動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-11-06 11:55

  浮思特 | 第四代場阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能

  

  由于其低導(dǎo)通損耗和開關(guān)能量損耗，IGBT廣泛應(yīng)用于高功率應(yīng)用領(lǐng)域，如電源、馬達(dá)驅(qū)動逆變器和電動汽車等。對更先進(jìn)功率器件的需求促使了新型硅基開發(fā)及寬禁帶材料開發(fā)的努力，以實(shí)現(xiàn)超越硅的理想特性。從MOS柵極的高電子注入效率是必需的為了將IGBT硅材料推向極限，需要從MOS柵極實(shí)現(xiàn)極高的電子注入效率，同時孔載流子注入應(yīng)僅限于對導(dǎo)電調(diào)制的貢獻(xiàn)水平。對于Fairchi

  IGBT MOS 功率器件

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• 發(fā)布了文章 2024-11-05 11:18

  英飛凌推出新款CoolGaN™晶體管，促進(jìn)高壓器件市場發(fā)展

  

  英飛凌科技股份公司近日宣布推出其全新的高壓分立器件系列——CoolGaN?晶體管650VG5，進(jìn)一步豐富了其氮化鎵(GaN)產(chǎn)品組合。這一新產(chǎn)品系列的推出，不僅為消費(fèi)和工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)提供了新的技術(shù)選擇，也為諸如USB-C適配器、充電器、照明系統(tǒng)、電視、數(shù)據(jù)中心和電信整流器，以及可再生能源和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動等廣泛應(yīng)用提供了支持。CoolGaN

  晶體管 英飛凌 高壓器件

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• 發(fā)布了文章 2024-11-05 11:16

  如何設(shè)計(jì) IGBT 和 SiC FET 驅(qū)動電路以防止誤觸發(fā)？

  

  在設(shè)計(jì)IGBT或SiCFET橋接電路時，門驅(qū)動電路的正確設(shè)計(jì)與選擇晶體管同樣重要，以確保高可靠性。對環(huán)境的關(guān)注是可再生能源、智能工業(yè)和電動出行等趨勢背后的主要推動力。這些趨勢又進(jìn)一步推動了對高效電力轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動器的需求。這些系統(tǒng)必須非?？煽?，通常要求其工作壽命達(dá)到10年或更長時間。為了確保高可靠性，設(shè)計(jì)師在選擇電路中如逆變器或電機(jī)驅(qū)動的H橋功率晶體管時，

  IGBT SiC 驅(qū)動電路

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• 發(fā)布了文章 2024-11-04 11:52

  國產(chǎn)MCU芯片切入中高端應(yīng)用領(lǐng)域，推動汽車產(chǎn)業(yè)升級！

  

  近年來，微控制器(MCU)在汽車行業(yè)的重要性日益凸顯。作為汽車信息運(yùn)算處理的核心部件，MCU廣泛應(yīng)用于汽車的各大系統(tǒng)中，對提升汽車的智能化和自動化水平起著至關(guān)重要的作用。在一輛汽車所裝備的所有半導(dǎo)體器件中，MCU的占比約為30%，而平均每輛車需要70顆以上的MCU芯片。它們主要應(yīng)用于車身動力總成、車身控制、發(fā)動機(jī)控制單元及輔助駕駛等關(guān)鍵領(lǐng)域。這一趨勢反映出，

  mcu 單片機(jī) 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-11-04 11:51

  浮思特 | MOSFET技術(shù)發(fā)展掀起汽車電力電子行業(yè)的新潮流

  

  隨著汽車系統(tǒng)日益先進(jìn)，對能夠在更小、更高效設(shè)計(jì)中提供更高性能的組件的需求也在不斷增加。電動機(jī)和先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)等應(yīng)用需要可靠的電源管理解決方案，以減少熱量和功率損失。半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，特別是MOSFET的進(jìn)展，是滿足汽車電力電子行業(yè)不斷演變需求的核心要素。行業(yè)內(nèi)已經(jīng)取得了多項(xiàng)突破，使得MOSFET在功率密度、效率和成本上都有所提升。Nexperi

  MOSFET 汽車 電力電子

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• 發(fā)布了文章 2024-11-01 11:03

  固態(tài)電池技術(shù)能否為電動汽車帶來更安全、更持久的未來？

  

  隨著電動汽車的普及，目前鋰離子電池技術(shù)的局限性變得越來越明顯。續(xù)航里程有限、充電時間慢以及對電池安全性，特別是火災(zāi)風(fēng)險的擔(dān)憂，推動了對替代電池技術(shù)的研究。固態(tài)電池因其更高的能量密度和改善的安全性，成為解決這些挑戰(zhàn)的有前景的方案。用固體電解質(zhì)替代液體電解質(zhì)，使這些電池能夠在更高的電壓下工作，并降低與鋰離子電池相關(guān)的安全風(fēng)險。電動汽車用固態(tài)電池麥吉爾大學(xué)的研究人

  固態(tài)電池 電動汽車 電解

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• 發(fā)布了文章 2024-11-01 11:01

  SiC市場迎來快速增長，新廠商數(shù)量大幅增加！

  

  近年來，碳化硅(SiC)市場經(jīng)歷了顯著的增長，主要受到汽車電氣化及充電系統(tǒng)普及的推動。作為一種新興的半導(dǎo)體材料，碳化硅以其優(yōu)越的性能逐漸取代傳統(tǒng)的硅器件，尤其在電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中展現(xiàn)出巨大的優(yōu)勢。碳化硅器件，如MOSFET(場效應(yīng)晶體管)，在運(yùn)行過程中能夠有效降低熱量損耗，從而提高能效。這一特性使得SiC器件在電動汽車和可再生能源系統(tǒng)中越來越受到青睞。隨著全球?qū)?

  SiC 晶體管 電動汽車

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• 發(fā)布了文章 2024-10-31 11:26

  探索高效能電力解決方案——特瑞諾TGH80N65F2DS IGBT單管

  

  在當(dāng)今科技迅速發(fā)展的時代，電力電子技術(shù)正扮演著越來越重要的角色。如何提高電力設(shè)備的效率和可靠性，成為了眾多工程師和設(shè)計(jì)師們關(guān)注的焦點(diǎn)。而特瑞諾(trinno)全新推出的TGH80N65F2DSIGBT單管，正是為滿足這一需求而生。TGH80N65F2DS是一款具有650V和80A額定值的IGBT單管，采用了TO-247封裝，結(jié)合了先進(jìn)的細(xì)溝槽柵極場截止(FS

  IGBT 單管 電力

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• 發(fā)布了文章 2024-10-30 11:59

  德州儀器正式投產(chǎn)氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，展現(xiàn)自有制造能力新高度

  

  德州儀器(TexasInstruments,TI)近期在其位于日本會津的工廠正式投產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，此舉標(biāo)志著該公司在GaN半導(dǎo)體自有制造能力上的前所未有的四倍增長。這一進(jìn)展不僅強(qiáng)化了TI在半導(dǎo)體市場的競爭力，也為新一代電子產(chǎn)品的高效能提供了有力的支持。氮化鎵作為硅(Si)的替代材料，因其在能源效率和功率密度方面的顯著優(yōu)勢而受到越來

  功率半導(dǎo)體 德州儀器 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2024-10-30 11:57

  被動元件：電阻器、電感器和電容器如何在電路中發(fā)揮作用?

  

  在電路中使用三種類型的被動元件：電阻器、電感器和電容器。被動元件意味著這些元件在電壓或電流波動時，其行為變化較小。其他元件被稱為有源元件，對電壓和電流的反應(yīng)是非線性的。二極管、晶體管和熱電子閥是有源元件的例子。電阻器、電感器和電容器根據(jù)用途有不同的樣式和類型。電阻器電阻器阻礙電流的流動，更具體地說，阻礙電流的流動。在此過程中，電阻器會導(dǎo)致電壓下降并散發(fā)熱量。

  功率半導(dǎo)體 電容器 電感器 電阻器

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