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發(fā)布了文章 2024-10-29 10:54
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發(fā)布了文章 2024-10-29 10:52
為什么WBG材料是5G系統(tǒng)未來發(fā)展的關(guān)鍵?
電力半導(dǎo)體正在顯著影響下一代網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料在電信系統(tǒng)中的集成正在成為支持和增強(qiáng)5G基礎(chǔ)設(shè)施的戰(zhàn)略解決方案。在連接性方面,WBG半導(dǎo)體相較于傳統(tǒng)硅設(shè)備具有顯著優(yōu)勢,使其成為先進(jìn)電信環(huán)境中理想的應(yīng)用材料。隨著時間推移,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)在5G基礎(chǔ)設(shè)施中的重要性不斷上升,這得益于這些材料固有的技術(shù)特性,以及在能源效率和熱管理 -
發(fā)布了文章 2024-10-28 11:27
全球成熟制程晶圓代工產(chǎn)能預(yù)計將增長6%
根據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新調(diào)研,預(yù)計到2025年,全球成熟制程的晶圓代工產(chǎn)能將增長6%。這一數(shù)據(jù)不僅反映了當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)的趨勢,也揭示了先進(jìn)制程與成熟制程之間的明顯需求分化。隨著人工智能、5G和高性能計算等新興技術(shù)的迅速發(fā)展,半導(dǎo)體市場正在經(jīng)歷重要的轉(zhuǎn)型。在先進(jìn)制程領(lǐng)域,5/4nm和3nm技術(shù)的需求持續(xù)旺盛。AI服務(wù)器、高性能計算(HPC)芯片以 -
發(fā)布了文章 2024-10-28 11:25
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發(fā)布了文章 2024-10-25 11:58
N通道和P通道場效應(yīng)晶體管(FET)之間的區(qū)別是什么?
晶體管是現(xiàn)代電子電路中至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件。它們可以執(zhí)行兩種主要功能。首先,作為其真空管前身三極管,晶體管可以放大電信號。其次,晶體管可以作為計算機(jī)的信息處理和存儲的開關(guān)設(shè)備。場效應(yīng)晶體管是控制電流通過電場的半導(dǎo)體器件。晶體管不僅可以放大電信號,還可以作為開關(guān)設(shè)備。計算機(jī)利用晶體管的開關(guān)能力進(jìn)行算術(shù)和邏輯運(yùn)算以及信息存儲。它們使用二進(jìn)制代碼——以基數(shù)2書寫的2.6k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-10-25 11:53
Wolfspeed暫停德國SiC晶圓廠建設(shè),德國半導(dǎo)體招商引資再遭重創(chuàng)
近期,美國半導(dǎo)體公司W(wǎng)olfspeed宣布暫停在德國恩斯多夫(Ensdorf)建設(shè)碳化硅(SiC)晶圓廠的計劃,此舉引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。Wolfspeed的決定恰逢英特爾也因營運(yùn)危機(jī)而擱置馬格德堡建廠案,進(jìn)一步凸顯了當(dāng)前德國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨的投資挑戰(zhàn)。Wolfspeed原計劃在德國投資30億歐元,旨在增強(qiáng)其在碳化硅材料領(lǐng)域的生產(chǎn)能力,以滿足電動車和新能源行業(yè)1.1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-10-24 11:13
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發(fā)布了文章 2024-10-24 11:11
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發(fā)布了文章 2024-10-23 11:37
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發(fā)布了文章 2024-10-23 11:35
如何通過高壓SiC電池斷開開關(guān)提升電氣系統(tǒng)的可靠性與效率
電氣系統(tǒng)的直流母線電壓在400伏特或更高,由單相或三相電網(wǎng)電源或能量存儲系統(tǒng)(ESS)供電,可以通過固態(tài)電路保護(hù)提高其可靠性和韌性。在設(shè)計高壓固態(tài)電池斷開開關(guān)時,需要考慮多個基本設(shè)計決策。關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)、器件類型、熱包裝、器件的穩(wěn)健性,以及在電路中斷時管理感應(yīng)能量。本文將討論在選擇高壓高電流電池斷開開關(guān)的功率半導(dǎo)體技術(shù)和定義半導(dǎo)體封裝時的設(shè)計考慮,以883瀏覽量