威兆半導體推出的VS3510AD是一款面向 30V 低壓場景的 P 溝道增強型功率 MOSFET，支持 5V 邏輯電平控制，采用 TO-252 封裝，適配低壓電源的高側開關、負載控制等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：P 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V（P 溝道耐壓為負值，適配 30V 低壓場景）；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)時典型值10mΩ，\(V_{GS}=-4.5V\)時典型值18mΩ，低壓場景下傳導損耗低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=-10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時50A，\(T=100^\circ\text{C}\)時降額為36A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：200A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應對瞬時大電流沖擊。

二、核心特性

• 5V 邏輯電平控制：適配 5V 邏輯驅動（P 溝道通過拉低柵極電壓導通），簡化電路設計；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 43mJ，感性負載開關穩(wěn)定性強；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：TO-252 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 2500pcs / 卷，適配中功率密度電路設計；
• 典型應用：
  • 30V 級低壓電源的高側負載開關；
  • 電池供電設備的電源通路控制；
  • 工業(yè)設備、消費電子的中功率電源管理模塊。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際以最新版手冊為準。）