chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新品 | 英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? SiC MOSFET 1200V模塊

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2025-06-10 17:06 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新品

英飛凌EconoDUAL 3 CoolSiC

SiC MOSFET 1200V模塊

2c6222a6-45da-11f0-986f-92fbcf53809c.jpg2c78d87a-45da-11f0-986f-92fbcf53809c.png


英飛凌EconoDUAL 3 1200V/1.4mΩ CoolSiC SiC MOSFET半橋模塊,增強型1代M1H芯片、集成NTC溫度傳感器和PressFIT引腳,還可提供預(yù)涂導(dǎo)熱材料TIM版本(FF1MR12MM1HP_B11)或基板背面的Wave波浪結(jié)構(gòu),用于直接液體冷卻(FF1MR12MM1HW_B11)。目標(biāo)應(yīng)用為儲能系統(tǒng),通用電機驅(qū)動器,不間斷電源(UPS),電動汽車充電等。


產(chǎn)品型號:

FF1MR12MM1H_B11

PressFIT引腳

FF1MR12MM1HP_B11

PressFIT引腳,預(yù)涂TIM導(dǎo)熱材料

FF1MR12MM1HW_B11

Wave直接水冷

2c939034-45da-11f0-986f-92fbcf53809c.gif


產(chǎn)品特點

開關(guān)損耗低

卓越的柵極氧化物可靠性

更高的柵極閾值電壓

更高的功率輸出

堅固耐用的集成體二極管

高宇宙射線穩(wěn)健性

高速開關(guān)模塊

Tvj(op)=175°C過載

PressFIT引腳

螺母功率端子

集成NTC溫度傳感器

隔離基板

應(yīng)用價值


開關(guān)頻率高

減少體積和尺寸

降低系統(tǒng)成本

熱效率高


競爭優(yōu)勢


高開關(guān)頻率(>7kHz)

針對高速電機進行了優(yōu)化


應(yīng)用領(lǐng)域


商用車輛、工程車輛和農(nóng)用車輛(CAV)

儲能系統(tǒng)

通用電機驅(qū)動器-變頻和變壓

暖通空調(diào)

電機控制

不間斷電源(UPS)

電動汽車充電

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    2437

    瀏覽量

    142265
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    9358

    瀏覽量

    229305
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3469

    瀏覽量

    67991
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? MOSFET 1200V模塊榮獲2025全球電子成就獎

    11月25日,英飛凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模塊榮獲2025年全球電子成就獎(WorldElectronicsAchievementAwards)年度功率半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 11-26 09:32 ?348次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>EconoDUAL</b>? <b class='flag-5'>3</b> <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>1200V</b><b class='flag-5'>模塊</b>榮獲2025全球電子成就獎

    新品 | 采用.XT擴散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列

    新品采用.XT擴散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三電平模塊、EasyPACK2C1200
    的頭像 發(fā)表于 11-24 17:05 ?986次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用.XT擴散焊和第二代<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>的Easy C系列

    基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

    基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊,產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎(chǔ)上,通過創(chuàng)新的
    的頭像 發(fā)表于 09-15 16:53 ?843次閱讀
    基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>1200V</b>工業(yè)級碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>半橋<b class='flag-5'>模塊</b>Pcore 2系列介紹

    派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢

    1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件,具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性,專為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET,
    的頭像 發(fā)表于 09-03 11:29 ?914次閱讀

    加速落地主驅(qū)逆變器,三安光電1200V 13mΩ SiC MOSFET完成驗證

    ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日,三安光電在投資者平臺上表示,其主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ,在國內(nèi)頭部電動車企客戶處的摸底
    的頭像 發(fā)表于 08-10 03:18 ?7995次閱讀

    新品 | 針對車載充電和電動汽車應(yīng)用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和硅基模塊

    新品針對車載充電和電動汽車應(yīng)用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模塊英飛凌推出針對車載充電和電動汽車應(yīng)用的EasyPACK2B模塊
    的頭像 發(fā)表于 07-31 17:04 ?744次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 針對車載充電和電動汽車應(yīng)用的EasyPACK? <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>1200V</b>和硅基<b class='flag-5'>模塊</b>

    瞻芯電子第31200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用

    近期,中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開發(fā)的首批第31200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品,憑借
    的頭像 發(fā)表于 07-16 14:08 ?884次閱讀
    瞻芯電子第<b class='flag-5'>3</b>代<b class='flag-5'>1200V</b> 35mΩ <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>量產(chǎn)交付應(yīng)用

    基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析

    從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析,中國SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 06-19 17:02 ?630次閱讀
    基本股份B<b class='flag-5'>3</b>M013C120Z(碳化硅<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>)的產(chǎn)品力分析

    新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET

    新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VSiCMOSFET單管,專為各種工業(yè)應(yīng)用開發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 05-29 17:04 ?967次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>1200V</b> G2 <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品

    新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品,專為各種工業(yè)應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 05-27 17:03 ?1134次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用頂部散熱QDPAK的<b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>1200V</b> G2 <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>半橋產(chǎn)品

    聞泰科技推出車規(guī)級1200V SiC MOSFET

    ,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)近期推出領(lǐng)先行業(yè)的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200V SiC MOSFET,為電動汽車行業(yè)注入強勁新動能。
    的頭像 發(fā)表于 05-14 17:55 ?933次閱讀

    新品 | 半橋1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊

    新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ半橋
    的頭像 發(fā)表于 04-17 17:05 ?715次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 半橋<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>CoolSiC</b>? <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>EconoDUAL</b>? <b class='flag-5'>3</b><b class='flag-5'>模塊</b>

    Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

    Nexperia(安世半導(dǎo)體)正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
    的頭像 發(fā)表于 03-21 10:11 ?1097次閱讀

    英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

    英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代Co
    的頭像 發(fā)表于 03-15 18:56 ?1021次閱讀

    三菱電機1200VSiC MOSFET技術(shù)解析

    1200VSiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前,1200V
    的頭像 發(fā)表于 12-04 10:50 ?2438次閱讀
    三菱電機<b class='flag-5'>1200V</b>級<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>技術(shù)解析