新潔能斬獲陽(yáng)光電源2025年度三項(xiàng)重磅榮譽(yù)
近日，無錫新潔能在陽(yáng)光電源供應(yīng)鏈生態(tài)大會(huì)中斬獲三項(xiàng)重磅榮譽(yù) —— 憑借卓越的合作價(jià)值與技術(shù)支撐榮獲陽(yáng)....
鋰電池保護(hù)電路的工作原理分析與應(yīng)用方案
鋰電池在使用過程中容易出現(xiàn)以下幾個(gè)問題：過充、過放、過溫、過流、短路及永久失效，所以在鋰電池的應(yīng)用中....
使用鐵氧體磁珠解決EMC噪聲和功率器件柵極振蕩
整機(jī)應(yīng)用中，EMC測(cè)試是現(xiàn)在必不可少的一個(gè)測(cè)試環(huán)節(jié)，其中EMC產(chǎn)生的原因和功率器件的振蕩、電源紋波率....
金蘭功率模塊解決方案推動(dòng)能源產(chǎn)業(yè)變革
“十五五”規(guī)劃明確提出，要構(gòu)建現(xiàn)代能源體系，推動(dòng)能源清潔低碳安全高效利用，大幅提升光伏、風(fēng)電等新能源....
金蘭功率半導(dǎo)體發(fā)布基于LE3封裝400A 1200V TNPC模塊
在碳中和的宏偉藍(lán)圖下，光伏產(chǎn)業(yè)如火如荼。對(duì)于追求更高效率、更低度電成本的行業(yè)客戶而言，125KW+三....
車載OBC中全橋變換器功率MOS管的應(yīng)用及注意事項(xiàng)
隨著電動(dòng)汽車的發(fā)展，功率MOS管在汽車電子的應(yīng)用也日益增多，本文就車載OBC中全橋變換器功率MOS管....
新潔能推出增強(qiáng)型N溝道MOSFET系列產(chǎn)品
新潔能研發(fā)團(tuán)隊(duì)溝槽型工藝平臺(tái)推出耐壓30V 1mΩ級(jí)別增強(qiáng)型N溝道MOSFET 系列產(chǎn)品。
新潔能榮獲2024年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)
近日，在中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件年會(huì)上，新潔能憑借在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)和行業(yè)貢獻(xiàn)，再次成....
新潔能2153X系列半橋驅(qū)動(dòng)芯片介紹
2153X系列是高壓、高速功率自振蕩半橋驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品線。 2153X浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高低側(cè)N溝道功率M....
新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品
作為國(guó)內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持....
NSG4427柵極驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)品特性
NSG4427是低電壓功率MOSFET和IGBT同相位柵驅(qū)動(dòng)器。專有的閂鎖免疫CMOS技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)高....
新潔能Gen.4超結(jié)MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹
超結(jié)MOS采用垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在漂移區(qū)內(nèi)交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū)，形成“超級(jí)結(jié)”單元，通過電荷....
金蘭功率半導(dǎo)體推出全新三電平逆變儲(chǔ)能一體模塊
在“雙碳”目標(biāo)驅(qū)動(dòng)下，光伏逆變、儲(chǔ)能系統(tǒng)及工業(yè)變頻領(lǐng)域?qū)β誓K的高效率、高功率密度需求持續(xù)攀升。三....
一文詳解寄生參數(shù)對(duì)柵極震蕩的影響
在現(xiàn)代電子電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用中，寄生參數(shù)是指那些并非設(shè)計(jì)者最初所期望的，但在電路或元器件中由于物理結(jié)構(gòu)、....
新潔能推出HO系列MOSFET產(chǎn)品
隨著市場(chǎng)對(duì)高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長(zhǎng)，新潔能（NCE）產(chǎn)品研發(fā)部門推出....
新潔能車規(guī)級(jí)PDFN 5x6雙面散熱功率器件介紹
在汽車電子行業(yè)飛速發(fā)展的今天，提升可靠性、效率和散熱性能成為了功率器件設(shè)計(jì)的重要方向。車規(guī)級(jí) PDF....
高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V介紹
JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊，采用溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)I....
NSG6000 650V單通道半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片介紹
NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅(qū)動(dòng)器。自帶死區(qū)保護(hù)、高低側(cè)互鎖功能，防....
新潔能榮獲2024年全球半導(dǎo)體企業(yè)綜合競(jìng)爭(zhēng)力百?gòu)?qiáng)
近日，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)峰會(huì)在上海成功召開。會(huì)上，世界集成電路協(xié)會(huì)發(fā)布了全球半導(dǎo)體企業(yè)綜合競(jìng)爭(zhēng)力百?gòu)?qiáng)報(bào)告....
新潔能150V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品介紹
150V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品采用全新屏蔽柵溝槽技術(shù)，特征導(dǎo)通電阻Rsp（導(dǎo)通電....
新潔能650V Gen.7 IGBT系列產(chǎn)品介紹
新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品，基于微溝槽場(chǎng)截止技術(shù)，可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用....
功率器件雪崩擊穿的工作原理和失效機(jī)理
雪崩耐量是功率器件性能評(píng)估的關(guān)鍵指標(biāo)，那么什么是雪崩耐量呢？即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓....
雙脈沖測(cè)試之開關(guān)特性參數(shù)講解
功率開關(guān)器件的規(guī)格書上有著多種多樣的數(shù)據(jù)，如靜態(tài)特性參數(shù)，動(dòng)態(tài)特性參數(shù)，開關(guān)特性參數(shù)等等。其中靜態(tài)特....
國(guó)產(chǎn)功率器件供應(yīng)商無錫新潔能榮獲寧波德業(yè)年度“戰(zhàn)略供應(yīng)商”稱號(hào)
近日，無錫新潔能榮獲重要客戶寧波德業(yè)年度“戰(zhàn)略供應(yīng)商”稱號(hào)。 在過去的一年中，新潔能憑借優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)....
工商網(wǎng)監(jiān)