根據(jù)國外媒體報導，曾表示目前制程技術還用不上EUV技術的各大DRAM廠在目前DRAM價格直直落，短期看不到止跌訊號的情況下，也頂不住生產(chǎn)成本的壓力，開始考量導入EUV技術，以降低生產(chǎn)成本。南韓三星將在2019 年底前正式導入。

報導指出，為了應付半導體制程微縮，因此有了EUV設備與技術。使用EUV 技術后，除了同樣制程的情況下，可將電晶體密度提升，同頻率下功耗降低，且因為制程微縮，使得單位位元數(shù)產(chǎn)出增加，降低光罩用量，如此就可降低成本。不過EUV設備昂貴，過去DRAM價格居高不下的時期，各家DRAM廠商擴大產(chǎn)能都來不及，暫時不考慮目前制程導入EUV技術。但市況大不如前，導致想法改變。

根據(jù)市場研究調查單位DRAMeXchange的研究資料顯示，當前DRAM市場供給過剩導致價格不斷下跌的情況持續(xù)。對此，DRAM廠雖然盡量減產(chǎn)，但仍然無法讓價格明顯止跌。因此，唯一能維持獲利的方法就是微縮制程來降低單位生產(chǎn)成本。不過，DRAM制程向1z 納米或1α 納米制程推進的難度愈來愈高，隨著EUV量產(chǎn)技術獲得突破，將可有效降低DRAM的生產(chǎn)成本。

報導指出，基于以上的原因，南韓三星預期在2019年11月開始量產(chǎn)采用EUV 技術的1z 納米DRAM，量產(chǎn)初期將與三星晶圓代工共用EUV設備，初期使用量雖不大，但卻等于宣示DRAM微影技術會開始向EUV的方向發(fā)展。至于，SK海力士及美光也已經(jīng)表明，現(xiàn)階段開始評估導入EUV技術的需求。對此，業(yè)界預期將，可能在1α 納米或1β 納米世代開始真正導入。

報導進一步表示，三星的1z 納米屬于第三代10納米級的制程，10納米級的制程并不是10納米制程，而是由于20納米制程節(jié)點之后的DRAM制程升級變得困難，所以DRAM記憶體制程的線寬指標不再那么精確，于是有了1x 納米、1y 納米及1z 納米等制程節(jié)點之分。簡單來說，1x 納米制程相當于16 到19 納米，1y 納米制程相當于14到16納米，1z 納米制程則是大概為12到14納米制程的等級，而在這之后還有1α 及1β 納米制程節(jié)點。

由于，先進制程采用EUV微影技術已是趨勢，在臺積電2019第2季量產(chǎn)內含EUV技術的7納米加強版制程，并且獲得客戶訂單之后，競爭對手三星的晶圓代工也采用EUV量產(chǎn)7納米制程，英特爾則是預期2021年量產(chǎn)的7納米制程將會首度導入EUV技術。而隨著制程持續(xù)推進至5納米或3納米節(jié)點之后，預期對EUV的需求也會越來越大，屆時EUV設備已將成為半導體軍備競賽中不可或缺的要項。