深圳市浮思特科技有限公司文章

• 2024顯示驅(qū)動芯片市場回暖，智能手機需求強勁推動增長2024-05-16 11:18

  

  據(jù)群智咨詢數(shù)據(jù)顯示，隨著下游需求的逐步恢復，顯示驅(qū)動芯片(DisplayDriverIC)預計將迎來筑底回升。預計到2024年，全球顯示驅(qū)動芯片的營收將達到約111.3億美元，同比增長約0.8%。同時，2024年全年DDIC的供需比約為34.0%，整體供應相對寬松。然而，預計全球主要晶圓廠的高壓制程產(chǎn)能利用率將達到約80.2%，同比增長8.3個百分點。圖片來

  晶圓 智能手機 驅(qū)動芯片 1168瀏覽量

• SemiQ 1200V SiC MOSFET Module說明介紹2024-05-16 11:16

  

  SiCMOSFET模塊是一種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導體器件，它結(jié)合了MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)的高效開關特性和SiC材料的優(yōu)異性能。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比，SiCMOSFET模塊具有更高的工作溫度、更低的導通電阻、更快的開關速度和更好的熱導率，SiCMOSFET模塊的引入有助于提高系統(tǒng)效率，減小系統(tǒng)尺寸和重量，是現(xiàn)代電力

  Module MOSFET 半導體 941瀏覽量

• 我國力促芯片國產(chǎn)化進程，預計2027年實現(xiàn)整車芯片完全國產(chǎn)化2024-05-15 11:21

  

  國內(nèi)消息源透露，中國工信部已經(jīng)設定了宏大的目標，計劃在明年將芯片的國產(chǎn)化率提升至25%，并采用積分方式來驅(qū)動國家對國產(chǎn)芯片研發(fā)的資金支持。特別是在電動車領域，預計到2027年，整車所需的芯片將完全實現(xiàn)國產(chǎn)化。國內(nèi)驅(qū)動IC(集成電路)企業(yè)分析認為，雖然此舉非強制性質(zhì)，但無疑將對臺灣企業(yè)帶來新的挑戰(zhàn)。不過，由于IC設計的復雜性和車用芯片的長驗證周期，臺廠仍有一席

  電動車 芯片 驅(qū)動IC 3456瀏覽量

• SemiQ用于電動汽車快速充電的碳化硅2024-05-15 11:20

  

  SemiQ的各種碳化硅(SiC)二極管、模塊和MOSFET能夠滿足高效率電動汽車快速充電設計的需求，具有一流的可靠性、質(zhì)量和性能。SiC模塊和分立封裝中的1200V二極管具有一系列電壓和電流，可為300kW及以上的直流快速充電系統(tǒng)提供最終的效率增益。SemiQSiC在電動汽車快速充電中的優(yōu)勢：高效率降低工作溫度長期可靠性與Si相比，設計復雜性降低超過5400

  MOSFET 電動汽車 碳化硅 705瀏覽量

• 國內(nèi)外汽車巨頭積極布局，新能源汽車行業(yè)迎來智能化升級浪潮2024-05-14 10:51

  

  在激烈的內(nèi)卷和向國際市場進軍的背景下，國內(nèi)電動車行業(yè)正經(jīng)歷著從制造到智能駕駛的升級。然而，面對產(chǎn)業(yè)淘汰賽的殘酷現(xiàn)實，多數(shù)新創(chuàng)車廠因盈利不佳和資金緊張，急需外部資金支持。在這樣的背景下，主流車廠如大眾汽車和Stellantis，通過購并和持股新創(chuàng)車廠，試圖在未來汽車領域取得更進一步的地位。這種跨界合作主要出于兩個目的：一是為了更貼近國內(nèi)市場的制造成本和消費者喜

  新能源汽車 汽車 特斯拉 409瀏覽量

• SemiQ汽車用SiC MOSFET 介紹2024-05-14 10:48

  

  EVDC-DC轉(zhuǎn)換器SemiQ的SiC產(chǎn)品為汽車應用提供一流的可靠性、質(zhì)量和性能。我們提供模塊和分立封裝形式的1200VMOSFET，旨在最大限度地提高效率。DC-DC轉(zhuǎn)換器對于維護電動汽車的電氣系統(tǒng)至關重要。它們確保所有子系統(tǒng)都能獲得運行所需的適當電壓水平，同時最大限度地提高能源效率和安全性。這有助于現(xiàn)代電動汽車中高壓組件與低壓系統(tǒng)的無縫集成。SemiQS

  MOSFET SiC 轉(zhuǎn)換器 547瀏覽量

• SemiQ 推出高頻、高功率 SiC MOSFET 模塊2024-05-13 11:04

  

  SemiQ在其碳化硅(SiC)N溝道MOSFET產(chǎn)品組合中添加了一組全波H橋模塊。這些部件專為需要高電壓、高速和高功率部件的三重威脅應用而設計。它們針對超低開關損耗進行了優(yōu)化，從而提高了效率并降低了功耗。高效率、高結(jié)溫耐受性和陶瓷封裝可減少散熱并提高機械布局靈活性。陶瓷封裝可將散熱器直接安裝在隔離導熱墊上。電氣引腳觸點為通孔壓接連接，零件總占地面積為62.8

  MOSFET SiC 碳化硅 966瀏覽量

• 廠商紛紛推新2000V SiC MOSFET產(chǎn)品，光伏儲能領域迎來突破2024-05-10 10:57

  

  隨著清潔能源的發(fā)展步伐日益加快，光伏儲能技術領域也呈現(xiàn)出新的活力。特別是隨著電動汽車市場的蓬勃發(fā)展，功率半導體器件——硅碳化物(SiC)成為了行業(yè)新寵。這一趨勢不僅在汽車產(chǎn)業(yè)得到了證實，SiCMOSFET更是開始在光伏逆變器和工業(yè)電源等多個領域大放異彩。近期，光伏儲能系統(tǒng)的操作電壓水平不斷攀升，推動了2000VSiCMOSFET作為行業(yè)新熱點的崛起。面對這一

  MOSFET SiC 光伏 1182瀏覽量

• 一季度我國集成電路產(chǎn)量激增40%2024-05-09 10:45

  

  近日，中國工業(yè)和信息化部發(fā)布了2024年第一季度電子信息制造業(yè)的運行情況報告，數(shù)據(jù)顯示，我國在這一時期內(nèi)電子信息制造業(yè)整體表現(xiàn)強勁，尤其是集成電路產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)量達到了驚人的981億塊，同比增長高達40%，這一成績在當前全球經(jīng)濟形勢下尤為亮眼。在微型計算機設備方面，一季度產(chǎn)量為7404萬臺，雖然同比下降了0.8%，但考慮到全球供應鏈的波動和市場需求的變化，這一小幅

  電子信息 集成電路 600瀏覽量

• 改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時間2024-05-09 10:43

  

  在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個關鍵參數(shù)，即短路耐受時間 (SCWT)。

  GaN HEMT 功率器件 1740瀏覽量