威兆半導(dǎo)體推出的VS40200ATD是一款面向 40V 低壓超大電流場景的雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET，支持 5V 邏輯電平控制，采用 TO-263 封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC 轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配雙路低壓供電場景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，單通道）：\(V_{GS}=10V\)時典型值2.0mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時典型值2.3mΩ，低壓場景下傳導(dǎo)損耗極致低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，單通道，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時200A，\(T=100^\circ\text{C}\)時降額為142A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)，單通道）：800A（\(T=25^\circ\text{C}\)），滿足雙路負載瞬時超大電流需求。

二、核心特性

• 雙通道 + 5V 邏輯控制：單芯片集成 2 路 N 溝道 MOSFET，適配 5V 邏輯驅(qū)動，簡化雙路超大電流電源拓撲設(shè)計；
• 極致低導(dǎo)通電阻：2.0~2.3mΩ 的阻性表現(xiàn)，大幅降低低壓超大電流傳輸?shù)膫鲗?dǎo)損耗；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 300mJ（單通道），抗沖擊能力極強；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，單通道，除非特殊說明）

四、封裝與應(yīng)用場景

• 封裝形式：TO-263 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 1000pcs / 卷，適配高功率密度電路板設(shè)計；
• 典型應(yīng)用：
  • 40V 級雙路低壓超大電流 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；
  • 儲能系統(tǒng)、工業(yè)設(shè)備的雙路超大電流負載開關(guān)；
  • 高功率電源管理系統(tǒng)的雙路同步整流回路。

五、信息來源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理，實際以最新版手冊為準(zhǔn)。）