動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-03-20 13:55

  一文看懂芯片生產(chǎn)整個(gè)過(guò)程以及需要用到哪些技術(shù)

  

  在這個(gè)信息化飛速發(fā)展的時(shí)代，如果說(shuō)哪樣?xùn)|西是現(xiàn)代電子設(shè)備的心臟，那非半導(dǎo)體芯片莫屬了。手機(jī)、電腦、汽車(chē)，乃至那些我們?nèi)庋劭床灰?jiàn)的傳感器，里面都有它的身影。但你知道嗎，制造這些小巧而復(fù)雜的半導(dǎo)體芯片，是一項(xiàng)極其挑戰(zhàn)性的技術(shù)工作，它涉及到的科技可真是既深又寬，咱們一起來(lái)探個(gè)究竟吧。01半導(dǎo)體芯片的設(shè)計(jì)階段，電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具扮演著至關(guān)重要的角色。EDA

  傳感器 半導(dǎo)體 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-03-19 11:31

  SiC器件是如何提升電動(dòng)汽車(chē)的系統(tǒng)效率的

  

  SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)的硅(Si)材料，它具有更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、更高的熱導(dǎo)率和更高的運(yùn)載子遷移率。

  sic器件 電動(dòng)汽車(chē) 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-03-19 11:26

  英偉達(dá)發(fā)布最強(qiáng)AI加速卡GB200，開(kāi)啟新一代AI圖形處理時(shí)代

  

  英偉達(dá)正式發(fā)布了其最新、也是迄今為止最強(qiáng)大的AI加速卡——GB200。這一重大發(fā)布標(biāo)志著英偉達(dá)在AI圖形處理領(lǐng)域邁入了一個(gè)新的里程碑。

  AI AI芯片 加速卡 英偉達(dá)

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• 發(fā)布了文章 2024-03-18 14:02

  特斯拉發(fā)布峰值功率升級(jí)版Powerwall 3，邁向能源獨(dú)立未來(lái)

  

  光能源的不穩(wěn)定性給持續(xù)能源生產(chǎn)帶來(lái)了挑戰(zhàn)，需要?jiǎng)?chuàng)新的解決方案來(lái)高效地存儲(chǔ)和管理電力，以實(shí)現(xiàn)能源的可靠利用。

  儲(chǔ)能系統(tǒng) 新能源 特斯拉

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• 發(fā)布了文章 2024-03-18 14:00

  電源管理芯片核心技術(shù)讓設(shè)備更智能、更高效

  

  本文將深入探討電源管理芯片的作用、工作原理、技術(shù)特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及未來(lái)發(fā)展方向，揭示其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的核心地位。

  電子設(shè)備 電源管理芯片 電源芯片 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-03-15 16:36

  單片機(jī)抗干擾措施有哪些？

  

  電磁干擾(EMI)問(wèn)題日益成為影響單片機(jī)穩(wěn)定性與可靠性的主要障礙。因此，探討和實(shí)施有效的抗干擾措施對(duì)于提高單片機(jī)系統(tǒng)的性能至關(guān)重要。下面為大家簡(jiǎn)單介紹一種單片機(jī)抗干擾措施

  單片機(jī) 電子產(chǎn)品 電源

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• 發(fā)布了文章 2024-03-15 16:31

  英飛凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)解決方案的發(fā)展

  

  英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿(mǎn)足工業(yè)和汽車(chē)領(lǐng)域?qū)Ω吣苄Ш凸β拭芏鹊牟粩嘣鲩L(zhǎng)需求。這款產(chǎn)品系列包含了專(zhuān)為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋(DAB)、HERIC、降壓/升壓和移相全橋(PSFB)等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化的工業(yè)級(jí)和車(chē)規(guī)級(jí)SiCMOSFET。這些MOSFET廣泛適用于工業(yè)領(lǐng)域的典型應(yīng)用，如電動(dòng)汽車(chē)充

  MOSFET 汽車(chē) 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-03-14 11:56

  三星澄清：未采用MR-MUF工藝，持續(xù)創(chuàng)新引領(lǐng)HBM芯片技術(shù)

  

  近期，針對(duì)三星是否在其高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片生產(chǎn)中采用了MR-MUF(Magnetic RAM based Multi-Level Unified Memory Framework)工藝的討論在科技界引發(fā)了廣泛關(guān)注。

  HBM 三星 芯片技術(shù)

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• 發(fā)布了文章 2024-03-14 11:54

  半導(dǎo)體器件電荷載流的控制：柵極技術(shù)解析

  

  在電子工程的世界里，柵極是個(gè)魔法般的存在，它就像電路的指揮官，靠著一個(gè)個(gè)小小的動(dòng)作就能控制電荷的流動(dòng)，讓整個(gè)電子系統(tǒng)跳動(dòng)起來(lái)

  半導(dǎo)體器件 柵極 電荷

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• 發(fā)布了文章 2024-03-13 14:26

  日立能源與TransnetBW攜手：超級(jí)電容器引領(lǐng)電網(wǎng)新風(fēng)向

  

  日立能源與TransnetBW合作，通過(guò)超級(jí)電容器促進(jìn)可再生能源增長(zhǎng)和電網(wǎng)彈性。雖然可再生能源具有非常好的環(huán)境效益，但其間歇性給電網(wǎng)整合帶來(lái)了挑戰(zhàn)。隨著人們注意力轉(zhuǎn)向可再生能源，保持電網(wǎng)穩(wěn)定性成為最緊要的問(wèn)題。電網(wǎng)不穩(wěn)定的后果包括停電、設(shè)備損壞和基本服務(wù)中斷，因此需要加強(qiáng)電網(wǎng)穩(wěn)定措施和對(duì)彈性基礎(chǔ)設(shè)施的投資。日立能源公司與德國(guó)TransnetBW簽署了一份重要

  可再生能源 日立 電容器 電網(wǎng) 超級(jí)電容器

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