引言

碳化硅襯底 TTV（總厚度變化）厚度是衡量其質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響半導(dǎo)體器件性能。合理選擇測(cè)量?jī)x器對(duì)準(zhǔn)確獲取 TTV 數(shù)據(jù)至關(guān)重要，不同應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)測(cè)量?jī)x器的要求存在差異，深入分析選型要點(diǎn)與應(yīng)用適配性，有助于提升測(cè)量效率與質(zhì)量。

選型指南

測(cè)量精度與分辨率

碳化硅襯底 TTV 厚度通常在微米級(jí)甚至亞微米級(jí)，測(cè)量?jī)x器的精度和分辨率需與之匹配。光學(xué)干涉類(lèi)儀器，如白光干涉儀，憑借其納米級(jí)的測(cè)量精度，能精準(zhǔn)捕捉襯底表面細(xì)微高度變化，適用于對(duì) TTV 精度要求極高的場(chǎng)景 。激光掃描類(lèi)儀器，部分型號(hào)可實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)分辨率，在滿(mǎn)足多數(shù)常規(guī)生產(chǎn)檢測(cè)需求的同時(shí)，還具備較高的測(cè)量速度 。在選型時(shí)，需根據(jù)生產(chǎn)工藝對(duì) TTV 的公差要求，選擇對(duì)應(yīng)精度與分辨率的儀器，避免因精度不足影響產(chǎn)品質(zhì)量，或因過(guò)度追求高精度導(dǎo)致成本浪費(fèi) 。

測(cè)量速度與效率

對(duì)于大規(guī)模生產(chǎn)場(chǎng)景，測(cè)量速度直接影響生產(chǎn)節(jié)拍。接觸式測(cè)量?jī)x器，如探針式厚度測(cè)量?jī)x，雖測(cè)量精度較高，但需逐點(diǎn)測(cè)量，耗時(shí)較長(zhǎng)，不適用于批量快速檢測(cè) 。非接觸式測(cè)量?jī)x器，如激光掃描共聚焦顯微鏡，可通過(guò)快速掃描獲取大面積襯底表面數(shù)據(jù)，大幅提升測(cè)量效率 。在實(shí)際選型中，應(yīng)綜合考量生產(chǎn)規(guī)模與檢測(cè)周期，選擇能滿(mǎn)足測(cè)量效率要求的儀器，以保障生產(chǎn)線的流暢運(yùn)行 。

儀器穩(wěn)定性與耐用性

碳化硅襯底生產(chǎn)環(huán)境復(fù)雜，可能存在高溫、粉塵等因素，對(duì)測(cè)量?jī)x器的穩(wěn)定性與耐用性提出挑戰(zhàn) 。選型時(shí)需關(guān)注儀器的防護(hù)等級(jí)、抗干擾能力以及關(guān)鍵部件的使用壽命 。例如，具備防塵、防潮設(shè)計(jì)的儀器，能在惡劣生產(chǎn)環(huán)境中保持穩(wěn)定運(yùn)行；采用模塊化設(shè)計(jì)的儀器，便于關(guān)鍵部件的更換與維護(hù)，延長(zhǎng)儀器使用壽命 。

應(yīng)用場(chǎng)景分析

研發(fā)實(shí)驗(yàn)室場(chǎng)景

在碳化硅襯底研發(fā)階段，需要對(duì)新型材料和工藝進(jìn)行深入研究，對(duì) TTV 厚度測(cè)量的精度和數(shù)據(jù)完整性要求極高 。白光干涉儀、原子力顯微鏡等高精度儀器成為首選 。白光干涉儀可快速獲取襯底表面三維形貌數(shù)據(jù)，原子力顯微鏡則能在納米尺度下對(duì)襯底表面進(jìn)行精確測(cè)量，幫助研究人員深入分析襯底微觀結(jié)構(gòu)與 TTV 之間的關(guān)系，為工藝優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支持 。

晶圓制造生產(chǎn)線場(chǎng)景

晶圓制造生產(chǎn)線對(duì) TTV 厚度測(cè)量的效率和穩(wěn)定性要求突出 。激光掃描類(lèi)儀器，如激光輪廓儀，憑借快速掃描、非接觸測(cè)量的特點(diǎn)，能實(shí)現(xiàn)對(duì)碳化硅襯底的在線快速檢測(cè) 。其可在短時(shí)間內(nèi)完成整片襯底的 TTV 測(cè)量，并將數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)反饋至生產(chǎn)控制系統(tǒng)，便于及時(shí)調(diào)整工藝參數(shù)，保證產(chǎn)品質(zhì)量的一致性 。

質(zhì)量檢測(cè)與認(rèn)證場(chǎng)景

質(zhì)量檢測(cè)與認(rèn)證機(jī)構(gòu)需確保測(cè)量結(jié)果的權(quán)威性和可靠性 。選用經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)且具備高精度、高重復(fù)性的測(cè)量?jī)x器至關(guān)重要 。如高精度的光學(xué)輪廓儀，不僅能滿(mǎn)足嚴(yán)格的測(cè)量精度要求，還具備完善的溯源體系和數(shù)據(jù)管理功能，可生成符合標(biāo)準(zhǔn)的檢測(cè)報(bào)告，為產(chǎn)品質(zhì)量認(rèn)證提供有力依據(jù) 。

高通量晶圓測(cè)厚系統(tǒng)運(yùn)用第三代掃頻OCT技術(shù)，精準(zhǔn)攻克晶圓/晶片厚度TTV重復(fù)精度不穩(wěn)定難題，重復(fù)精度達(dá)3nm以下。針對(duì)行業(yè)厚度測(cè)量結(jié)果不一致的痛點(diǎn)，經(jīng)不同時(shí)段測(cè)量驗(yàn)證，保障再現(xiàn)精度可靠。?

我們的數(shù)據(jù)和WAFERSIGHT2的數(shù)據(jù)測(cè)量對(duì)比,進(jìn)一步驗(yàn)證了真值的再現(xiàn)性：

（以上為新啟航實(shí)測(cè)樣品數(shù)據(jù)結(jié)果）

該系統(tǒng)基于第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù)，相較傳統(tǒng)雙探頭對(duì)射掃描，可一次完成所有平面度及厚度參數(shù)測(cè)量。其創(chuàng)新掃描原理極大提升材料兼容性，從輕摻到重?fù)絇型硅，到碳化硅、藍(lán)寶石、玻璃等多種晶圓材料均適用：?

對(duì)重?fù)叫凸?，可精?zhǔn)探測(cè)強(qiáng)吸收晶圓前后表面；?

點(diǎn)掃描第三代掃頻激光技術(shù)，有效抵御光譜串?dāng)_，勝任粗糙晶圓表面測(cè)量；?

通過(guò)偏振效應(yīng)補(bǔ)償，增強(qiáng)低反射碳化硅、鈮酸鋰晶圓測(cè)量信噪比；

（以上為新啟航實(shí)測(cè)樣品數(shù)據(jù)結(jié)果）

支持絕緣體上硅和MEMS多層結(jié)構(gòu)測(cè)量，覆蓋μm級(jí)到數(shù)百μm級(jí)厚度范圍，還可測(cè)量薄至4μm、精度達(dá)1nm的薄膜。

（以上為新啟航實(shí)測(cè)樣品數(shù)據(jù)結(jié)果）

此外，可調(diào)諧掃頻激光具備出色的“溫漂”處理能力，在極端環(huán)境中抗干擾性強(qiáng)，顯著提升重復(fù)測(cè)量穩(wěn)定性。

（以上為新啟航實(shí)測(cè)樣品數(shù)據(jù)結(jié)果）

系統(tǒng)采用第三代高速掃頻可調(diào)諧激光器，擺脫傳統(tǒng)SLD光源對(duì)“主動(dòng)式減震平臺(tái)”的依賴(lài)，憑借卓越抗干擾性實(shí)現(xiàn)小型化設(shè)計(jì)，還能與EFEM系統(tǒng)集成，滿(mǎn)足產(chǎn)線自動(dòng)化測(cè)量需求。運(yùn)動(dòng)控制靈活，適配2-12英寸方片和圓片測(cè)量。