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青島佳恩半導(dǎo)體有限公司

文章:64 被閱讀:38.7w 粉絲數(shù):8 關(guān)注數(shù):0 點(diǎn)贊數(shù):4

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IGBT功率器件的散熱方式

功率器件的正常運(yùn)行在很大程度上依賴于散熱。常用的散熱方式有自冷、風(fēng)冷、水冷和沸騰冷卻四種。
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 07-15 16:31 ?2169次閱讀
IGBT功率器件的散熱方式

逆變器IPM/IGBT模塊容量的選擇

以IGBT模塊應(yīng)用三相逆變電路為例。
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 07-15 16:28 ?1390次閱讀
逆變器IPM/IGBT模塊容量的選擇

IGBT模塊的功率損耗詳解

IGBT模塊關(guān)斷截止時(shí),I(t)≈0,損耗的功率可忽略。為了便于分析,將IGBT損耗分為導(dǎo)通損耗和開(kāi)....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 05-31 09:06 ?16308次閱讀
IGBT模塊的功率損耗詳解

青島佳恩半導(dǎo)體有限公司與西安電子科技大學(xué)合作簽約儀式圓滿成功!

5月28日,青島佳恩半導(dǎo)體有限公司與西安電子科技大學(xué)戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島隆重舉行,參加此次簽約儀式....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 05-29 14:29 ?1093次閱讀
青島佳恩半導(dǎo)體有限公司與西安電子科技大學(xué)合作簽約儀式圓滿成功!

典型IGBT短路保護(hù)電路的工作原理簡(jiǎn)析

圖5-14所示是采用IGBT過(guò)流時(shí)UCE增大的原理構(gòu)成的保護(hù)電路,該電路采用IGBT專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)器EXB....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 05-24 09:03 ?22352次閱讀
典型IGBT短路保護(hù)電路的工作原理簡(jiǎn)析

淺析IGBT并聯(lián)技術(shù)-并聯(lián)方法分類(lèi)

IGBT并聯(lián)可以分為“硬并聯(lián)”及“橋臂并聯(lián)”2大類(lèi)。
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 05-17 09:02 ?21766次閱讀
淺析IGBT并聯(lián)技術(shù)-并聯(lián)方法分類(lèi)

影響靜態(tài)均流的因素 IGBT芯片溫度對(duì)均流的影響

并聯(lián)IGBT的直流母線側(cè)連接點(diǎn)的電阻分量,因此需要盡量對(duì)稱(chēng);
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 05-10 11:40 ?2052次閱讀
影響靜態(tài)均流的因素 IGBT芯片溫度對(duì)均流的影響

IGBT驅(qū)動(dòng)器直接并聯(lián)的優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)介紹

IGBT驅(qū)動(dòng)器在并聯(lián)的場(chǎng)合有2種配置方法(LS1,LS2為雜散參數(shù))
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 04-26 11:21 ?2550次閱讀
IGBT驅(qū)動(dòng)器直接并聯(lián)的優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)介紹

一文詳解IGBT半橋逆變電路

圖1是半橋式逆變電路的原理圖,它是在全橋式逆變電路的基礎(chǔ)上用電容C1、C2代替了Q3、Q4兩個(gè)IGB....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 04-19 10:17 ?15516次閱讀
一文詳解IGBT半橋逆變電路

關(guān)于IGBT模塊的散熱設(shè)計(jì)

由于IGBT模塊自身有一定的功耗,IGBT模塊本身會(huì)發(fā)熱。在一定外殼散熱條件下,功率器件存在一定的溫....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 03-22 09:58 ?38626次閱讀
關(guān)于IGBT模塊的散熱設(shè)計(jì)

什么是隔離?電機(jī)控制中IGBT驅(qū)動(dòng)為什么需要隔離?

電化隔離:電荷無(wú)法由一個(gè)電路移動(dòng)到另一個(gè)電路,雙方信號(hào)通過(guò)其他方式交換信息。
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 03-08 10:57 ?39037次閱讀
什么是隔離?電機(jī)控制中IGBT驅(qū)動(dòng)為什么需要隔離?

IGBT驅(qū)動(dòng)電路過(guò)流保護(hù)的分類(lèi)及其檢測(cè)方法

IGBT的過(guò)流保護(hù)電路可分為兩類(lèi):一類(lèi)是低倍數(shù)(1.2-1.5倍)的過(guò)載保護(hù);另一類(lèi)是高倍數(shù)(可達(dá)8....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 03-01 09:04 ?40742次閱讀
IGBT驅(qū)動(dòng)電路過(guò)流保護(hù)的分類(lèi)及其檢測(cè)方法

佳恩半導(dǎo)體成功入選青島市2023年度小微企業(yè)創(chuàng)新轉(zhuǎn)型項(xiàng)目名單!

近日,市民營(yíng)經(jīng)濟(jì)發(fā)展局公示了青島市2023年度小微企業(yè)創(chuàng)新轉(zhuǎn)型項(xiàng)目的名單,我司成功入選,同時(shí)感謝大家....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 02-26 15:38 ?876次閱讀
佳恩半導(dǎo)體成功入選青島市2023年度小微企業(yè)創(chuàng)新轉(zhuǎn)型項(xiàng)目名單!

IGBT典型過(guò)流保護(hù)電路設(shè)計(jì)分享

所謂集中過(guò)電流保護(hù),就是檢測(cè)逆變橋輸入直流母線上的電流,當(dāng)該電流值超過(guò)設(shè)定的閾值時(shí),封鎖所有橋臂IG....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 02-23 09:03 ?37662次閱讀
IGBT典型過(guò)流保護(hù)電路設(shè)計(jì)分享

淺析IGBT元件的并聯(lián)注意事項(xiàng)

由于門(mén)極-發(fā)射極連線電感LG、RG、還有Cies之間的關(guān)系,如果在門(mén)極驅(qū)動(dòng)環(huán)路內(nèi)發(fā)生震蕩,有可能因?yàn)?...
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 01-25 09:11 ?1132次閱讀
淺析IGBT元件的并聯(lián)注意事項(xiàng)

淺談IGBT模塊使用溫度范圍

IGBT模塊的運(yùn)行溫度范圍是非常重要的參數(shù)。一些設(shè)備要求工作在室溫下,而另一些設(shè)備要求工作在很寬的溫....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 01-19 16:25 ?8000次閱讀
淺談IGBT模塊使用溫度范圍

?IGBT模塊的損耗特性介紹

IGBT元件的損耗總和分為:通態(tài)損耗與開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗分別為開(kāi)通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 01-12 09:07 ?4088次閱讀
?IGBT模塊的損耗特性介紹

IGBT模塊的門(mén)極驅(qū)動(dòng)介紹

額定門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓:門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓在±20V范圍內(nèi)施加超過(guò)此范圍的電壓時(shí),門(mén)極-發(fā)射極間的氧化膜(SiO....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 01-05 09:06 ?4437次閱讀
IGBT模塊的門(mén)極驅(qū)動(dòng)介紹

IGBT模塊電磁兼容性設(shè)計(jì)

變流器主電路在空間產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度隨輸入、輸出母線中通過(guò)電流的強(qiáng)弱而變化,同時(shí)IGBT模塊產(chǎn)生的空間交....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 12-15 16:26 ?950次閱讀

IGBT單管及IGBT模塊的區(qū)別在哪?

IGBT最常見(jiàn)的形式其實(shí)是模塊(Module),而不是單管。
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 12-08 14:14 ?3219次閱讀

一文了解IGBT的極限值

在文件數(shù)據(jù)表中,按照IGBT 模塊(IGBT,二極管,殼體,溫度傳感器等)的各個(gè)組成部分別給出它們的....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 12-01 09:12 ?2757次閱讀
一文了解IGBT的極限值

為什么IGBT會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象?

這是某產(chǎn)品輸出特性曲線,可以看到IGBT工作區(qū)分為三個(gè)部分。
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 11-03 08:53 ?5705次閱讀
為什么IGBT會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象?

溫度變化對(duì)模塊壽命有何影響?

所有功率模塊內(nèi)部的熱循環(huán)變化都會(huì)導(dǎo)致模塊老化。原因是使用材料的熱膨脹性不同,所以它們之間熱應(yīng)力是連接....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 10-27 11:38 ?1184次閱讀
溫度變化對(duì)模塊壽命有何影響?

IGBT模塊機(jī)械構(gòu)造相關(guān)的電氣特性參數(shù)

? IGBT模塊參數(shù)詳解-模塊整體參數(shù) 該部分描述與IGBT模塊機(jī)械構(gòu)造相關(guān)的電氣特性參數(shù),包括絕緣....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 09-08 08:58 ?3376次閱讀
IGBT模塊機(jī)械構(gòu)造相關(guān)的電氣特性參數(shù)

igbt模塊的作用 igbt模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖

? IGBT模塊內(nèi)部 雜散電感的定義 IGBT半橋逆變電路工作原理以及當(dāng)IGBT1開(kāi)通關(guān)斷時(shí)的電壓電....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 08-18 09:08 ?4900次閱讀
igbt模塊的作用 igbt模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖

哪些場(chǎng)景只能用三極管而不能用MOSFET

開(kāi)關(guān)速度:當(dāng)需要高速開(kāi)關(guān)時(shí),三極管是更好的選擇。例如,在瞬態(tài)電路中,需要快速切換的信號(hào)通常需要使用三....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 05-19 14:02 ?666次閱讀
哪些場(chǎng)景只能用三極管而不能用MOSFET

IGBT半導(dǎo)體與MOS管、三極管的區(qū)別

我們就從常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)說(shuō)起,這邊給他接一個(gè)電源,右邊接一個(gè)負(fù)載,然后不停的開(kāi)關(guān)這個(gè)開(kāi)關(guān),那么這個(gè)負(fù)載上的....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 03-31 11:03 ?2473次閱讀

功率半導(dǎo)體器件IGBT結(jié)溫測(cè)試方法

功率循環(huán)試驗(yàn)中最重要的是準(zhǔn)確在線測(cè)量結(jié)溫,直接影響試驗(yàn)結(jié)果和結(jié)論。比較總結(jié)了各種溫度測(cè)量方法的一致性....
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IGBT失效原因分析

超出關(guān)斷安全工作區(qū)引起擎住效應(yīng)而損壞擎住效應(yīng)分靜態(tài)擎住效應(yīng)和動(dòng)態(tài)擎住效應(yīng)。IGBT為PNPN4層結(jié)構(gòu)....
的頭像 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 發(fā)表于 01-13 10:16 ?2127次閱讀

變頻器的制動(dòng)單元和逆變部分的續(xù)流二極管不是矛盾了嗎?

通過(guò)制動(dòng)單元外接制動(dòng)電阻,該方式配合母線電壓檢測(cè)。當(dāng)電機(jī)迅速停機(jī)時(shí),電機(jī)繞組上的能量會(huì)通過(guò)逆變側(cè)的反....
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