新品
英飛凌EconoDUAL 3 CoolSiC
SiC MOSFET 1200V模塊


英飛凌EconoDUAL 3 1200V/1.4mΩ CoolSiC SiC MOSFET半橋模塊,增強型1代M1H芯片、集成NTC溫度傳感器和PressFIT引腳,還可提供預(yù)涂導(dǎo)熱材料TIM版本(FF1MR12MM1HP_B11)或基板背面的Wave波浪結(jié)構(gòu),用于直接液體冷卻(FF1MR12MM1HW_B11)。目標(biāo)應(yīng)用為儲能系統(tǒng),通用電機驅(qū)動器,不間斷電源(UPS),電動汽車充電等。
產(chǎn)品型號:
■FF1MR12MM1H_B11
PressFIT引腳
■FF1MR12MM1HP_B11
PressFIT引腳,預(yù)涂TIM導(dǎo)熱材料
■FF1MR12MM1HW_B11
Wave直接水冷

產(chǎn)品特點
開關(guān)損耗低
卓越的柵極氧化物可靠性
更高的柵極閾值電壓
更高的功率輸出
堅固耐用的集成體二極管
高宇宙射線穩(wěn)健性
高速開關(guān)模塊
Tvj(op)=175°C過載
PressFIT引腳
螺母功率端子
集成NTC溫度傳感器
隔離基板
應(yīng)用價值
開關(guān)頻率高
減少體積和尺寸
降低系統(tǒng)成本
熱效率高
競爭優(yōu)勢
高開關(guān)頻率(>7kHz)
針對高速電機進行了優(yōu)化
應(yīng)用領(lǐng)域
商用車輛、工程車輛和農(nóng)用車輛(CAV)
儲能系統(tǒng)
通用電機驅(qū)動器-變頻和變壓
暖通空調(diào)
不間斷電源(UPS)
電動汽車充電
-
英飛凌
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
2437瀏覽量
142265 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
150文章
9358瀏覽量
229305 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3469瀏覽量
67991
發(fā)布評論請先 登錄
英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? MOSFET 1200V模塊榮獲2025全球電子成就獎
新品 | 采用.XT擴散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列
基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹
派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢
加速落地主驅(qū)逆變器,三安光電1200V 13mΩ SiC MOSFET完成驗證
新品 | 針對車載充電和電動汽車應(yīng)用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和硅基模塊
瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用
基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析
新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET
新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品
聞泰科技推出車規(guī)級1200V SiC MOSFET
新品 | 半橋1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊
Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET
英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離
三菱電機1200V級SiC MOSFET技術(shù)解析

新品 | 英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? SiC MOSFET 1200V模塊
評論