威兆半導體推出的VS2301BC是一款面向 - 20V 低壓場景的 P 溝道增強型功率 MOSFET,采用 SOT23 小封裝,適配小型化低壓電源的負載開關、電源通路控制等領域。
一、產(chǎn)品基本信息
- 器件類型:P 溝道增強型功率 MOSFET
- 核心參數(shù):
- 漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):-20V(P 溝道耐壓為負值,適配 20V 低壓場景);
- 導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=-4.5V\)時 77mΩ、\(V_{GS}=-3.3V\)時 87mΩ、\(V_{GS}=-2.5V\)時 103mΩ,適配不同低壓邏輯驅(qū)動;
- 連續(xù)漏極電流(\(I_D\),\(V_{GS}=-4.5V\)):\(T=25^\circ\text{C}\)時 - 3A、\(T=70^\circ\text{C}\)時 - 2.3A,滿足小型負載的電流需求;
- 脈沖漏極電流(\(I_{DM}\)):-12A(\(T=25^\circ\text{C}\)),可應對瞬時小電流沖擊。
二、核心特性
- 小封裝 + 多電壓驅(qū)動:SOT23 封裝體積極小,支持 2.5V/3.3V/4.5V 多邏輯電平驅(qū)動,適配小型化低壓電路;
- 快速開關:開關特性優(yōu)異,適配高頻低壓電源場景;
- 環(huán)保合規(guī):滿足無鹵及 RoHS 標準,適配綠色電子制造。
三、關鍵電氣參數(shù)(\(T=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值(Rating) | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源極擊穿電壓 | \(V_{DSS}\) | -20 | V |
| 柵源極電壓 | \(V_{GS}\) | ±12 | V |
| 連續(xù)漏極電流(\(V_{GS}=-4.5V\)) | \(I_D\) | \(T=25^\circ\text{C}\): -3;\(T=70^\circ\text{C}\): -2.3 | A |
| 脈沖漏極電流 | \(I_{DM}\) | -12 | A |
| 最大功耗 | \(P_D\) | 1 | W |
| 工作 / 存儲溫度范圍 | \(T_J、T_{STG}\) | -55~+150 | ℃ |
四、封裝與應用場景
- 封裝形式:SOT23 表面貼裝封裝,包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷,適配超小型電路板設計;
- 典型應用:
- 20V 級低壓小型設備的高側(cè)負載開關;
- 消費電子(如手機、耳機)的電源通路控制;
- 物聯(lián)網(wǎng)小型終端的低壓電源管理模塊。
五、信息來源
威兆半導體官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標注整理,實際以最新版手冊為準。)
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