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氫能汽車和電能汽車誰是未來?2024-04-26 11:37
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全球MCU市場強勁增長,英飛凌鞏固全球汽車MCU市場龍頭地位2024-04-25 11:40
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如何看待半導(dǎo)體行業(yè)未來的新趨勢2024-04-25 11:38
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碳化硅 (SiC) MOSFET:為汽車電氣化的未來提供動力2024-04-24 11:48
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利用 Ga-FIB 洞察 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體結(jié)2024-04-23 10:49
盡管傳統(tǒng)高壓平面MOSFET取得了進步,但由于阻斷或漏源擊穿電壓因厚度、摻雜和幾何形狀而變化,因此局限性仍然存在。本文將講解超級結(jié)MOSFET(例如意法半導(dǎo)體的MDmesh技術(shù))通過晶圓上又深又窄的溝槽來應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。01該技術(shù)非常適合開關(guān)模式電源,采用超級結(jié)多漏極結(jié)構(gòu)來降低漏源壓降。高漏電或軟擊穿電壓等問題可能是由塊狀形成中的污染物或缺陷引??起的。因此, -
臺灣晶圓代工與IC封裝測試2023年均為全球第一2024-04-22 13:52
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氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)開發(fā)的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)2024-04-22 13:51
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汽車電子化潮流推動磁傳感器市場蓬勃發(fā)展2024-04-19 13:59
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封裝技術(shù)會成為摩爾定律的未來嗎?2024-04-19 13:55
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阿斯麥(ASML)公司首臺高數(shù)值孔徑EUV光刻機實現(xiàn)突破性成果2024-04-18 11:50