光電集成；圓形光束易于實現與光纖的有效耦合；可以實現高速調制，能夠應用于長距離、高速率的光纖通信系統(tǒng)；有源區(qū)尺寸極小，可實現高封裝密度和低閾值電流；芯片生長后無須解理，封裝后即可進行在片實驗；在很寬的溫度和電流范圍內都以單縱模工作；價格低。

VCSEL的優(yōu)異性能已引起廣泛關注，成為國際上研究的熱點。這十多年來，VCSEL在結構、材料、波長和應用領域都得到飛速發(fā)展，部分產品已進入市場。

VCSEL基本結構

VCSEL的結構示意圖如下圖所示。它是在由高、低折射率介質材料交替生長成的分布布喇格反射器（DBR）之間連續(xù)生長單個或多個量子阱有源區(qū)所構成。典型的量子阱數目為3~5個，它們被置于駐波場的最大處附近，以便獲得最大的受激輻射效率而進入振蕩場。在底部還鍍有金屬層以加強下面DBR的光反饋作用，激光束從頂部透明窗口輸出。

實際上，要完成低閾值電流工作，和一般的條型半導體激光器一樣，必須使用很強的電流收斂結構，同時進行光約束和截流子約束。由上圖可見，VCSEL的半導體多層模反射鏡DBR是由GaAs/AlAs構成的，經蝕刻使之成為air-post（臺面）結構。在高溫水蒸汽中將AlAs層氧化，變?yōu)橛薪^緣性的AlxOy層，其折射率也大大降低，因而成為把光、載流子限制在垂直方向的結構。對VCSEL的設計集中在高反射率、低損耗的DBR和有源區(qū)在腔內的位置。

VCSEL激光器的特點

由于VCSEL與邊發(fā)射激光器有著不同的結構，這就決定了兩者之間有不同的特點和性能，下表中列出了兩種激光器的基本參數。

從表中我們可以看出，VCSEL有源區(qū)的體積小、腔短，這就決定了它容易實現單縱模、低閾值(亞毫安級)電流工作，但是為了得到足夠高的增益，其腔鏡的反射率必須達到99%。VCSEL具有較高的弛豫振蕩頻率，從而在高速數據傳輸以及光通信中，預計將有著廣泛的應用。VCSEL出光方向與襯底表面垂直，可以實現很好的橫向光場限制，進行整片測試，得到圓形光束，易與制作二維陣列，外延晶片可以在整個工藝完成前，節(jié)約了生產成本。

VCSEL的優(yōu)點主要有:

l.出射光束為圓形，發(fā)散角小，很容易與光纖及其他光學元件耦合且效率高。

2.可以實現高速調制，能夠應用于長距離、高速率的光纖通信系統(tǒng)。

3.有源區(qū)體積小，容易實現單縱模、低閾值的工作。

4.電光轉換效率可大于50%，可期待得到較長的器件壽命。 5.容易實現二維陣列，應用于平行光學邏輯處理系統(tǒng)，實現高速、大容量數據處理，并可應用于高功率器件。

6.器件在封裝前就可以對芯片進行檢測，進行產品篩選，極大降低了產品的成本。

7.可以應用到層疊式光集成電路上，可采用微機械等技術。

VCSEL的發(fā)展史

VCSEL的歷史，也是在諸多學者機構的努力下，其性能不斷優(yōu)化的歷史，在這幾十年的歷史中，IGA及其帶領的團隊起到了不可磨滅的作用，可以堪稱IGA教授為VCSEL之父。

隨著VCSEL的諸多優(yōu)點，其應用也越來越廣泛。并且為了適合這些應用，VCSEL也朝著多個方向在各自發(fā)展，如圖所示，為其主要應用：

不同波長VCSEL應用領域

由于目前VCSEL最主要應用在光傳輸方面，基于1979年Soda等人的VCSEL為開端，VCSEL的發(fā)展，主要經歷了2個階段：

第一階段：從VCSEL誕生到20世紀末，蠻荒發(fā)展階段。

在這個階段，各個組織機構都提出以及嘗試了各種不同結構類型的VCSEL，最終氧化物限制型VCSEL由于其諸多優(yōu)點而勝出。

1994年，Huffaker等人率先采用在臺面結構（Mesa）下本征氧化AlGaAs，生成掩埋高阻層Al氧化物的方式，來對電流進行進一步的限制。利用這種結構，閾值電流可以降低到225uA。而這種結構就是目前普遍采用的氧化物限制型（Oxide-confined）結構的原型；

首個氧化物限制型VCSEL

2013年，Iga對VCSEL的關鍵指標如閾值電流、調制帶寬與有源區(qū)的關系給出了簡單的關系公式。

VCSEL的閾值電流同其他半導體激光器一樣，與有源區(qū)體積有如下關系式：

由公式可以看出，為了降低閾值電流，就需要不斷減小有源區(qū)體積。比較當前的VCSEL與條狀激光器的有源區(qū)體積，可以發(fā)現，VCSEL的V=0.06um3， 條狀激光器依然在V=60um3， 這就是為什么條狀激光器的閾值電流典型值仍舊在幾十mA的級別，而VCSEL的閾值電流已經達到了亞毫安級別。

第二階段：逐漸發(fā)展成熟階段及優(yōu)化階段。

由于氧化物限制型的VCSEL具有低閾值電流等很多優(yōu)點，這種結構的VCSEL被很快運用到了光通信中。

由于高的工作電流可以帶來更好的調制特性，但同時也會相應的增加功耗，進而帶來溫度的上升，會對可靠性帶來影響。調制速率與功耗成了VCSEL在光傳輸領域中重要的挑戰(zhàn)。2007年，Y-C.Chang等人采取增加深氧化層層數到5層以及增加p型摻雜濃度來降低串聯阻抗的方式，在0.9mA電流下實現的15GHz調制帶寬，相應的功耗只有1.2mW，帶寬/功耗比只有12.5GHz/mW,是當時最先進水平。VCSEL截面結構如圖所示：

深氧化層氧化物限制型VCSEL

利用相同的VCSEL結構，同年，Y-C.Chang等人又實現了35Gbps的無誤碼傳輸。

2011年，Petter Westbergh等人研究了850nm氧化物限制型VCSEL光子壽命與諧振頻率及調制速率的關系，并指出在高諧振頻率以及低阻尼震蕩中取得一個折衷來提高速率：當光子壽命接近3ps時，可以使VCSEL的調制帶寬達到23GHz，同時可以得到40Gb/s的無誤碼傳輸。

近年來，各個興趣小組對于高速率、低功耗的VCSEL研究依然興趣不減，圖10是截止到2015年，各機構的研究成果。可以看出，如果采用預加重的方式，目前VCSEL背靠背傳輸可以達到71Gbit/s。