動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2023-12-19 11:58

  英特爾有望于2024年領先芯片制造競爭對手

  

  近五年來，英特爾在高級芯片制造領域落后于臺積電和三星。如今，為重新贏得領先地位，英特爾正大膽而冒險地引入兩項全新技術，即新型晶體管技術和首創(chuàng)的電源交付系統(tǒng)，這兩項技術將被應用在計劃于2024年底發(fā)布的桌面和筆記本電腦的Arrow Lake處理器中。

  電源 芯片 英特爾

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• 發(fā)布了文章 2023-12-18 16:36

  了解電源管理的基礎

  

  在科技的進步引領下，電源管理電路已經(jīng)從早期以分立元件為主（此類解決方案通常體積大、花費高、設計復雜）發(fā)展至現(xiàn)在的集成解決方式（以體積小、效率高、易于管理及配置應用需求為主）。目前，集成于單一芯片中的電源解決方案已往智能化、可編程的方向發(fā)展，使得設計工作大大簡化，物料清單成本顯著降低，整體系統(tǒng)效果得以提升，并大幅增加了系統(tǒng)的靈活性。

  PMIC 交流電源 電源管理

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• 發(fā)布了文章 2023-12-18 16:35

  悉尼研究員引入增強帶寬的樂高式新型芯片

  

  悉尼大學納米研究所的科研人員近期推出了一款新型的緊湊硅半導體芯片，能夠無縫集成電子元件和光子元件。這種創(chuàng)新帶來的射頻（RF）帶寬的大幅度擴展，以及對芯片內(nèi)信息流動的準確控制，意味著澳大利亞有能力建立其自主的芯片制造體系，不再完全依賴國際上的晶圓廠進行增值處理。

  半導體芯片 晶圓 芯片

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• 發(fā)布了文章 2023-12-15 17:35

  使用GaN HEMT設備最大化OBCs的功率密度

  

  隨著電動汽車（EVs）的銷售量增長，整車OBC（車載充電器）的性能要求日益提高。原始設備制造商正在尋求最小化這些組件的尺寸和重量以提高車輛續(xù)航里程。因此，我們將探討如何設計、選擇拓撲結構，以及如何通過GaN HEMT設備最大化OBCS的功率密度。

  GaN HEMT 電動汽車 車載充電器

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• 發(fā)布了文章 2023-12-15 17:18

  SK海力士希望將存儲器和邏輯半導體集成在HBM4的芯片上

  

  一旦SK海力士獨特的設計理念變?yōu)楝F(xiàn)實，將引發(fā)整個芯片工業(yè)的重大影響。這樣的設計不但能大幅提升性能和工作效率，還可能將處理功率和生產(chǎn)效率提高到更高的水平。有一天，存儲和邏輯半導體之間的界限可能會被淡化到幾乎不存在。雖然這可能還需要一些時間，但當它到來時，整個行業(yè)必須為大變革做好準備。

  SK海力士 半導體 存儲器

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• 發(fā)布了文章 2023-12-15 17:16

  選擇合適的設備實現(xiàn)ESD抗干擾

  

  隨著互聯(lián)網(wǎng)物聯(lián)網(wǎng)（IoT）的擴展，預計未來將有數(shù)十億電子設備接入網(wǎng)絡。它們將在我們生活中發(fā)揮重要的作用，比如家庭自動化的消費設備，或深藏不露如車內(nèi)和智能建筑中的設備，所有這些設備都將對靜電放電（ESD）敏感。有限主板（PCB）經(jīng)過組裝并裝置在設備后，ESD仍然是主要故障源之一。而對于設備的ESD保護設計，適當?shù)目垢蓴_設備的選擇顯得尤為重要。

  ESD 抗干擾 物聯(lián)網(wǎng)

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• 發(fā)布了文章 2023-12-15 16:55

  電動汽車和數(shù)據(jù)中心的熱管理的未來

  

  在電動車電池領域，盡管浸沒式冷卻技術提高了熱均衡性，省去了冷板和TIMs的需要，但由于液體的熱導率低及電池密封難度等因素，其應用面臨挑戰(zhàn)，預計僅在特殊領域（如高性能或高成本的電動車）采用。盡管如此，隨著電動車市場的增長，IDTechEx預測到2027年，浸沒式冷卻液體的需求將比去年增長8倍。

  數(shù)據(jù)中心 熱管理 電動汽車

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• 發(fā)布了文章 2023-12-14 16:59

  三星與ASML將聯(lián)手在韓國投資76億美元建設先進芯片工廠

  

  他說：“這次將是韓荷半導體聯(lián)盟的重要轉(zhuǎn)折點?！彼硎驹诎雽w成為戰(zhàn)略資產(chǎn)和全球供應鏈圍繞地緣政治風險增長的情況下，此次訪問荷蘭將幫助兩國，“建立一個有組織的制度框架，密集解決全球半導體供應鏈問題。”

  ASML 三星 半導體

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• 發(fā)布了文章 2023-12-14 16:58

  碳化硅的挑戰(zhàn)與機遇

  

  可能的解決方案是降低電極偏壓并減小氧化物厚度。Cooper解釋道，薄氧化物提高了對通道的控制——要知道在硅MOSFET中就運行在低電壓下。這種解決方案需要對制造過程進行微調(diào)。雖然關于薄介質(zhì)碳化硅器件的研究較少，但硅器件使用的氧化物厚度薄達到5nm，且沒有引發(fā)過多的隧道效應。如上所述，使用高介電常數(shù)適宜可以在保持物理厚度的同時提供更好的通道控制。

  功率半導體 電動汽車 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2023-12-13 15:14

  碳化硅（SiC）技術在伺服器領域的潛力

  

  正在被廣泛使用的伺服技術使60年代的自動化工程師羨慕無比。這種體積小、精確且完全電動的技術反映了我們現(xiàn)在可以使用的半導體控制、傳感器和電力技術的緊湊性。今天的最大挑戰(zhàn)仍然是伺服和其控制器之間的布線。由于必須承受來自電機和控制信號的高電流，布線成本昂貴，且是電磁干擾（EMI）的重要源頭。阻抗不匹配引發(fā)的反射波經(jīng)常成為問題，對電機繞組的絕緣產(chǎn)生了破壞性壓力。

  IGBT 伺服器 硅基 碳化硅

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