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GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法2024-04-18 11:49
氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢(shì)，如寬能隙和高電子遷移率。當(dāng)用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時(shí)，這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槠錈o反向恢復(fù)損失且電容相對(duì)較小。隨著這項(xiàng)技術(shù)在更廣泛的應(yīng)用范圍內(nèi)推廣，詳細(xì)理解提高產(chǎn)量和可靠性的根本原因至關(guān)重要。本文中，我們總結(jié)了在GaN晶圓加工過程中常見的一些缺陷，以及用于檢測(cè)這些缺陷的表征技術(shù)。01氮化鎵晶體結(jié)構(gòu) -
新能源汽車蓬勃發(fā)展，IGBT供應(yīng)緊張下的技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)能擴(kuò)張2024-04-17 13:47
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全新碳化硅MOSFET封裝技術(shù)提升電力模塊性能2024-04-17 13:46
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國(guó)內(nèi)碳化硅功率半導(dǎo)體元件市場(chǎng)迎來高速增長(zhǎng)2024-04-16 13:42
電動(dòng)汽車和新能源的需求蓬勃增長(zhǎng)正在推動(dòng)碳化硅功率半導(dǎo)體元件市場(chǎng)的擴(kuò)張。中國(guó)的碳化硅外延片生產(chǎn)商，在瀚天天成和天域半導(dǎo)體十多年的積累后，乘著新能源的東風(fēng)，在全球市場(chǎng)中迅速崛起。 -
碳化硅制備的重要性與難點(diǎn)和挑戰(zhàn)2024-04-16 13:35
這種耐高溫、承受高電壓、導(dǎo)熱性能好到驚人的材料，讓它在半導(dǎo)體、航空航天、電力電子等多個(gè)領(lǐng)域成為了革命性的材質(zhì)選擇。換句話說，沒有碳化硅，許多現(xiàn)代技術(shù)根本無法實(shí)現(xiàn)。 -
英飛凌推出新一代OptiMOS™ MOSFET技術(shù)封裝2024-04-15 15:49
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如何利用方波信號(hào)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管的奧秘揭秘2024-04-15 15:48
而今天，我們要探討的，是一種特別的信號(hào)——方波信號(hào)，它如何驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)(FET)的呢 -
電子世界的開關(guān)大師：MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管2024-04-12 11:58
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各大車企紛紛自研碳化硅模塊，開啟電動(dòng)汽車性能新篇章2024-04-11 14:50
碳化硅技術(shù)的應(yīng)用逐漸成為行業(yè)新寵，尤其是在提升電動(dòng)汽車性能方面。越來越多的汽車制造商開始關(guān)注并投入到自主研發(fā)碳化硅模塊的隊(duì)伍中。 -
穩(wěn)壓二極管的原理與應(yīng)用全解析2024-04-11 14:48
在這個(gè)電子技術(shù)日新月異的時(shí)代，無數(shù)微小的電子元件支撐起了我們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉钡碾娮釉O(shè)備。它們就像是一個(gè)個(gè)勤勞的小蜜蜂，默默地在電子設(shè)備的世界里忙碌著。
