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• 發(fā)布了文章 2025-11-24 17:23

  選型手冊：MOT1111T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT1111T是一款面向100V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借1mΩ超低導通電阻、400A超大連續(xù)電流及超級溝槽技術，適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無人機等大功率場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-24 17:04

  選型手冊：MOT6556T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT6556T是一款面向60V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借0.5mΩ超低導通電阻、400A超大連續(xù)電流及超級溝槽技術，適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無人機等大功率場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適

  MOSFET 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-24 14:45

  選型手冊：MOT20N50A N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT20N50A是一款面向500V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借高開關速度、優(yōu)異的dv/dt能力及500V耐壓，適用于高效開關電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：500V，適配高壓供電系統(tǒng)；導通電阻（\(R_{D

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-24 14:33

  選型手冊：MOT20N65HF N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT20N65HF是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借高開關速度、100%雪崩測試驗證及650V耐壓，適用于高效開關電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓供電系統(tǒng)；導通電阻（\(R_{DS(

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-24 14:27

  選型手冊：MOT1165G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT1165G是一款面向100V中壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、高頻開關特性及高可靠性，適用于高頻開關、同步整流等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓功率轉換場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-21 10:57

  選型手冊：MOT6522J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT6522J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借先進溝槽技術、低導通電阻及低柵極電荷特性，適用于負載開關、PWM應用、電源管理等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓大電流供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}

  MOS 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-21 10:46

  選型手冊：MOT3136D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT3136D是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借2.4mΩ超低導通電阻、120A超大連續(xù)電流及優(yōu)異散熱封裝，適用于功率開關應用、硬開關高頻電路、不間斷電源等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓超大電流供電場景；導

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-21 10:38

  選型手冊：MOT2176D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT2176D是一款面向20V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、高可靠性及環(huán)保特性，適用于便攜設備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：20V，適配低壓大電流供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-21 10:31

  選型手冊：MOT3712G P 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT3712G是一款P溝道增強型功率MOSFET，憑借-30V耐壓、低導通電阻及高電流承載能力，適用于PWM應用、負載開關、電源管理等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：-30V，適配低壓負電壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

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• 發(fā)布了文章 2025-11-21 10:24

  選型手冊：MOT6929G N+N 增強型 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT6929G是一款N+N增強型MOSFET，集成兩顆N溝道單元，憑借60V耐壓、低導通電阻及高電流承載能力，適用于電動工具電機驅動、電動汽車機器人等大功率開關場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N+N增強型MOSFET（集成兩顆N溝道單元）核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配中低壓大電流供電場景；導通電阻（\(

  MOS 仁懋電子 晶體管

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