動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-10-29 10:54

  意法半導(dǎo)體發(fā)布第四代STPower硅碳化物MOSFET技術(shù)

  

  意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)近日推出了其第四代STPower硅碳化物(SiC)MOSFET技術(shù)，標(biāo)志著在高效能和高功率密度領(lǐng)域的又一重大進(jìn)展。新一代MOSFET不僅在電動(dòng)汽車中具有廣泛應(yīng)用潛力，也適用于各類高壓和高功率密度的工業(yè)應(yīng)用。新發(fā)布的MOSFET特別針對(duì)電動(dòng)汽車的牽引逆變器，這是電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)中不可或缺的部分，負(fù)責(zé)將電池組中的

  MOSFET SiC 半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2024-10-29 10:52

  為什么WBG材料是5G系統(tǒng)未來發(fā)展的關(guān)鍵?

  

  電力半導(dǎo)體正在顯著影響下一代網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料在電信系統(tǒng)中的集成正在成為支持和增強(qiáng)5G基礎(chǔ)設(shè)施的戰(zhàn)略解決方案。在連接性方面，WBG半導(dǎo)體相較于傳統(tǒng)硅設(shè)備具有顯著優(yōu)勢，使其成為先進(jìn)電信環(huán)境中理想的應(yīng)用材料。隨著時(shí)間推移，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)在5G基礎(chǔ)設(shè)施中的重要性不斷上升，這得益于這些材料固有的技術(shù)特性，以及在能源效率和熱管理

  5G SiC 半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2024-10-28 11:27

  全球成熟制程晶圓代工產(chǎn)能預(yù)計(jì)將增長6%

  

  根據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新調(diào)研，預(yù)計(jì)到2025年，全球成熟制程的晶圓代工產(chǎn)能將增長6%。這一數(shù)據(jù)不僅反映了當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)的趨勢，也揭示了先進(jìn)制程與成熟制程之間的明顯需求分化。隨著人工智能、5G和高性能計(jì)算等新興技術(shù)的迅速發(fā)展，半導(dǎo)體市場正在經(jīng)歷重要的轉(zhuǎn)型。在先進(jìn)制程領(lǐng)域，5/4nm和3nm技術(shù)的需求持續(xù)旺盛。AI服務(wù)器、高性能計(jì)算(HPC)芯片以

  半導(dǎo)體 晶圓 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-10-28 11:25

  高壓電池?cái)嚅_開關(guān)的未來：氮化鎵技術(shù)能否解決關(guān)鍵挑戰(zhàn)?

  

  目前市場上的電動(dòng)車使用的是400V和800V的電池，標(biāo)稱電流超過200安培。如果這些高壓和高電流連接到車身或任何導(dǎo)電部件上，可能會(huì)導(dǎo)致致命風(fēng)險(xiǎn)。為了防止這種情況的發(fā)生，制造商采用高壓高電流直流接觸器繼電器，將電池的正負(fù)極與高壓電路網(wǎng)斷開，如圖1所示。圖1繼電器的挑戰(zhàn)如果使用繼電器為并聯(lián)于逆變器的直流鏈路電容充電，則需要預(yù)充電電路，該電路的涌入電流取決于電容的

  開關(guān) 氮化鎵 高壓電池

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• 發(fā)布了文章 2024-10-25 11:58

  N通道和P通道場效應(yīng)晶體管(FET)之間的區(qū)別是什么?

  

  晶體管是現(xiàn)代電子電路中至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件。它們可以執(zhí)行兩種主要功能。首先，作為其真空管前身三極管，晶體管可以放大電信號(hào)。其次，晶體管可以作為計(jì)算機(jī)的信息處理和存儲(chǔ)的開關(guān)設(shè)備。場效應(yīng)晶體管是控制電流通過電場的半導(dǎo)體器件。晶體管不僅可以放大電信號(hào)，還可以作為開關(guān)設(shè)備。計(jì)算機(jī)利用晶體管的開關(guān)能力進(jìn)行算術(shù)和邏輯運(yùn)算以及信息存儲(chǔ)。它們使用二進(jìn)制代碼——以基數(shù)2書寫的

  FET p通道 場效應(yīng)管 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2024-10-25 11:53

  Wolfspeed暫停德國SiC晶圓廠建設(shè)，德國半導(dǎo)體招商引資再遭重創(chuàng)

  

  近期，美國半導(dǎo)體公司W(wǎng)olfspeed宣布暫停在德國恩斯多夫(Ensdorf)建設(shè)碳化硅(SiC)晶圓廠的計(jì)劃，此舉引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。Wolfspeed的決定恰逢英特爾也因營運(yùn)危機(jī)而擱置馬格德堡建廠案，進(jìn)一步凸顯了當(dāng)前德國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨的投資挑戰(zhàn)。Wolfspeed原計(jì)劃在德國投資30億歐元，旨在增強(qiáng)其在碳化硅材料領(lǐng)域的生產(chǎn)能力，以滿足電動(dòng)車和新能源行業(yè)

  SiC Wolfspeed 半導(dǎo)體 場效應(yīng)管

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• 發(fā)布了文章 2024-10-24 11:13

  2024年全球硅晶圓市場回暖：SEMI預(yù)測出貨量將穩(wěn)步增長

  

  近日，半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)發(fā)布了其最新的年度硅晶圓出貨量預(yù)測報(bào)告，展現(xiàn)出全球硅晶圓市場的積極信號(hào)。報(bào)告指出，經(jīng)歷了去年的14.3%跌幅后，今年全球硅晶圓出貨量的下跌幅度將顯著收窄，僅下降2.4%。這一趨勢不僅反映出市場的恢復(fù)力，還顯示出在人工智能(AI)和先進(jìn)制程等領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求。硅晶圓作為大多數(shù)半導(dǎo)體產(chǎn)品的基礎(chǔ)構(gòu)建材料，扮演著至關(guān)重要的角色。半導(dǎo)體本

  SEMI 半導(dǎo)體 硅晶圓

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• 發(fā)布了文章 2024-10-24 11:11

  BiGaN開關(guān)在廣泛電源管理中的應(yīng)用

  

  保護(hù)USB端口、為來自不同源的設(shè)備切換電路、以及高側(cè)負(fù)載開關(guān)免受浪涌影響，都依賴于雙向電壓阻斷和電流導(dǎo)通。到目前為止，設(shè)計(jì)人員只能使用兩個(gè)N型MOSFET以背靠背的方式連接在共同源極配置中來實(shí)現(xiàn)這一目的。這種方法涉及兩個(gè)組件，并因?qū)娮?RDS(on))、安全工作區(qū)(SOA)及其他特性而受到限制(見圖1)。雙向氮化鎵(BiGaN)開關(guān)是一種創(chuàng)新的解決方案，

  GaN MOSFET 電源管理

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• 發(fā)布了文章 2024-10-23 11:37

  中國新能源汽車與光伏市場推動(dòng)SiC襯底價(jià)格劇烈波動(dòng)

  

  2024年，中國新能源汽車和光伏市場的快速發(fā)展引發(fā)了SiC(碳化硅)襯底價(jià)格的顯著下跌。今年，SiC襯底的價(jià)格已下降近30%，并預(yù)計(jì)到2024年中期將降至500美元以下。這一變化不僅影響了相關(guān)制造商的財(cái)務(wù)狀況，也反映出行業(yè)內(nèi)潛在的供需矛盾。SiC襯底作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要材料，其成本占整個(gè)生產(chǎn)鏈的70%，其中襯底本身幾乎占據(jù)了50%的成本比重。這意味著SiC襯

  SiC 光伏 新能源汽車

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• 發(fā)布了文章 2024-10-23 11:35

  如何通過高壓SiC電池?cái)嚅_開關(guān)提升電氣系統(tǒng)的可靠性與效率

  

  電氣系統(tǒng)的直流母線電壓在400伏特或更高，由單相或三相電網(wǎng)電源或能量存儲(chǔ)系統(tǒng)(ESS)供電，可以通過固態(tài)電路保護(hù)提高其可靠性和韌性。在設(shè)計(jì)高壓固態(tài)電池?cái)嚅_開關(guān)時(shí)，需要考慮多個(gè)基本設(shè)計(jì)決策。關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)、器件類型、熱包裝、器件的穩(wěn)健性，以及在電路中斷時(shí)管理感應(yīng)能量。本文將討論在選擇高壓高電流電池?cái)嚅_開關(guān)的功率半導(dǎo)體技術(shù)和定義半導(dǎo)體封裝時(shí)的設(shè)計(jì)考慮，以

  SiC 電氣系統(tǒng) 電池

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