動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-06-21 08:33

  多相電機的奇妙世界(1)：從三相到多相的跨越

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自華中科技大學劉自程、王光宇、朱榮培、蔣棟、羅翔宇、包木建、朱梓豪等投稿。1從三相到多相的跨越——電機系統(tǒng)的技術進步之路交流電機，作為現(xiàn)代工業(yè)的“心臟”，已逐漸成為支撐國民經(jīng)濟發(fā)展和國防重要裝備建設的關鍵與核心。在現(xiàn)代社會，大至國之重器的“上天入地”，小至日常生活的“衣食住行”，處處都能看見交流電機的身影。電機系

  交流電機 多相電機 電機系統(tǒng)

  158瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-06-20 17:10

  招生通知｜第二期 IGBT模塊：技術、驅動和應用培訓班

  

  對于每一位從事電力電子技術的工程師來說，功率半導體，包括二極管和三極管，雖然其基本功能看似簡單，但要真正掌握并駕馭其特性卻是一項極具挑戰(zhàn)性的工作。IGBT作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心元件，其性能直接影響到系統(tǒng)的效率和可靠性。然而，IGBT的高頻、高壓工作特性和對驅動電路的復雜要求，使得許多工程師在實際應用中面臨諸多挑戰(zhàn)：精確控制：IGBT的開關速度和損耗管理需

  IGBT 功率半導體

  237瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-06-19 17:05

  新品 | 采用CoolSiC™ 400V SiC MOSFET的ANPC三電平虛擬評估板

  

  新品采用CoolSiC400VSiCMOSFET的ANPC三電平虛擬評估板該虛擬設計（提供設計文件，不提供實物產(chǎn)品）為3L-ANPC拓撲，是帶隔離的三相三電平逆變器板。優(yōu)化的PCB布局最大限度地減少了換流回路電感，降低了開關損耗和電壓過沖。該設計是工程師和研究人員實驗、驗證和優(yōu)化工業(yè)電機驅動器和光伏組串逆變器3L-ANPC系統(tǒng)的理想選擇。產(chǎn)品型號：■EVAL

  MOSFET SiC 評估板

  538瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-06-18 17:49

  2025 OktoberTech™精彩回顧二： 新能源與工業(yè)應用大咖齊聚，共同奏響產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新“交響曲”

  

  近日，英飛凌在上海舉辦的2025OktoberTech大中華區(qū)生態(tài)創(chuàng)新峰會在上海順利落下帷幕。來自新能源和工業(yè)應用領域的多位重磅級演講嘉賓分享主題演講，共同探討在中國速度及產(chǎn)業(yè)挑戰(zhàn)背景下，如何通過跨界合作培育本土創(chuàng)新生態(tài)體系，合力推動科技創(chuàng)新，促進產(chǎn)業(yè)的智能化、綠色化和融合化發(fā)展，攜手共創(chuàng)數(shù)字低碳未來。鄭大為先生伊頓電氣亞太區(qū)電能質(zhì)量研發(fā)副總裁伊頓電氣亞太區(qū)

  工業(yè) 新能源 英飛凌

  574瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-06-17 17:58

  2025 OktoberTech™精彩回顧一： CoolSiC™碳化硅新品發(fā)布， 性能指標領跑全行業(yè)

  

  近日，英飛凌在上海舉辦的2025OktoberTech大中華區(qū)生態(tài)創(chuàng)新峰會在上海順利落下帷幕。本次活動中，英飛凌推出多款CoolSiC碳化硅重磅新產(chǎn)品，憑借卓越的性能指標和創(chuàng)新封裝設計，繼續(xù)全面領跑半導體行業(yè)，為電力電子系統(tǒng)的高效、可靠運行提供了強有力的支

  SiC 碳化硅 英飛凌

  615瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-06-16 17:34

  CoolSiC™ MOSFET G2導通特性解析

  

  上一篇我們介紹了英飛凌CoolSiCMOSFETG2的產(chǎn)品特性（參考文章：CoolSiCMOSFETG2性能綜述）。那么在實際應用中，G2如何進行正確的選型呢？接下來兩篇文章會和大家仔細探討這個問題。今天的文章將會主要聚集在G2的導通特性上。在MOSFET設計選型過程中，工程師往往會以MOSFET常溫下漏源極導通電阻RDS(on)作為第一評價要素。RDS(o

  MOSFET SiC 英飛凌

  179瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-06-14 10:00

  探索吉他音色與效果器的奇妙世界（3）- 時延和哇音效果器

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自上海科技大學李晨曦的投稿。時延類效果器如果失真類效果器是拿信號的幅值開刀，那么時延類效果器則是在信號的時域特性上做文章。根據(jù)原理的不同，可以將時延類效果器大致分為兩類，混響、延遲。1混響(Reverb)混響效果器旨在模擬大型音樂廳中的混響效果，混響效果器能夠為音頻信號增添情感和氛圍，使得聲音聽起來更加宏大、夢幻

  效果器 時延 電吉他

  203瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-06-12 17:33

  新品 | 用于CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的雙脈沖測試評估板

  

  新品用于CoolSiCMOSFETFF6MR20W2M1H_B70的雙脈沖測試評估板評估板是用于評估采用1ED3890MC12M柵極驅動器的FF6MR20W2M1H_B70CoolSiCSiCMOSFET模塊。用戶可以通過雙脈沖測試來評估器件性能。目標應用為電動汽車充電，ESSPFC，直流-直流變換器和太陽能等。這是一個用于測試半橋配置的2kVCoolSiC

  MOSFET 測試 評估板

  580瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-06-10 17:06

  新品 | 英飛凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模塊

  

  新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半橋模塊，增強型1代M1H芯片、集成NTC溫度傳感器和PressFIT引腳，還可提供預涂導熱材料TIM版本(FF1MR12MM1HP_B11)或基板背面的Wave波浪結構，用于直接液體冷卻(FF1MR12

  MOSFET SiC 英飛凌

  600瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-06-09 17:45

  CoolSiC™ MOSFET Gen2性能綜述

  

  英飛凌新發(fā)布了CoolSiCMOSFETGen2系列產(chǎn)品，單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的CoolSiCMOSFET650V和1200VGen2技術在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，進一步提升了MOSFET的主要性能指標，擁有更高的效率和功率密度。Gen2SiC性價比提高了15%，是各種

  MOSFET SiC 英飛凌

  576瀏覽量