動態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-07-02 09:52
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發(fā)布了文章 2025-07-02 09:47
浮思特 | IGBT與MOSFET哪種才是最有效的電力開關(guān)解決方案
電子設(shè)備正逐漸融入越來越多的產(chǎn)品中。無論產(chǎn)品是便攜式還是固定式,大多數(shù)電子設(shè)備都需要高效地將電能(或開關(guān))從一種形式轉(zhuǎn)換為另一種形式。為此,采用了電力電子技術(shù),供應(yīng)商們開發(fā)了豐富的開關(guān)器件供各種應(yīng)用選擇。如今電力電子的趨勢是使用半導(dǎo)體開關(guān)器件來整流、切換和控制電壓和電流。隨著二極管、晶閘管、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(I2.6k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-07-01 10:15
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發(fā)布了文章 2025-07-01 10:13
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發(fā)布了文章 2025-06-30 11:02
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發(fā)布了文章 2025-06-30 11:01
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發(fā)布了文章 2025-06-25 10:26
浮思特 | 一文讀懂何為超結(jié)MOSFET (Super Junction MOSFET)
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,突破硅材料的物理極限一直是工程師們的終極挑戰(zhàn)。隨著電力電子設(shè)備向高壓、高效方向快速發(fā)展,傳統(tǒng)MOSFET結(jié)構(gòu)已逐漸觸及性能天花板。本文將深入解析超結(jié)MOSFET技術(shù)如何通過創(chuàng)新的縱向電荷補償機制,成功打破存在數(shù)十年的"硅極限"定律。硅極限(SiliconLimit)?在功率MOSFET領(lǐng)域,存在著一個被稱為“硅極限”(理論極限)的瓶頸。其核1.9k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-06-24 09:57
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發(fā)布了文章 2025-06-24 09:56
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發(fā)布了文章 2025-06-20 10:01