動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-08-08 10:46

  SiC 技術(shù)相對于 Si 具有不可否認(rèn)的優(yōu)勢

  

  在逆變器、電機(jī)驅(qū)動和充電器等應(yīng)用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、降低的冷卻需求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。盡管SiC器件的成本高于硅器件，但在1200V以上的系統(tǒng)級別優(yōu)勢，足以彌補(bǔ)更高的器件成本。在600V及以下，與硅的比較優(yōu)勢則顯得微不足道。SiC芯片需要特別設(shè)計(jì)的封裝和柵極驅(qū)動器，以充分發(fā)揮其優(yōu)勢。SiC相對于硅的優(yōu)勢通常情況下，SiC在反向

  GaN MTTF SiC

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• 發(fā)布了文章 2024-08-06 11:02

  預(yù)計(jì)2025年中國SiC芯片市場將迎來大幅降價(jià)

  

  在中國SiC(碳化硅)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮下，行業(yè)前景正經(jīng)歷著變革。最新市場預(yù)測揭示，得益于本土生產(chǎn)能力的飛躍性提升與產(chǎn)業(yè)規(guī)模的快速擴(kuò)張，中國碳化硅芯片市場有望在接下來兩年內(nèi)迎來價(jià)格的大幅下滑，降幅預(yù)計(jì)可達(dá)驚人的30%。這一預(yù)測不僅彰顯了國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈的強(qiáng)大成長潛力，也為下游應(yīng)用行業(yè)帶來了重大利好。長期以來，中國電動汽車行業(yè)在SiC芯片領(lǐng)域高度依賴進(jìn)口，這一

  mcu SiC 電動汽車 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-08-06 11:01

  碳化硅MOSFET的柵極應(yīng)力測試

  

  了解半導(dǎo)體器件的失效模式是制定篩選、鑒定和可靠性測試的關(guān)鍵，這些測試可以確保器件在數(shù)據(jù)表規(guī)定的限制范圍內(nèi)運(yùn)行，并滿足汽車和其他電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中對每十億個(gè)部件的日益嚴(yán)格的失效率要求。本文將討論對碳化硅MOSFET器件進(jìn)行的柵極開關(guān)應(yīng)力(GSS)測試。碳化硅MOSFET中的直流與交流柵極應(yīng)力效應(yīng)碳化硅MOSFET的柵氧化層可靠性多年來一直是研究的重點(diǎn)。研究發(fā)現(xiàn)，氧

  MOSFET 測試 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-08-05 11:25

  Navitas推出新一代650V SiC MOSFET，采用高效TOLL封裝

  

  Navitas半導(dǎo)體公司日前宣布擴(kuò)展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET，新增一款耐用且高效的表面貼裝TOLL(無引腳晶體管外形)封裝。這種新型封裝專門針對高功率和高可靠性應(yīng)用，展現(xiàn)出卓越的熱性能和快速響應(yīng)能力。新發(fā)布的650VSiCMOSFET具備出色的功率處理能力和低至20至55毫歐的導(dǎo)通電阻，旨在實(shí)現(xiàn)快速的開關(guān)速度和高效能

  MOSFET Navitas 封裝

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• 發(fā)布了文章 2024-08-05 11:22

  DC-DC轉(zhuǎn)換器及其在電動汽車中的應(yīng)用

  

  在半導(dǎo)體出現(xiàn)之前，將直流電壓轉(zhuǎn)換為更高電壓的常用技術(shù)是通過振蕩電路將其轉(zhuǎn)換為交流電壓，然后使用升壓變壓器來提高輸出電壓水平，最后再通過整流電路進(jìn)行直流轉(zhuǎn)換。在需要高功率的應(yīng)用中，通常使用電動機(jī)和發(fā)電機(jī)的組合。電動機(jī)驅(qū)動發(fā)電機(jī)，提供所需的負(fù)載電壓。這些技術(shù)雖然成本高且效率低，但在當(dāng)時(shí)沒有其他替代方法的情況下仍得到應(yīng)用。DC-DC轉(zhuǎn)換器是一種機(jī)電設(shè)備或電路，用于

  dcdc轉(zhuǎn)換器 電動汽車 電壓 轉(zhuǎn)換器

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• 發(fā)布了文章 2024-08-02 11:01

  SiC技術(shù)引領(lǐng)中國新能源乘用車功率器件國產(chǎn)化新篇章

  

  近年來，中國新能源乘用車產(chǎn)業(yè)在政策和市場的雙重驅(qū)動下，取得了顯著進(jìn)展，尤其是在功率模塊國產(chǎn)化方面，更是邁出了堅(jiān)實(shí)步伐。其中，SiC(碳化硅)領(lǐng)域更是迎來了前所未有的發(fā)展機(jī)遇，成為推動新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要力量。據(jù)行業(yè)權(quán)威機(jī)構(gòu)預(yù)測，到2028年，中國SiC器件市場規(guī)模將超過400億元，新能源汽車、充電樁和風(fēng)光儲將成為這一市場增長的主要動力。這一預(yù)測不僅彰顯了

  SiC 功率器件 新能源乘用車

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• 發(fā)布了文章 2024-08-02 11:00

  什么是觸摸芯片：現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的關(guān)鍵技術(shù)解析

  

  觸摸芯片又叫觸摸屏控制器IC，觸摸芯片是一種能夠感應(yīng)人體觸摸并能將人體觸摸操作轉(zhuǎn)換成計(jì)算機(jī)可讀取的電信號輸入的微處理器，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、智能手表等各類數(shù)碼設(shè)備中，成為現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可缺少的一部分。觸摸芯片具有專用外設(shè)引腳，可與觸摸傳感器和主機(jī)處理器進(jìn)行連接。通常，該電路安裝在連接傳感器和主機(jī)處理器的FPC(柔性印刷電路)上。觸摸芯片起什么作用無論采

  控制器IC 觸摸屏 觸摸芯片 計(jì)算機(jī)

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• 發(fā)布了文章 2024-08-01 10:59

  先進(jìn)封裝市場迎來黃金增長期，預(yù)計(jì)2029年規(guī)模將達(dá)695億美元

  

  根據(jù)Yole最新發(fā)布的《2024年先進(jìn)封裝狀況》報(bào)告，預(yù)計(jì)從2023年至2029年，先進(jìn)封裝市場的年復(fù)合增長率將達(dá)到11%，市場規(guī)模有望顯著擴(kuò)展至695億美元。推動這一顯著增長的主要動力來自于多個(gè)技術(shù)趨勢的協(xié)同發(fā)展。人工智能(AI)、高性能計(jì)算(HPC)、汽車電子以及AI個(gè)人電腦(AIPCs)等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對芯片性能、功耗和集成度提出了更高要求，從而促進(jìn)

  先進(jìn)封裝 芯片 芯片封裝

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• 發(fā)布了文章 2024-08-01 10:58

  利用SLC技術(shù)改善熱導(dǎo)率，增強(qiáng)IGBT模塊功率密度

  

  第七代工業(yè)IGBT模塊已成功開發(fā)用于650V和1200V級，以滿足高效率、高功率密度和高可靠性等重要電力電子系統(tǒng)要求。與低損耗第七代芯片組結(jié)合的SLC技術(shù)在熱循環(huán)能力、無“泵出故障”封裝和低熱阻等方面的卓越表現(xiàn)，是第七代NX型IGBT模塊成功的關(guān)鍵原因。為了將該技術(shù)擴(kuò)展到1700V級IGBT模塊，已經(jīng)改善了SLC技術(shù)IMB的絕緣能力和熱導(dǎo)率。第七代650V和

  IGBT slc 模塊 電力電子

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• 發(fā)布了文章 2024-07-30 11:24

  德州儀器(TI)推出六款新型DC-DC電源模塊，采用MagPack組件封裝

  

  德州儀器(TexasInstruments，簡稱TI)近日正式推出了其最新的MagPack組件封裝，其中涵蓋六款高性能功率磁性模塊。該系列模塊相較于TI的前幾代產(chǎn)品，體積縮小了50%，同時(shí)相比于市場競爭對手的同類產(chǎn)品也小了23%。這一創(chuàng)新封裝不僅在尺寸上具有優(yōu)勢，還在電磁干擾(EMI)方面表現(xiàn)出色，降低了8dB的EMI，同時(shí)提高了2%的能效。MagPack電

  DCDC 德州儀器 電源模塊

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