在本周于舊金山舉辦的SEMICON West大會上，英特爾的工程技術專家們介紹了英特爾先進封裝技術的最新信息，并推出了一系列全新基礎工具，包括將EMIB和Foveros技術相結合的創(chuàng)新應用，以及全新的全方位互連（ODI， Omni-Directional Interconnect）技術。英特爾的全新封裝技術將與其世界級制程工藝相結合，助力客戶釋放創(chuàng)新力，走向計算新時代。

英特爾公司集團副總裁兼封裝測試技術開發(fā)部門總經理Babak Sabi表示：“我們的愿景是利用先進技術將芯片和小芯片封裝在一起，達到單晶片系統(tǒng)級芯片的性能。異構集成技術為我們的芯片架構師提供了前所未有的靈活性，使之能夠在新的多元化模塊中將各種IP和制程技術與不同的內存和I/O單元混搭起來。英特爾的垂直集成結構在異構集成的時代獨具優(yōu)勢，它賦予了我們無與倫比的強大能力，讓我們能夠對架構、制程和封裝同時進行優(yōu)化，從而交付領先的產品?！?/p>

芯片封裝在電子供應鏈中看似不起眼，卻一直發(fā)揮關鍵作用。作為處理器和主板之間的物理接口，封裝為芯片的電信號和電源提供了一個著陸區(qū)。隨著電子行業(yè)正在邁向以數(shù)據(jù)為中心的時代，先進封裝將比過去發(fā)揮更重大的作用。

封裝不僅僅是制造過程的最后一步，它正在成為產品創(chuàng)新的催化劑。先進的封裝技術能夠集成多種制程工藝的計算引擎，實現(xiàn)類似于單晶片的性能，但其平臺范圍遠遠超過單晶片集成的晶片尺寸限制。這些技術將大大提高產品級性能和功效，縮小面積，同時對系統(tǒng)架構進行全面改造。

作為先進封裝技術的領導者，英特爾能夠同時提供2D和3D封裝技術。在SEMICON West大會上，英特爾分享了三項全新技術，將為芯片產品架構開啟一個全新維度。

Co-EMIB：英特爾的EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）2D封裝 和 Foveros 3D封裝技術利用高密度的互連技術，實現(xiàn)高帶寬、低功耗，并實現(xiàn)相當有競爭力的I/O密度。而英特爾的全新Co-EMIB技術能將更高的計算性能和能力連接起來。Co-EMIB能夠讓兩個或多個Foveros元件互連，基本達到單晶片性能。設計師們還能夠以非常高的帶寬和非常低的功耗連接模擬器、內存和其他模塊。

ODI：英特爾的全新全方位互連技術（ODI）為封裝中小芯片之間的全方位互連通信提供了更大的靈活性。頂部芯片可以像EMIB技術下一樣與其他小芯片進行水平通信，同時還可以像Foveros技術下一樣，通過硅通孔（TSV）與下面的底部裸片進行垂直通信。ODI利用大的垂直通孔直接從封裝基板向頂部裸片供電，這種大通孔比傳統(tǒng)的硅通孔大得多，其電阻更低，因而可提供更穩(wěn)定的電力傳輸，同時通過堆疊實現(xiàn)更高帶寬和更低時延。同時，這種方法減少了基底晶片中所需的硅通孔數(shù)量，為有源晶體管釋放了更多的面積，并優(yōu)化了裸片的尺寸。

MDIO：基于其高級接口總線（AIB）物理層互連技術，英特爾發(fā)布了一項名為MDIO的全新裸片間接口技術。MDIO技術支持對小芯片IP模塊庫的模塊化系統(tǒng)設計，能夠提供更高能效，實現(xiàn)AIB技術兩倍以上的響應速度和帶寬密度。

這些全新技術共同擴充了英特爾強大的工具箱。它們將與英特爾的制程技術相結合，成為芯片架構師的創(chuàng)意調色板，讓他們能夠自由設計出創(chuàng)新產品。