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中微半導體登陸科創(chuàng)板 將力爭在未來十年內發(fā)展成為國際一流的半導體設備公司

半導體動態(tài) ? 來源:工程師吳畏 ? 2019-06-22 11:08 ? 次閱讀
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6月20日,上海證券交易所科創(chuàng)板股票上市委員會2019年第7次上市委員會審議會議結果顯示,中微半導體設備(上海)股份有限公司(以下簡稱“中微半導體”)成功過會。

資料顯示,中微半導體成立于2004年5月,主要從事高端半導體設備的研發(fā)、生產和銷售。自成立以來,其主要業(yè)務是開發(fā)加工微觀器件的大型真空工藝設備,包括等離子體刻蝕設備和薄膜沉積設備(MOCVD)。

說起中微半導體,相信半導體業(yè)界人士均較為熟悉,這家企業(yè)憑借著自主研發(fā)的刻蝕設備及MOCVD設備打破了國外壟斷,已成功躋身世界半導體設備廠商前列。

豪華陣營的創(chuàng)始人及技術團隊

業(yè)界稱中微半導體是一家具有“巨人基因”的半導體設備公司。2004年,尹志堯博士與杜志游博士、倪圖強博士、麥仕義博士等40多位半導體設備專家創(chuàng)辦中微半導體,創(chuàng)業(yè)團隊成員均是在全球半導體設備產業(yè)長期耕耘的資深人士。

不得不提的是中微半導體的創(chuàng)始人、董事長及總經理尹志堯博士。據(jù)招股書介紹,尹志堯博士在半導體芯片和設備產業(yè)有35年行業(yè)經驗,是國際等離子體刻蝕技術發(fā)展和產業(yè)化的重要推動者,是89項美國專利和200多項其他海內外專利的主要發(fā)明人。

在創(chuàng)辦中微半導體以前,尹志堯博士曾供職英特爾從事核心技術開發(fā)工作,隨后于泛林半導體負責領導若干重點產品的刻蝕技術開發(fā),1991年至2004年間在應用材料擔任高級管理職務,包括企業(yè)副總裁、刻蝕產品事業(yè)部總經理、亞洲總部首席技術官。

中微半導體的其他聯(lián)合創(chuàng)始人、核心技術人員和重要的技術、工程人員,包括杜志游博士、倪圖強博士、麥仕義博士、楊偉先生、李天笑先生等160多位各專業(yè)領域專家,其中很多是在國際半導體設備產業(yè)耕耘數(shù)十年,為行業(yè)做出杰出貢獻的資深技術和管理專家。

數(shù)據(jù)顯示,截至2018年末,中微半導體共有研發(fā)和工程技術人員381名,占員工總數(shù)的58%。同時,中微半導體亦保持較高強度的研發(fā)投入,2016-2018年,該公司研發(fā)投入占營業(yè)收入的比例分別為49.62%、34.00%、24.65%,三年累計研發(fā)投入10.37億元,約占營業(yè)收入的32%。

截至2019年2月末,中微半導體申請了1201項專利,其中發(fā)明專利1038項,海外發(fā)明專利465項;已獲授權的專利合計951項,其中發(fā)明專利800項。

除了豪華陣營的創(chuàng)始人及技術團隊外,中微半導體目前的股東亦不容小覷。截至招股書簽署日,中微半導體共有境外法人股東6名、境內法人股東20名,自然人股東8名,目前公司無實際控制人。

其中,第一大股東上海創(chuàng)投持股20.02%、第二大股東巽鑫投資的持股比例為19.39%,上海創(chuàng)投是上海科技創(chuàng)業(yè)投資(集團)有限公司的100%控股子公司,實際控制人為上海國資委,而巽鑫投資則為國家大基金的100%控股子公司。

刻蝕設備與MOCVD設備并駕齊驅

基于強大的技術團隊陣營與高強度的研發(fā)投入,歷經十多年深耕,中微半導體已在其產品領域取得一定的成就與市場地位。

數(shù)據(jù)顯示,先進集成電路大規(guī)模生產線的投資可達100億美元,75%以上是半導體設備投資,其中最關鍵、最大宗的設備是刻蝕設備、***、薄膜沉積設備(MOCVD),中微半導體的主要產品則包括刻蝕設備、MOCVD設備以及其他設備(VOC設備)。

刻蝕設備方面,自2004年成立伊始,中微半導體首先開發(fā)甚高頻去耦合等離子體刻蝕設備Primo D-RIE,到目前為止已成功開發(fā)了雙反應臺Primo D-RIE、雙反應臺Primo AD-RIE和單反應臺Primo SSC AD-RIE三代刻蝕設備,涵蓋65納米、45納米、32納米、28納米、22納米、14納米、7納米和5納米微觀器件的眾多刻蝕應用。

2012年,中微半導體開發(fā)電感性等離子體刻蝕設備,到目前為止已成功開發(fā)單反應臺Primo nanova刻蝕設備,目前已有20個反應腔在客戶生產線核準;同時開發(fā)雙反應臺電感性等離子體刻蝕設備,主要涵蓋14納米以下微觀器件的刻蝕應用,還針對集成電路先進封裝和MEMS傳感器產業(yè)等開發(fā)了應用于這些領域的電感性等離子體深硅刻蝕設備。

中微半導體指出,目前刻蝕設備在65納米到7納米的加工上均有刻蝕應用已實現(xiàn)產業(yè)化,正在進行7納米、5納米部分刻蝕應用的客戶端驗證,產業(yè)融合情況良好。據(jù)了解,在目前全球可量產的最先進晶圓制造7納米生產線上,中微半導體是被驗證合格、實現(xiàn)銷售的全球五大刻蝕設備供應商之一,產品技術已走在世界前列。

MOCVD設備方面,中微半導體自2010年開始開發(fā)用于LED器件加工中最關鍵的設備MOCVD設備。目前中微半導體已開發(fā)了三代MOCVD設備,第一代設備Prismo D-Blue、第二代設備Prismo A7以及正在開發(fā)的第三代30英寸大尺寸設備。

客戶方面,中微半導體刻蝕設備的重要代表客戶包括臺積電、中芯國際、聯(lián)華電子、華力微電子、海力士、華邦電子、晶方科技、格羅方德、博世、意法半導體等國內外知名集成電路企業(yè),MOCVD設備也已被三安光電、華燦光電、乾照光電、璨揚光電等多家一流LED外延片及芯片制造廠商大批量采購。

極具競爭力的產品、優(yōu)質良好的客戶體系,助力中微半導體在產品產銷以及經營業(yè)績方面均呈現(xiàn)良好的成長性。數(shù)據(jù)顯示,2016-2018年中微半導體的總資產規(guī)模分別為10.79億元、22.76億元和35.33億元,營業(yè)收入分別為6.10億元、9.72億元和16.39億元,年均復合增長率達64%,資產規(guī)模與營收規(guī)模均快速增長。

其中,2016-2018年中微半導體刻蝕設備銷售收入分別為4.70億元、2.89億元、5.66億元,MOCVD設備銷售收入分別為0.16億元、5.30億元、8.32億元,MOCVD設備銷售收入占比明顯提升,兩大產品線現(xiàn)已呈現(xiàn)并駕齊驅之勢。截至2018年末,中微半導體累計已有1100多個反應臺服務于國內外40余條先進芯片生產線。

有待進一步搶占全球市場份額

中微半導體是我國半導體設備企業(yè)中極少數(shù)能與全球頂尖設備公司直接競爭并不斷擴大市場占有率的公司,是國際半導體設備產業(yè)界公認的后起之秀,從某種角度上看已很成功。但亦有業(yè)界人士提醒稱,目前中微半導體還只不過從國際巨頭的嘴里撕下來一小塊肉。

招股書顯示,在需求增長較快的刻蝕設備領域,行業(yè)集中度較高,泛林半導體占據(jù)刻蝕設備市場份額半壁江山。數(shù)據(jù)顯示,2017年全球刻蝕設備市場份額分別情況中,泛林半導體占比55%、京東電子占比20%、應用材料占比19%,前三大公司已占據(jù)94%的市場份額。

而報告期內,中微半導體所銷售的刻蝕設備以電容性刻蝕設備為主,其電容性刻蝕設備的全球市場份額占比約在1.4%。由此可見,雖然中微半導體的國產高端刻蝕設備在國際市場上已擁有一席之地,但在銷售規(guī)模和市場份額等方面仍與國際半導體設備巨頭有所差距。

不過值得一提的是,中微半導體列舉了中國國際招標網中近期公開招標的兩家國內知名存儲芯片制造企業(yè)和一家國內知名邏輯電路制造企業(yè)采購的刻蝕設備臺數(shù)訂單份額數(shù)據(jù),其在兩家存儲芯片制造企業(yè)中的刻蝕設備訂單份額(臺數(shù)占比)分別為15%、17%,在邏輯電路制造企業(yè)中的刻蝕設備訂單份額(臺數(shù)占比)為16%。

中微半導體表示,上述數(shù)據(jù)局部反映公司刻蝕設備在國內市場的占有率,公司刻蝕設備正在逐步打破國際領先企業(yè)在國內市場的壟斷。

至于MOCVD設備方面,中微半導體的全球市占率情況要好一些。招股書中引用相關數(shù)據(jù)顯示,2018年中微半導體的MOCVD設備占據(jù)全球氮化鎵基LED用MOCVD新增市場的41%,尤其2018年下半年更是占據(jù)了60%以上。2018年,中微半導體在全球氮化鎵基LED MOCVD設備市場占據(jù)主導地位。

但總體而言,中微半導體在仍有待進一步擴大銷售規(guī)模、搶占市場份額,面對技術的快速迭代、國際巨頭的虎視眈眈,中微半導體絲毫不能掉以輕心。所幸的是,全球半導體產能向中國大陸轉移以成大勢所趨,加上國家政府出臺扶持政策等,國產半導體設備行業(yè)迎來前所未有的發(fā)展契機,中微半導體亦有望借此契機快速成長。

如今登陸科創(chuàng)板,中微半導體將獲得更多資金以投入研發(fā),其在招股書中表示,將圍繞自身核心競爭力,通過自主創(chuàng)新、有機生長,結合適當?shù)募娌⑹召彍y試,不斷推動企業(yè)健康發(fā)展,力爭在未來十年內發(fā)展成為國際一流的半導體設備公司。對此,我們且拭目以待。

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