仁懋電子（MOT）推出的MOT3136D是一款面向 30V 低壓超大電流場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，憑借 2.4mΩ 超低導(dǎo)通電阻、120A 超大連續(xù)電流及優(yōu)異散熱封裝，適用于功率開關(guān)應(yīng)用、硬開關(guān)高頻電路、不間斷電源等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓超大電流供電場景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典型值2.4mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時典型值3.8mΩ，低壓場景下導(dǎo)通損耗極低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：\(T_c=25^\circ\text{C}\)時120A，\(T_c=100^\circ\text{C}\)時降額為84A；脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達420A，滿足負載瞬時超大電流需求。

二、核心特性

• 高密度單元設(shè)計：通過優(yōu)化的單元架構(gòu)實現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻，大幅提升電流密度，適配超大電流功率轉(zhuǎn)換場景；
• 優(yōu)異散熱封裝：TO-252 封裝具備良好熱 dissipation 能力，結(jié) - 殼熱阻（\(R_{thJC}\)）僅1.25℃/W，大電流工況下結(jié)溫控制更穩(wěn)定；
• 高雪崩可靠性：單脈沖雪崩能量達350mJ，在感性負載開關(guān)、異常過壓工況下可靠性強。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，柵極驅(qū)動需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 功耗（\(P_D\)）：120W，實際應(yīng)用需結(jié)合散熱設(shè)計（如散熱墊、金屬基板）保障長期可靠工作；
• 結(jié)溫范圍（\(T_J\)）：-55~+175℃，存儲溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致。

四、封裝與應(yīng)用場景

• 封裝形式：TO-252 表面貼裝封裝，每卷 2500 片，適配高密度電路板的空間約束；
• 典型應(yīng)用：
  • 功率開關(guān)應(yīng)用：在各類功率開關(guān)回路中作為核心開關(guān)，2.4mΩ 低導(dǎo)通電阻大幅降低傳導(dǎo)損耗；
  • 硬開關(guān)與高頻電路：適配高頻硬開關(guān)拓撲（如電源模塊、負載切換），高電流與低損耗特性保障開關(guān)穩(wěn)定性；
  • 不間斷電源（UPS）：在 UPS 系統(tǒng)的功率回路中，兼顧 30V 耐壓與 120A 大電流，保障供電穩(wěn)定性與效率。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理，實際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）