動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-04-28 11:27
浮思特 | SiC技術(shù)2025：突破性進(jìn)展與產(chǎn)業(yè)變革
隨著電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源系統(tǒng)和高性能計(jì)算等新興技術(shù)將傳統(tǒng)硅技術(shù)推向極限，材料科學(xué)正在不斷發(fā)展以滿足新的性能需求。功率半導(dǎo)體技術(shù)面臨著在多樣化嚴(yán)苛應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高電壓運(yùn)行、更優(yōu)熱管理和更高能效的壓力。圖12024年，碳化硅功率電子領(lǐng)域取得多項(xiàng)重大進(jìn)展，這一趨勢(shì)持續(xù)至2025年。Soitec的工程化碳化硅基板在電子行業(yè)中，MOSFET、IGBT和肖特基二極管等開(kāi)關(guān)1.2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-04-25 11:39
SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模塊：高效能、超快開(kāi)關(guān)與卓越熱管理
近日，半導(dǎo)體技術(shù)公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術(shù)的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的共封裝設(shè)計(jì)，具備更快的開(kāi)關(guān)速度、更低的導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)損耗，適用于太陽(yáng)能逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)充電以及高效服務(wù)器電源等高性能電力電子應(yīng)用。SemiQ此次發(fā)布的SiCMOSFET模塊采用優(yōu)化的芯片設(shè)計(jì)，相比前代產(chǎn)品，芯片尺寸更小 -
發(fā)布了文章 2025-04-25 11:34
浮思特 | 從硅基到寬禁帶：逆變器功率器件的代際跨越與選型策略
近年來(lái)，電力電子技術(shù)取得了重大進(jìn)展。從電動(dòng)汽車(chē)到可再生能源系統(tǒng)，逆變器在直流電轉(zhuǎn)換為交流電的過(guò)程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。傳統(tǒng)上，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等硅基功率器件因其可靠性和成熟的制造體系，長(zhǎng)期主導(dǎo)著逆變器設(shè)計(jì)領(lǐng)域。然而，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件的出現(xiàn)正在重塑行業(yè)格局。這些器件具有更高效率、更大功率密度、更快開(kāi)關(guān)頻率和更 -
發(fā)布了文章 2025-04-24 11:33
韓國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體出口銳減23.5%，貿(mào)易逆差現(xiàn)象引發(fā)關(guān)注
根據(jù)韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部發(fā)布的最新數(shù)據(jù)顯示，今年第一季度，韓國(guó)對(duì)華出口總額達(dá)288億美元，其中半導(dǎo)體出口額為137.3億美元，占對(duì)華出口總額的47%。然而，令人關(guān)注的是，韓國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體出口額較去年同期的179.4億美元下降了23.5%。這一趨勢(shì)引發(fā)了廣泛的關(guān)注，也暴露出中韓貿(mào)易關(guān)系中的新動(dòng)向。對(duì)于半導(dǎo)體出口的顯著下降，分析人士指出，主要有兩個(gè)方面的原因。首先，739瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-04-24 11:32
合成金剛石在半導(dǎo)體與量子領(lǐng)域的突破性應(yīng)用
合成金剛石因其在多種應(yīng)用中提供極致性能的卓越能力，被譽(yù)為"超級(jí)材料"。其獨(dú)特屬性可深刻改變工藝流程和終端產(chǎn)品性能，適用于半導(dǎo)體、傳感器和光學(xué)等廣泛領(lǐng)域。卓越特性與應(yīng)用價(jià)值電子工業(yè)主要采用化學(xué)氣相沉積(CVD)法培育的合成金剛石。其碳原子以密集四面體結(jié)構(gòu)排列的分子結(jié)構(gòu)，賦予了無(wú)與倫比的強(qiáng)度與硬度。核心特性包括：·寬光譜透光性·超高導(dǎo)熱率·寬電子帶隙·優(yōu)異抗熱震 -
發(fā)布了文章 2025-04-23 11:36
寬帶隙WBG功率晶體管的性能測(cè)試與挑戰(zhàn)
功率電子技術(shù)的快速發(fā)展，得益于寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料的進(jìn)步，尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比，這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導(dǎo)率和更快的開(kāi)關(guān)速度。這些特性使得功率晶體管的性能得到了顯著提升，開(kāi)啟了更高效率和更快動(dòng)態(tài)響應(yīng)的可能性。寬帶隙晶體管在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中扮演著關(guān)鍵角色，包括開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、逆變器和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器，因?yàn)?618瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-04-22 11:35
氮化鎵技術(shù)驅(qū)動(dòng)的高效逆變器設(shè)計(jì)：硅與GaN器件的比較分析
通過(guò)重新設(shè)計(jì)基于氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案，DRS優(yōu)化的車(chē)輛逆變器性能使開(kāi)關(guān)頻率提高了四倍，減少了體積和重量，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了98.5%的效率。在DRS，我們?cè)O(shè)定了一個(gè)目標(biāo)，即設(shè)計(jì)出改進(jìn)版的2kVI車(chē)輛逆變器。在開(kāi)發(fā)過(guò)程中，我們比較了基于硅的IGBT和MOSFET解決方案與最近出現(xiàn)的常關(guān)型E-HEMTGaN器件的性能。本 -
發(fā)布了文章 2025-04-21 11:57
上汽英飛凌無(wú)錫擴(kuò)建功率半導(dǎo)體項(xiàng)目 投資3.1億元提升產(chǎn)能！
近日，上汽英飛凌汽車(chē)功率半導(dǎo)體(上海)有限公司發(fā)布了關(guān)于其無(wú)錫擴(kuò)建功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)線項(xiàng)目的環(huán)境影響評(píng)價(jià)(環(huán)評(píng))公告。該項(xiàng)目的總投資額達(dá)到3.1億元人民幣，計(jì)劃選址于無(wú)錫分公司，旨在進(jìn)一步提升其生產(chǎn)能力，以滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。隨著全球汽車(chē)行業(yè)的快速發(fā)展，尤其是電動(dòng)汽車(chē)和智能汽車(chē)的崛起，對(duì)功率半導(dǎo)體的需求顯著增加。功率半導(dǎo)體是電動(dòng)車(chē)和混合動(dòng)力車(chē)中的重要組成部642瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-04-21 11:56
霍爾效應(yīng)電流傳感技術(shù)：開(kāi)環(huán)與閉環(huán)系統(tǒng)的比較與應(yīng)用
電流傳感器廣泛應(yīng)用于各種場(chǎng)合。常見(jiàn)的技術(shù)是電阻式電流傳感，即測(cè)量分流電阻上的電壓降來(lái)確定未知電流?；诜至麟娮璧慕鉀Q方案不提供電氣隔離，并且在測(cè)量大電流時(shí)功率效率較低。另一種廣泛使用的技術(shù)基于霍爾效應(yīng)。霍爾效應(yīng)電流傳感器由于其傳感器與待測(cè)電流之間的電氣隔離，提供了更高的安全性。它還避免了電阻式電流傳感方法中使用的分流電阻產(chǎn)生的高功耗。在本文中，我們將了解霍爾785瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-04-18 11:48
臺(tái)積電2025年第一季度財(cái)報(bào)出爐：營(yíng)收利潤(rùn)略有下滑但同比大幅增長(zhǎng)
在剛剛結(jié)束的法說(shuō)會(huì)上，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電公布了2025年第一季度的財(cái)務(wù)報(bào)告。盡管該季度的營(yíng)收和利潤(rùn)環(huán)比略有下滑，但同比數(shù)據(jù)則顯示出顯著的增長(zhǎng)，整體表現(xiàn)符合市場(chǎng)預(yù)期。根據(jù)臺(tái)積電的財(cái)報(bào)，第一季度的總營(yíng)收和利潤(rùn)較上一季度有所下降，這是由于市場(chǎng)需求的季節(jié)性波動(dòng)和全球經(jīng)濟(jì)環(huán)境的影響。然而，與2024年第一季度相比，營(yíng)收和利潤(rùn)均有大幅度提升，這表明公司在整體
