新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品
作為國(guó)內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持....
NSG4427柵極驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)品特性
NSG4427是低電壓功率MOSFET和IGBT同相位柵驅(qū)動(dòng)器。專有的閂鎖免疫CMOS技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)高....
新潔能Gen.4超結(jié)MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹
超結(jié)MOS采用垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在漂移區(qū)內(nèi)交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū)，形成“超級(jí)結(jié)”單元，通過(guò)電荷....
金蘭功率半導(dǎo)體推出全新三電平逆變儲(chǔ)能一體模塊
在“雙碳”目標(biāo)驅(qū)動(dòng)下，光伏逆變、儲(chǔ)能系統(tǒng)及工業(yè)變頻領(lǐng)域?qū)β誓K的高效率、高功率密度需求持續(xù)攀升。三....
一文詳解寄生參數(shù)對(duì)柵極震蕩的影響
在現(xiàn)代電子電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用中，寄生參數(shù)是指那些并非設(shè)計(jì)者最初所期望的，但在電路或元器件中由于物理結(jié)構(gòu)、....
新潔能推出HO系列MOSFET產(chǎn)品
隨著市場(chǎng)對(duì)高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長(zhǎng)，新潔能（NCE）產(chǎn)品研發(fā)部門(mén)推出....
新潔能車(chē)規(guī)級(jí)PDFN 5x6雙面散熱功率器件介紹
在汽車(chē)電子行業(yè)飛速發(fā)展的今天，提升可靠性、效率和散熱性能成為了功率器件設(shè)計(jì)的重要方向。車(chē)規(guī)級(jí) PDF....
高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V介紹
JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊，采用溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)I....
NSG6000 650V單通道半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片介紹
NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅(qū)動(dòng)器。自帶死區(qū)保護(hù)、高低側(cè)互鎖功能，防....
新潔能榮獲2024年全球半導(dǎo)體企業(yè)綜合競(jìng)爭(zhēng)力百?gòu)?qiáng)
近日，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)峰會(huì)在上海成功召開(kāi)。會(huì)上，世界集成電路協(xié)會(huì)發(fā)布了全球半導(dǎo)體企業(yè)綜合競(jìng)爭(zhēng)力百?gòu)?qiáng)報(bào)告....
新潔能150V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品介紹
150V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品采用全新屏蔽柵溝槽技術(shù)，特征導(dǎo)通電阻Rsp（導(dǎo)通電....
新潔能650V Gen.7 IGBT系列產(chǎn)品介紹
新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品，基于微溝槽場(chǎng)截止技術(shù)，可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用....
功率器件雪崩擊穿的工作原理和失效機(jī)理
雪崩耐量是功率器件性能評(píng)估的關(guān)鍵指標(biāo)，那么什么是雪崩耐量呢？即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓....
雙脈沖測(cè)試之開(kāi)關(guān)特性參數(shù)講解
功率開(kāi)關(guān)器件的規(guī)格書(shū)上有著多種多樣的數(shù)據(jù)，如靜態(tài)特性參數(shù)，動(dòng)態(tài)特性參數(shù)，開(kāi)關(guān)特性參數(shù)等等。其中靜態(tài)特....
國(guó)產(chǎn)功率器件供應(yīng)商無(wú)錫新潔能榮獲寧波德業(yè)年度“戰(zhàn)略供應(yīng)商”稱號(hào)
近日，無(wú)錫新潔能榮獲重要客戶寧波德業(yè)年度“戰(zhàn)略供應(yīng)商”稱號(hào)。 在過(guò)去的一年中，新潔能憑借優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)....
工商網(wǎng)監(jiān)