仁懋電子（MOT）推出的MOT3712G是一款 P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，憑借 -30V 耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力，適用于 PWM 應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：-30V，適配低壓負(fù)電壓供電場(chǎng)景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-4.5V\)時(shí)典型值14mΩ，\(V_{GS}=-10V\)時(shí)典型值9.5mΩ，低壓場(chǎng)景下導(dǎo)通損耗極低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：-20A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達(dá) **-80A**，滿足負(fù)載瞬時(shí)大電流需求。

二、核心特性

• 高功率與電流處理能力：-20A 連續(xù)電流與 -80A 脈沖電流設(shè)計(jì)，適配中功率負(fù)載的開關(guān)與功率管理需求；
• 無鉛環(huán)保封裝：采用無鉛引腳鍍層，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造需求；
• 表面貼裝適配性：PDFN5X6-8L 封裝，每卷 5000 片，適配高密度電路板的空間約束。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，柵極驅(qū)動(dòng)需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 功耗（\(P_D\)）：35W，實(shí)際應(yīng)用需結(jié)合 PCB 敷銅、散熱焊盤等設(shè)計(jì)保障長期可靠工作；
• 結(jié)溫范圍（\(T_J\)）：-55~+150℃，存儲(chǔ)溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致。

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：PDFN5X6-8L 表面貼裝封裝，每卷 5000 片，適配小型化、高功率密度的電路設(shè)計(jì)；
• 典型應(yīng)用：
  • PWM 應(yīng)用：在 PWM 控制的功率回路中作為開關(guān)管，低導(dǎo)通電阻特性提升控制精度與效率；
  • 負(fù)載開關(guān)：用于各類電子設(shè)備的負(fù)載通斷管理，-20A 電流能力支持中功率負(fù)載切換；
  • 電源管理：為低壓電源系統(tǒng)的電源分配、電壓調(diào)節(jié)環(huán)節(jié)提供高效開關(guān)，保障電源管理穩(wěn)定性。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）