三星電子與SK海力士正在評估最快從本月起有序減產(chǎn)NAND Flash的方案。在半導(dǎo)體市況不景氣，庫存上漲的情況下，日本政府的核心材料出口限制雪上加霜后才不得已最終選擇苦肉計。

根據(jù)7月9日半導(dǎo)體業(yè)界資訊，三星電子和SK海力士在認(rèn)真評估今年下半年適合進(jìn)行NAND Flash大規(guī)模減產(chǎn)的時機(jī)。三星電子因半導(dǎo)體制程中應(yīng)用較廣的氟化氫供應(yīng)受限于日本后，計劃從虧損的NAND開始進(jìn)行減產(chǎn)。券商預(yù)測二季度三星電子的NAND虧損大約在3000億韓幣左右（約合人民幣17.5億元），而SK海力士也是從第一季度開始虧損數(shù)千億韓幣。半導(dǎo)體供應(yīng)商某企業(yè)代表表示：隨著日本出口限制戰(zhàn)線拉長，三星電子和SK海力士的NAND減產(chǎn)規(guī)模將繼續(xù)擴(kuò)大。

日本學(xué)習(xí)美國對華為的針對性打擊行為，三星最終只能選擇減產(chǎn)

分析認(rèn)為，三星電子和SK海力士正式著手進(jìn)行NAND Flash減產(chǎn)評估，主要是為了避免工廠停產(chǎn)這種極端狀況而做出的不得已選擇。因日本的“經(jīng)濟(jì)報復(fù)”引發(fā)的韓日緊張關(guān)系在政治、外交方面得到解決之前，通過下調(diào)收益較差的產(chǎn)線稼動率，盡量爭取時間。如果日本政府的半導(dǎo)體材料出口限制變?yōu)殚L期化，占比全球70%的三星電子和SK海力士的DRAM生產(chǎn)也將面臨危機(jī)。這也是購買DRAM和NAND Flash的全球企業(yè)關(guān)注事態(tài)發(fā)展的理由。

史無前例的減產(chǎn)，理由為何？

三星電子和SK海力士在4月一季度發(fā)布會時也透露過NAND 減產(chǎn)的可能性。三星電子副社長表示過“將進(jìn)行NAND產(chǎn)線優(yōu)化作業(yè)”，SK海力士副社長也講過“今年的NAND投產(chǎn)相較去年或?qū)p產(chǎn)10%以上”， 但當(dāng)時的條件是“根據(jù)市場狀況和庫存水平?jīng)Q定”，且兩家公司均認(rèn)為二季度末后半導(dǎo)體需求將逐漸復(fù)蘇，認(rèn)為與其大舉減產(chǎn)，不如承擔(dān)庫存壓力直到需求反彈。

但最大的意外發(fā)生，日本政府針對半導(dǎo)體顯示面板核心材料進(jìn)行出口限制。針對應(yīng)用領(lǐng)域較廣的高純度氟化氫、光阻（感光液）、氟化聚酰亞胺等3種材料進(jìn)行限制，韓國面臨斷供風(fēng)險。尤其蝕刻氣體的問題較為嚴(yán)峻。蝕刻氣體主要使用在半導(dǎo)體晶圓蝕刻和清洗制程。DRAM、NAND、Mobile AP等幾乎所有的半導(dǎo)體制造的制程上必備的就是蝕刻氣體。漢陽大學(xué)電子工學(xué)科教授評論：若蝕刻氣體庫存告急，企業(yè)只能按序停產(chǎn)以最小化傷害。減產(chǎn)是為了避免停產(chǎn)的極端事態(tài)的緩兵之策。

資料圖(圖片來源：互聯(lián)網(wǎng))

韓企減產(chǎn)NAND也是因生產(chǎn)越多，虧損更大。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS Markit，去年一季度NAND 為0.3美金/1GB的均價，今年一季度已經(jīng)跌至0.152美金水平，幾乎腰斬。而同期三星電子和SK海力士NAND制造成本為0.155~0.166/1GB，高出售價，導(dǎo)致今年二季度三星和海力士的NAND都是虧損數(shù)百億至數(shù)千億韓幣。業(yè)界認(rèn)為可謂是真正的雪上加霜。

美日或能從中受益

在半導(dǎo)體業(yè)界，世界排名第一的NAND Flash生產(chǎn)企業(yè)三星電子正在衡量減產(chǎn)時間和數(shù)量，這一點不容小視。因為在2008年至2009年半導(dǎo)體業(yè)界發(fā)生最后一場“懦夫博弈”時，三星電子并未人為地減少生產(chǎn)。實際上，三星和海力士若正式進(jìn)行減產(chǎn)時，對NAND Flash價格的沖擊應(yīng)該不小。去年，三星電子(38.5%)和SK海力士(11%)占比一半的NAND Flash市場。加上鎂光上個月將減產(chǎn)幅度從5%擴(kuò)大到10%。排名第二、第三的東芝和西部數(shù)據(jù)日本四日市合資廠上個月發(fā)生的停電事故后，稼動一直未能恢復(fù)正常。若日本出口限制長期化，三星和海力士減產(chǎn)DRAM時對市場的沖擊將是更大。去年三星電子(42.8%)和SK海力士(29.6%)在DRAM市場的占比為70%。首爾大學(xué)材料工學(xué)教授評論：韓國Memory產(chǎn)業(yè)減產(chǎn)導(dǎo)致DRAM和NAND價格暴漲時，鎂光、英特爾、東芝、TSMC等競爭對手將會受益。全球各國政府和企業(yè)都在關(guān)注日本政府出口限制的得失。

三星閃存將"報復(fù)性"漲價

受半導(dǎo)體材料限制出口影響，及東芝工廠停電事故。三星電子將借機(jī)帶頭調(diào)整NAND Flash閃存芯片的價格，幅度10%左右！

資料圖(圖片來源：互聯(lián)網(wǎng))

日方此番對韓實施半導(dǎo)體關(guān)鍵原材料的出口限制，著實讓近期韓國國內(nèi)各界人士操碎了心。不僅***文在寅多次放話日本，敦促取消對韓禁令，否則將采取進(jìn)一步措施加以應(yīng)對，就連一度風(fēng)光無限的韓國半導(dǎo)體巨頭三星“太子”李在镕也親赴日本，向Stella、JSR等日本半導(dǎo)體原料企業(yè)提議，希望能通過海外工廠提供貨源，并會見日本財經(jīng)界元老和有力企業(yè)人士協(xié)助斡旋。

但對于韓方各界的努力，日本方面卻并不買賬。據(jù)路透社報道，日本工業(yè)部長世耕弘成今日表態(tài)，日本“根本不考慮”取消對日本向韓國出口高科技產(chǎn)品的限制，并稱限制措施并未違反世界貿(mào)易組織的規(guī)定;

報導(dǎo)指出，因關(guān)于二戰(zhàn)強(qiáng)制征工問題，南韓端遲遲未針對日本政府的要求具體響應(yīng)，因此日本政府計劃藉由采取更為強(qiáng)硬的措施、迫使南韓當(dāng)局有所表示。只不過若真擴(kuò)大出口管制，勢將引起南韓端的強(qiáng)大反彈，恐讓雙方關(guān)系進(jìn)一步惡化，因此日本政府內(nèi)部也有應(yīng)「謹(jǐn)慎應(yīng)對」的聲音。

關(guān)于二戰(zhàn)時的強(qiáng)制征工問題，日本政府要求南韓政府應(yīng)基于 1965 年日韓建交時簽訂的「日韓請求權(quán)協(xié)議」設(shè)置仲裁委員會，只不過南韓政府迄今仍未就解決上述問題一事有任何具體響應(yīng)。

據(jù)報道，日本對韓限制出口后，三星電子副會長李在镕為此親赴日本，李在镕向Stella、JSR等日本半導(dǎo)體原料企業(yè)提議，希望能通過海外工廠提供貨源，但日本企業(yè)反應(yīng)消極。

韓媒《MBC》報道指出，李在镕在沒有隨行的狀況下，獨自進(jìn)入日本，一路拒絕回答媒體提問。對此三星電子官方回應(yīng)，半導(dǎo)體核心材料的供求情況比預(yù)想嚴(yán)重。業(yè)界更有傳聞，三星庫存只夠使用數(shù)天！