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發(fā)布了文章 2025-04-09 10:57
氮化鎵單片雙向開關(guān):電力電子技術(shù)的下一代突破
單片雙向開關(guān)(BDS)被業(yè)界視為電力電子性能實現(xiàn)跨越式發(fā)展的關(guān)鍵推動者?;跈M向氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的技術(shù)具有獨特優(yōu)勢,可有效應用于BDS器件開發(fā)。本文將概述BDS的應用場景,并重點介紹即將實現(xiàn)商業(yè)化的新一代GaNBDS器件系列。雙向開關(guān)應用解析傳統(tǒng)MOSFET或IGBT開關(guān)通常僅具備正向?qū)ㄅc反向阻斷功能。雖然通過MOSFET體二729瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-04-09 10:55
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發(fā)布了文章 2025-03-24 11:36
浮思特 | 創(chuàng)新互補模型:提升功率電子轉(zhuǎn)換器設(shè)計與仿真的新方法
功率電子轉(zhuǎn)換器可以視為由分段線性元件(傳統(tǒng)元件如電阻、電感和電容是特例)與電壓源、電流源、二極管和電子開關(guān)(如晶閘管、晶體管、MOSFET等)組成。在此背景下,我們將電子設(shè)備(ED)定義為任何具有分段線性電流-電壓特性的電氣或電子元件,盡管這可能是一個不太精確的術(shù)語。在許多實際情況下,電子設(shè)備可以建模為一個可變電阻,其在導通狀態(tài)下的值非常低,而在阻斷狀態(tài)下的402瀏覽量