深圳市浮思特科技有限公司文章

• 中國SiC功率半導體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展2024-05-08 10:49

  

  根據(jù)TrendForce集邦咨詢的數(shù)據(jù)報告顯示，中國在SiC功率半導體產(chǎn)業(yè)中占據(jù)領(lǐng)先地位，特別是在功率元件業(yè)務(wù)中達到了42.4%的高占比。這一領(lǐng)域涵蓋了Fabless、IDM以及Foundry等多個子行業(yè)。此外，中國在SiC襯底和外延材料制造方面也日益受到國際市場的認可，逐漸在全球供應(yīng)鏈中占據(jù)重要地位。盡管如此，國內(nèi)廠商在晶體厚度和一致性方面仍需加強技術(shù)積累

  SiC 功率半導體 電驅(qū)系統(tǒng) 1015瀏覽量

• 氫電動汽車：可持續(xù)交通的未來?2024-05-08 10:48

  

  通常來說，電動汽車與具有可充電的大型電池的車輛相關(guān)，然而，最近出現(xiàn)了其他令人興奮的驅(qū)動技術(shù)。最有前途的解決方案之一是配備氫基礎(chǔ)設(shè)施的電動汽車，它使用燃料電池發(fā)電，這是一種無排放且無需長時間充電的替代方案。具體來說，這是指氫電驅(qū)動，也稱為燃料電池驅(qū)動。氫電動汽車代表了未來可持續(xù)交通的生態(tài)解決方案。這些車輛使用燃料電池將氫轉(zhuǎn)化為電能，消除有害排放并減少對環(huán)境的影

  燃料電池 電動汽車 641瀏覽量

• 英飛凌為小米新款SU7智能電動汽車提供碳化硅 (SiC) 功率模塊2024-05-07 11:30

  

  近日，我們注意到在電動車行業(yè)中，小米電動汽車的新款SU7將由英飛凌科技提供具備碳化硅(SiC)元素的功率模塊CoolSiC以及裸芯片產(chǎn)品。英飛凌的這款CoolSiC技術(shù)產(chǎn)品可以實現(xiàn)更高的工作溫度，并帶來最優(yōu)的性能，長久的使用壽命以及強大的驅(qū)動力。這種技術(shù)已經(jīng)可以用于進一步提高電動汽車的駕駛里程。英飛凌的HybridPACKDrive已經(jīng)在市場上取得了巨大的成

  小米 電動汽車 英飛凌 958瀏覽量

• 探索非對稱結(jié)構(gòu)減少半導體器件中的應(yīng)力2024-05-07 11:29

  

  電子產(chǎn)品廣泛使用半導體器件，這些器件負責改變電源、通信和處理信號。然而，諸如熱量、高電壓、高電流或頻率變化等壓力因素會影響器件的性能、可靠性和效率。因此，開發(fā)能夠抵抗這些壓力的半導體器件顯得尤為重要。一種有效減少壓力的方法是采用不對稱結(jié)構(gòu)，比如三相電流源整流器(CSR)。01CSR是一種能夠?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)換為直流電的電力轉(zhuǎn)換器，具備降壓功能。它通過在三個橋臂上各

  半導體器件 電子產(chǎn)品 高電流 1034瀏覽量

• 模塊化碳化硅（SiC）器件評估的深入分析2024-05-06 15:32

  

  碳化硅(SiC)的高性能能力正在改變功率電子領(lǐng)域的格局，帶來了諸如卓越的效率、增加的功率密度和提升的熱性能等好處。值得注意的是，汽車應(yīng)用正從SiC技術(shù)中受益良多，主要用于主驅(qū)動、車載充電器和電池充電站。我們從之前的文章中了解到，SiC的介電強度是硅的十倍，使其能夠創(chuàng)建滿足充電基礎(chǔ)設(shè)施和智能電網(wǎng)需求的高壓器件。此外，SiC的高開關(guān)頻率使得可以減小磁鐵和電感器等

  SiC sic器件 模塊化 碳化硅 1722瀏覽量

• 碳化硅(SiC)功率器件市場的爆發(fā)與行業(yè)展望2024-04-30 10:42

  

  隨著全球?qū)﹄妱悠嚱蛹{度的逐漸提高，碳化硅(SiC)在未來的十年里將迎來全新的增長機遇。預(yù)計，將來功率半導體的生產(chǎn)商和汽車行業(yè)的運作商會更積極地參與到這一領(lǐng)域的價值鏈建設(shè)中來。01碳化硅功率器件采用的是一種名為SiC的高級半導體材料，它與傳統(tǒng)的硅材料相比有著不少突出的優(yōu)勢。這些優(yōu)勢源于它的技術(shù)性能上的突破，如能在更高溫度和電壓下正常工作、降低開關(guān)時的能耗以及

  SiC 功率器件 電動汽車 1836瀏覽量

• 汽車半導體需求放緩，意法半導體調(diào)降2024營收2024-04-29 11:51

  

  意法半導體公司在最新發(fā)布的2024年第一季度財報中顯示，由于汽車半導體市場的需求減弱及消費電子產(chǎn)品的需求萎縮，公司不得不下調(diào)了全年的營收預(yù)期。根據(jù)意法半導體發(fā)布的數(shù)據(jù)，第一季度凈營收為34.65億美元，相比去年同期下降了18.4%，與上個季度相比，下降了19.1%。毛利為14.44億美元，同比減少31.6%，環(huán)比減少26%，毛利率為41.7%。凈利潤方面，公

  半導體 模擬器件 汽車 910瀏覽量

• SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)2024-04-29 11:49

  

  碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體預(yù)計將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比，它們具有更高的效率、功率密度和開關(guān)頻率等主要優(yōu)勢。離子注入是在硅器件中產(chǎn)生選擇性摻雜的主要方法。將其用于寬帶隙器件處理時存在一些挑戰(zhàn)。在本文中，我們將重點介紹其中的一些，同時總結(jié)它們在GaN功率器件中的一些潛在應(yīng)用。01有幾個因素決

  GaN SiC 功率器件 2594瀏覽量

• 一種軟件可配置的SiC MOSFET門驅(qū)動方法2024-04-28 13:47

  

  SiC技術(shù)已廣泛應(yīng)用于電動汽車、工業(yè)、可再生能源/電網(wǎng)和其他應(yīng)用的中壓和高壓應(yīng)用中。為了充分發(fā)揮其優(yōu)勢，系統(tǒng)開發(fā)人員必須首先抵消其更快的開關(guān)速度帶來的不良副作用。01由于基于SiC的系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜性不斷增加，傳統(tǒng)柵極驅(qū)動器不足以解決這些與SiC相關(guān)的挑戰(zhàn)。這些傳統(tǒng)柵極驅(qū)動器專為與速度慢得多的硅絕緣柵雙極晶體管(IGBT)配合使用而設(shè)計。想要實現(xiàn)更快的上市時間

  MOSFET SiC 驅(qū)動 880瀏覽量

• 華為攜手車企成立「超充聯(lián)盟」，引領(lǐng)智慧電動新紀元2024-04-26 11:43

  

  在第十八屆北京國際汽車展覽會召開前夕，華為在其2024華為智慧電動&智慧充電網(wǎng)絡(luò)戰(zhàn)略與新品發(fā)表會上，公布了一項劃時代的戰(zhàn)略。華為數(shù)字能源總裁侯金龍在大會上詳細闡釋了「一體三面」的電動化戰(zhàn)略，并正式宣布與多家車企、充電運營商及產(chǎn)業(yè)伙伴聯(lián)手成立了旨在推動電動車充電革命的「超充聯(lián)盟」。侯金龍在發(fā)布會中指出，中國新能源汽車市場經(jīng)過十余年的蓬勃發(fā)展，如今迎來了三個顯著

  華為 汽車充電 電動車 868瀏覽量