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碳化硅襯底厚度測量探頭溫漂與材料各向異性的耦合影響研究

新啟航半導(dǎo)體有限公司 ? 2025-06-11 09:57 ? 次閱讀
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在碳化硅襯底厚度測量中,探頭溫漂與材料各向異性均會影響測量精度,且二者相互作用形成耦合效應(yīng)。深入研究這種耦合影響,有助于揭示測量誤差根源,為優(yōu)化測量探頭性能提供理論支撐。

耦合影響機(jī)制分析

材料各向異性對溫漂的促進(jìn)作用

碳化硅材料具有顯著的各向異性,其熱膨脹系數(shù)、導(dǎo)熱系數(shù)等熱物理性能在不同晶向存在差異 。當(dāng)測量探頭所處環(huán)境溫度發(fā)生變化時,由于材料各向異性,探頭不同方向的熱膨脹程度不一致,導(dǎo)致內(nèi)部產(chǎn)生不均勻應(yīng)力 。這種不均勻應(yīng)力會進(jìn)一步影響探頭內(nèi)部傳感器的性能,加劇溫漂現(xiàn)象 。例如,在沿碳化硅某一晶向,熱膨脹系數(shù)較大,溫度升高時該方向伸長較多,擠壓與之相連的傳感器部件,使傳感器的輸出特性發(fā)生改變,導(dǎo)致測量誤差增大 。

溫漂對材料各向異性表現(xiàn)的干擾

測量探頭的溫漂會改變探頭與碳化硅襯底的接觸狀態(tài)或測量環(huán)境,從而干擾材料各向異性的準(zhǔn)確測量 。溫度變化引起探頭結(jié)構(gòu)變形,使得探頭與襯底表面的接觸壓力分布不均,不同晶向的測量受力條件改變,導(dǎo)致基于接觸式測量獲取的材料各向異性參數(shù)出現(xiàn)偏差 。同時,溫漂導(dǎo)致探頭內(nèi)部電子元件性能波動,影響測量信號的采集與處理,使反映材料各向異性的測量數(shù)據(jù)失真 。

實(shí)驗(yàn)設(shè)計與分析

實(shí)驗(yàn)方案

設(shè)計對比實(shí)驗(yàn),選取具有不同晶向的碳化硅襯底樣品,在不同溫度環(huán)境下,使用同一測量探頭進(jìn)行厚度測量 。實(shí)驗(yàn)中,利用高精度溫度控制設(shè)備,將環(huán)境溫度設(shè)定為多個梯度(如 20℃、40℃、60℃等),在每個溫度點(diǎn)穩(wěn)定后進(jìn)行測量 。采用應(yīng)變片、熱電偶等傳感器,同步監(jiān)測探頭在測量過程中的應(yīng)力變化和溫度變化 。同時,借助先進(jìn)的光學(xué)測量設(shè)備,對碳化硅襯底的晶向和材料特性進(jìn)行精準(zhǔn)表征,為后續(xù)分析提供基礎(chǔ)數(shù)據(jù) 。

數(shù)據(jù)處理與分析

對實(shí)驗(yàn)測量數(shù)據(jù)進(jìn)行處理,分析不同溫度、不同晶向條件下,測量探頭溫漂與材料各向異性對測量結(jié)果的影響 。通過計算測量誤差,研究溫漂與材料各向異性之間的相關(guān)性 。運(yùn)用統(tǒng)計分析方法,如方差分析,判斷二者耦合影響在測量誤差中的占比 。結(jié)合有限元模擬,建立探頭 - 碳化硅襯底的耦合模型,模擬不同條件下的應(yīng)力、溫度分布情況,從理論層面驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)結(jié)果,深入探究溫漂與材料各向異性的耦合影響規(guī)律 。

高通量晶圓測厚系統(tǒng)運(yùn)用第三代掃頻OCT技術(shù),精準(zhǔn)攻克晶圓/晶片厚度TTV重復(fù)精度不穩(wěn)定難題,重復(fù)精度達(dá)3nm以下。針對行業(yè)厚度測量結(jié)果不一致的痛點(diǎn),經(jīng)不同時段測量驗(yàn)證,保障再現(xiàn)精度可靠。?

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我們的數(shù)據(jù)和WAFERSIGHT2的數(shù)據(jù)測量對比,進(jìn)一步驗(yàn)證了真值的再現(xiàn)性:

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(以上為新啟航實(shí)測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)

該系統(tǒng)基于第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù),相較傳統(tǒng)雙探頭對射掃描,可一次完成所有平面度及厚度參數(shù)測量。其創(chuàng)新掃描原理極大提升材料兼容性,從輕摻到重?fù)絇型硅,到碳化硅、藍(lán)寶石、玻璃等多種晶圓材料均適用:?

對重?fù)叫凸瑁删珳?zhǔn)探測強(qiáng)吸收晶圓前后表面;?

點(diǎn)掃描第三代掃頻激光技術(shù),有效抵御光譜串?dāng)_,勝任粗糙晶圓表面測量;?

通過偏振效應(yīng)補(bǔ)償,增強(qiáng)低反射碳化硅、鈮酸鋰晶圓測量信噪比;

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(以上為新啟航實(shí)測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)

支持絕緣體上硅和MEMS多層結(jié)構(gòu)測量,覆蓋μm級到數(shù)百μm級厚度范圍,還可測量薄至4μm、精度達(dá)1nm的薄膜。

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(以上為新啟航實(shí)測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)

此外,可調(diào)諧掃頻激光具備出色的“溫漂”處理能力,在極端環(huán)境中抗干擾性強(qiáng),顯著提升重復(fù)測量穩(wěn)定性。

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(以上為新啟航實(shí)測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)

系統(tǒng)采用第三代高速掃頻可調(diào)諧激光器,擺脫傳統(tǒng)SLD光源對“主動式減震平臺”的依賴,憑借卓越抗干擾性實(shí)現(xiàn)小型化設(shè)計,還能與EFEM系統(tǒng)集成,滿足產(chǎn)線自動化測量需求。運(yùn)動控制靈活,適配2-12英寸方片和圓片測量。

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