動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-04-19 13:55

  封裝技術(shù)會(huì)成為摩爾定律的未來嗎?

  

  你可聽說過摩爾定律?在半導(dǎo)體這一領(lǐng)域，摩爾定律幾乎成了預(yù)測(cè)未來的神話。這條定律，最早是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾于1965年提出，簡(jiǎn)單地說就是這樣的：集成電路上可容納的晶體管數(shù)量大約每?jī)赡攴环?，性能也隨之增強(qiáng)。這不僅是一條觀察法則，更像是一道命令，催促著整個(gè)行業(yè)向著更小、更快、更便宜的方向發(fā)展。01但這些年來，摩爾定律好像遇到了壁壘。我們的芯片已經(jīng)小得難

  封裝技術(shù) 晶體管 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-04-18 11:50

  阿斯麥(ASML)公司首臺(tái)高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)突破性成果

  

  在半導(dǎo)體領(lǐng)域，技術(shù)創(chuàng)新是推動(dòng)整個(gè)行業(yè)向前發(fā)展的重要?jiǎng)恿?。近日，荷蘭阿斯麥(ASML)公司宣布，成功打造了首臺(tái)采用0.55數(shù)值孔徑(NA)投影光學(xué)系統(tǒng)的高數(shù)值孔徑(High-NA)極紫外(EUV)光刻機(jī)，并已經(jīng)成功印刷出首批圖案。這一重要成就，不僅標(biāo)志著ASML公司技術(shù)創(chuàng)新的新高度，也為全球半導(dǎo)體制造行業(yè)的發(fā)展帶來了新的契機(jī)。目前，全球僅有兩臺(tái)高數(shù)值孔徑EUV

  EUV 光刻機(jī) 半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2024-04-18 11:49

  GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法

  

  氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢(shì)，如寬能隙和高電子遷移率。當(dāng)用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時(shí)，這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槠錈o反向恢復(fù)損失且電容相對(duì)較小。隨著這項(xiàng)技術(shù)在更廣泛的應(yīng)用范圍內(nèi)推廣，詳細(xì)理解提高產(chǎn)量和可靠性的根本原因至關(guān)重要。本文中，我們總結(jié)了在GaN晶圓加工過程中常見的一些缺陷，以及用于檢測(cè)這些缺陷的表征技術(shù)。01氮化鎵晶體結(jié)構(gòu)

  GaN HEMT 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2024-04-17 13:47

  新能源汽車蓬勃發(fā)展，IGBT供應(yīng)緊張下的技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)能擴(kuò)張

  

  IGBT作為電機(jī)和電控系統(tǒng)的關(guān)鍵組件，對(duì)新能源汽車的性能有著直接影響，尤其在功率逆變器模塊中扮演關(guān)鍵角色。據(jù)統(tǒng)計(jì)，IGBT模塊約占新能源汽車總成本的5%，此外還廣泛應(yīng)用于車載空調(diào)控制系統(tǒng)等。

  IGBT 新能源汽車 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2024-04-17 13:46

  全新碳化硅MOSFET封裝技術(shù)提升電力模塊性能

  

  說到減少碳化硅MOSFET開關(guān)損耗，完全有可能，但讓電力模塊在運(yùn)行時(shí)保持高開關(guān)速度，那可不是一件輕松的事。

  封裝 電力 碳化硅MOSFET

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• 發(fā)布了文章 2024-04-16 13:42

  國內(nèi)碳化硅功率半導(dǎo)體元件市場(chǎng)迎來高速增長(zhǎng)

  

  電動(dòng)汽車和新能源的需求蓬勃增長(zhǎng)正在推動(dòng)碳化硅功率半導(dǎo)體元件市場(chǎng)的擴(kuò)張。中國的碳化硅外延片生產(chǎn)商，在瀚天天成和天域半導(dǎo)體十多年的積累后，乘著新能源的東風(fēng)，在全球市場(chǎng)中迅速崛起。

  功率半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-04-16 13:35

  碳化硅制備的重要性與難點(diǎn)和挑戰(zhàn)

  

  這種耐高溫、承受高電壓、導(dǎo)熱性能好到驚人的材料，讓它在半導(dǎo)體、航空航天、電力電子等多個(gè)領(lǐng)域成為了革命性的材質(zhì)選擇。換句話說，沒有碳化硅，許多現(xiàn)代技術(shù)根本無法實(shí)現(xiàn)。

  SiC 電力系統(tǒng) 電動(dòng)汽車 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-04-15 15:49

  英飛凌推出新一代OptiMOS™ MOSFET技術(shù)封裝

  

  全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC，該封裝基于其先進(jìn)的OptiMOS? MOSFET技術(shù)，專為滿足汽車電子產(chǎn)品中對(duì)熱效率和空間利用有嚴(yán)苛要求的場(chǎng)合設(shè)計(jì)。

  MOSFET 封裝 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-04-15 15:48

  如何利用方波信號(hào)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管的奧秘揭秘

  

  而今天，我們要探討的，是一種特別的信號(hào)——方波信號(hào)，它如何驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)(FET)的呢

  場(chǎng)效應(yīng)管 方波信號(hào) 電子設(shè)備

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• 發(fā)布了文章 2024-04-12 11:58

  電子世界的開關(guān)大師：MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管

  

  屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，也就是我們熟知的MOSFET。它就像是高速信息公路上的交通警察，控制著電流的方向和大小，讓整個(gè)系統(tǒng)高效而穩(wěn)定地運(yùn)行。

  MOS MOSFET管 晶體管

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