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選型手冊:VS2301BC P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

深圳市首質(zhì)誠科技有限公司 ? 2025-12-18 17:37 ? 次閱讀
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威兆半導體推出的VS2301BC是一款面向 - 20V 低壓場景的 P 溝道增強型功率 MOSFET,采用 SOT23 小封裝,適配小型化低壓電源負載開關、電源通路控制等領域。

一、產(chǎn)品基本信息

  • 器件類型:P 溝道增強型功率 MOSFET
  • 核心參數(shù)
    • 漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):-20V(P 溝道耐壓為負值,適配 20V 低壓場景);
    • 導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=-4.5V\)時 77mΩ、\(V_{GS}=-3.3V\)時 87mΩ、\(V_{GS}=-2.5V\)時 103mΩ,適配不同低壓邏輯驅(qū)動;
    • 連續(xù)漏極電流(\(I_D\),\(V_{GS}=-4.5V\)):\(T=25^\circ\text{C}\)時 - 3A、\(T=70^\circ\text{C}\)時 - 2.3A,滿足小型負載的電流需求;
    • 脈沖漏極電流(\(I_{DM}\)):-12A(\(T=25^\circ\text{C}\)),可應對瞬時小電流沖擊。

二、核心特性

  • 小封裝 + 多電壓驅(qū)動:SOT23 封裝體積極小,支持 2.5V/3.3V/4.5V 多邏輯電平驅(qū)動,適配小型化低壓電路;
  • 快速開關:開關特性優(yōu)異,適配高頻低壓電源場景;
  • 環(huán)保合規(guī):滿足無鹵及 RoHS 標準,適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數(shù)(\(T=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)

參數(shù)符號數(shù)值(Rating)單位
漏源極擊穿電壓

\(V_{DSS}\)

-20V
柵源極電壓

\(V_{GS}\)

±12V
連續(xù)漏極電流(\(V_{GS}=-4.5V\))

\(I_D\)

\(T=25^\circ\text{C}\): -3;\(T=70^\circ\text{C}\): -2.3

A
脈沖漏極電流

\(I_{DM}\)

-12A
最大功耗

\(P_D\)

1W
工作 / 存儲溫度范圍

\(T_J、T_{STG}\)

-55~+150

四、封裝與應用場景

  • 封裝形式:SOT23 表面貼裝封裝,包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷,適配超小型電路板設計;
  • 典型應用

五、信息來源

威兆半導體官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標注整理,實際以最新版手冊為準。)

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