動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2024-11-27 11:33
下一代光伏優(yōu)化器采用eGaN FET和專(zhuān)用ASIC控制器
低功率商業(yè)和住宅光伏系統(tǒng)主要有兩種配置。第一種配置是微型逆變器，在每個(gè)安裝的面板上使用一個(gè)逆變器，確保每個(gè)面板都能充分發(fā)揮其能源潛力。第二種配置是串聯(lián)逆變器，它將多個(gè)面板連接在一起，并接入一個(gè)中心逆變器。然而，當(dāng)一個(gè)或多個(gè)面板被遮擋時(shí)，這種設(shè)置在能量收集方面表現(xiàn)不佳。為了解決這個(gè)問(wèn)題，出現(xiàn)了一種創(chuàng)新的增強(qiáng)解決方案：優(yōu)化器。這是一種優(yōu)化每個(gè)面板能量收集的電力模 -
發(fā)布了文章 2024-11-26 11:19
意法半導(dǎo)體2024年業(yè)績(jī)報(bào)告,前九月MCU銷(xiāo)量大幅下滑
近日，意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)公布了其2024年前九個(gè)月的業(yè)績(jī)報(bào)告，數(shù)據(jù)顯示，其微控制器(MCU)銷(xiāo)量同比下降了41.3%，僅為25.8億美元，遠(yuǎn)低于2023年同期的44億美元。這一顯著的下滑引發(fā)了行業(yè)的關(guān)注，尤其是在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇的背景下。在巴黎舉行的資本市場(chǎng)日上，ST公司首席執(zhí)行官RemiEl-Ouazzane對(duì)業(yè)績(jī)下滑760瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-11-26 11:17
提升電力電子效率：功率MOSFET的應(yīng)用與選擇指南
現(xiàn)代電子應(yīng)用需要高開(kāi)關(guān)頻率以實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的高效率。功率MOSFET是電力密集型應(yīng)用中的重要組成部分。它們具有相對(duì)較低的門(mén)電荷，使其非常適合中高功率的應(yīng)用場(chǎng)景。這種較低的門(mén)電荷減少了驅(qū)動(dòng)電流的要求，從而能夠?qū)崿F(xiàn)高頻率和更高的效率。本文探討了中功率MOSFET在各種應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)、局限性及選擇時(shí)的考慮因素。功率MOSFET在電子應(yīng)用中的角色功率MOSFET通常根據(jù)其擊 -
發(fā)布了文章 2024-11-25 11:38
第三季度IC銷(xiāo)售額增長(zhǎng)12%，AI投資驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體市場(chǎng)復(fù)蘇
近日，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)發(fā)布了其最新的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)報(bào)告，顯示2024年第三季度集成電路(IC)的銷(xiāo)售額相比于上個(gè)季度實(shí)現(xiàn)了12%的顯著增長(zhǎng)。這一增長(zhǎng)主要受到人工智能(AI)資料中心投資需求強(qiáng)勁的推動(dòng)，反映出市場(chǎng)對(duì)高性能計(jì)算和數(shù)據(jù)處理能力的持續(xù)關(guān)注。報(bào)告指出，AI技術(shù)的快速發(fā)展及其在各行業(yè)的廣泛應(yīng)用，極大地推動(dòng)了對(duì)IC的需求。隨著越來(lái)越多的企業(yè)開(kāi)始將 -
發(fā)布了文章 2024-11-25 11:35
如何通過(guò)建模與仿真提升電力電子組件的設(shè)計(jì)與性能?
建模過(guò)程被稱(chēng)為建模，而仿真被定義為使用模型研究實(shí)際或理論系統(tǒng)的行為和性能的過(guò)程。在仿真中，模型可以用于研究系統(tǒng)的現(xiàn)有或擬議特性。對(duì)于大型互聯(lián)系統(tǒng)的仿真，建模方法被證明是非常有效的。這篇文章介紹了解電力電子組件建模與仿真的基礎(chǔ)知識(shí)，以及建模與仿真工作中的優(yōu)缺點(diǎn)。圖1建模與仿真的概述建模與仿真概念涉及使用模型作為仿真的基礎(chǔ)，以開(kāi)發(fā)用于決策的數(shù)據(jù)，這些數(shù)據(jù)涉及技術(shù) -
發(fā)布了文章 2024-11-06 11:58
Nexperia與科世達(dá)達(dá)成合作 共同推進(jìn)汽車(chē)應(yīng)用寬帶隙器件的生產(chǎn)
近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司Nexperia宣布與知名汽車(chē)供應(yīng)商科世達(dá)(KOSTAL)建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。這一合作將專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)符合汽車(chē)行業(yè)嚴(yán)格規(guī)范的寬帶隙(WBG)電力電子器件，特別是針對(duì)電動(dòng)汽車(chē)(EV)車(chē)載充電器(OBC)的應(yīng)用需求。該合作不僅展現(xiàn)了兩家公司的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)前瞻性，同時(shí)也為電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)的可持續(xù)發(fā)展提供了強(qiáng)有力的支持。隨著全球環(huán)境問(wèn)題日 -
發(fā)布了文章 2024-11-06 11:55
浮思特 | 第四代場(chǎng)阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能
由于其低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)能量損耗，IGBT廣泛應(yīng)用于高功率應(yīng)用領(lǐng)域，如電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器和電動(dòng)汽車(chē)等。對(duì)更先進(jìn)功率器件的需求促使了新型硅基開(kāi)發(fā)及寬禁帶材料開(kāi)發(fā)的努力，以實(shí)現(xiàn)超越硅的理想特性。從MOS柵極的高電子注入效率是必需的為了將IGBT硅材料推向極限，需要從MOS柵極實(shí)現(xiàn)極高的電子注入效率，同時(shí)孔載流子注入應(yīng)僅限于對(duì)導(dǎo)電調(diào)制的貢獻(xiàn)水平。對(duì)于Fairchi -
發(fā)布了文章 2024-11-05 11:18
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發(fā)布了文章 2024-11-05 11:16
如何設(shè)計(jì) IGBT 和 SiC FET 驅(qū)動(dòng)電路以防止誤觸發(fā)？
在設(shè)計(jì)IGBT或SiCFET橋接電路時(shí)，門(mén)驅(qū)動(dòng)電路的正確設(shè)計(jì)與選擇晶體管同樣重要，以確保高可靠性。對(duì)環(huán)境的關(guān)注是可再生能源、智能工業(yè)和電動(dòng)出行等趨勢(shì)背后的主要推動(dòng)力。這些趨勢(shì)又進(jìn)一步推動(dòng)了對(duì)高效電力轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的需求。這些系統(tǒng)必須非?？煽?，通常要求其工作壽命達(dá)到10年或更長(zhǎng)時(shí)間。為了確保高可靠性，設(shè)計(jì)師在選擇電路中如逆變器或電機(jī)驅(qū)動(dòng)的H橋功率晶體管時(shí)，712瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-11-04 11:52
國(guó)產(chǎn)MCU芯片切入中高端應(yīng)用領(lǐng)域，推動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)升級(jí)！
近年來(lái)，微控制器(MCU)在汽車(chē)行業(yè)的重要性日益凸顯。作為汽車(chē)信息運(yùn)算處理的核心部件，MCU廣泛應(yīng)用于汽車(chē)的各大系統(tǒng)中，對(duì)提升汽車(chē)的智能化和自動(dòng)化水平起著至關(guān)重要的作用。在一輛汽車(chē)所裝備的所有半導(dǎo)體器件中，MCU的占比約為30%，而平均每輛車(chē)需要70顆以上的MCU芯片。它們主要應(yīng)用于車(chē)身動(dòng)力總成、車(chē)身控制、發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元及輔助駕駛等關(guān)鍵領(lǐng)域。這一趨勢(shì)反映出，
