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      無錫新潔能股份有限公司

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      車載OBC中全橋變換器功率MOS管的應用及注意事項

      隨著電動汽車的發(fā)展，功率MOS管在汽車電子的應用也日益增多，本文就車載OBC中全橋變換器功率MOS管....
      的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 10-21 11:24 ?4811次閱讀
      車載OBC中全橋變換器功率MOS管的應用及注意事項

      新潔能推出增強型N溝道MOSFET系列產(chǎn)品

      新潔能研發(fā)團隊溝槽型工藝平臺推出耐壓30V 1mΩ級別增強型N溝道MOSFET 系列產(chǎn)品。
      的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 08-22 18:02 ?1388次閱讀
      新潔能推出增強型N溝道MOSFET系列產(chǎn)品

      新潔能榮獲2024年中國半導體行業(yè)功率器件十強企業(yè)

      近日，在中國半導體行業(yè)協(xié)會分立器件年會上，新潔能憑借在半導體功率器件領域的卓越表現(xiàn)和行業(yè)貢獻，再次成....
      的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 08-05 17:58 ?1523次閱讀
      新潔能榮獲2024年中國半導體行業(yè)功率器件十強企業(yè)

      新潔能2153X系列半橋驅動芯片介紹

      2153X系列是高壓、高速功率自振蕩半橋驅動產(chǎn)品線。 2153X浮動通道可用于驅動高低側N溝道功率M....
      的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 07-28 14:02 ?1755次閱讀
      新潔能2153X系列半橋驅動芯片介紹

      新潔能逆導型IGBT NCE15ER135LP概述

      本文推薦一款新潔能生產(chǎn)的逆導型IGBT：NCE15ER135LP。這是一款1350V、TO-3P封裝....
      的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 07-17 09:20 ?1578次閱讀
      新潔能逆導型IGBT NCE15ER135LP概述

      新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品

      作為國內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導體核心技術的突破，其研發(fā)團隊持....
      的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 06-11 08:59 ?2255次閱讀
      新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品

      NSG4427柵極驅動芯片產(chǎn)品特性

      NSG4427是低電壓功率MOSFET和IGBT同相位柵驅動器。專有的閂鎖免疫CMOS技術可以實現(xiàn)高....
      的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 05-30 14:23 ?818次閱讀
      NSG4427柵極驅動芯片產(chǎn)品特性

      新潔能Gen.4超結MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹

      超結MOS采用垂直結構設計，在漂移區(qū)內(nèi)交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū)，形成“超級結”單元，通過電荷....
      的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 05-06 15:05 ?1375次閱讀
      新潔能Gen.4超結MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹

      金蘭功率半導體推出全新三電平逆變儲能一體模塊

      在“雙碳”目標驅動下，光伏逆變、儲能系統(tǒng)及工業(yè)變頻領域對功率模塊的高效率、高功率密度需求持續(xù)攀升。三....
      的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 03-20 17:21 ?1178次閱讀
      金蘭功率半導體推出全新三電平逆變儲能一體模塊

      一文詳解寄生參數(shù)對柵極震蕩的影響

      在現(xiàn)代電子電路設計和應用中，寄生參數(shù)是指那些并非設計者最初所期望的，但在電路或元器件中由于物理結構、....
      的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 03-14 13:47 ?22568次閱讀
      一文詳解寄生參數(shù)對柵極震蕩的影響

      新潔能推出HO系列MOSFET產(chǎn)品

      隨著市場對高性能功率半導體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長，新潔能（NCE）產(chǎn)品研發(fā)部門推出....
      的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 03-04 14:40 ?1143次閱讀
      新潔能推出HO系列MOSFET產(chǎn)品

      新潔能車規(guī)級PDFN 5x6雙面散熱功率器件介紹

      在汽車電子行業(yè)飛速發(fā)展的今天，提升可靠性、效率和散熱性能成為了功率器件設計的重要方向。車規(guī)級 PDF....
      的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 02-12 09:19 ?3209次閱讀
      新潔能車規(guī)級PDFN 5x6雙面散熱功率器件介紹

      高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V介紹

      JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊，采用溝槽柵場終止技術I....
      的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 01-16 14:16 ?1023次閱讀

      NSG6000 650V單通道半橋柵極驅動芯片介紹

      NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅動器。自帶死區(qū)保護、高低側互鎖功能，防....
      的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 01-07 10:58 ?1445次閱讀
      NSG6000 650V單通道半橋柵極驅動芯片介紹

      新潔能榮獲2024年全球半導體企業(yè)綜合競爭力百強

      近日，全球半導體市場峰會在上海成功召開。會上，世界集成電路協(xié)會發(fā)布了全球半導體企業(yè)綜合競爭力百強報告....
      的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 12-14 15:15 ?2375次閱讀

      新潔能150V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品介紹

      150V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品采用全新屏蔽柵溝槽技術，特征導通電阻Rsp（導通電....
      的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 08-15 16:36 ?1548次閱讀
      新潔能150V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品介紹

      新潔能650V Gen.7 IGBT系列產(chǎn)品介紹

      新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品，基于微溝槽場截止技術，可大幅提高器件的元胞結構密度。采用....
      的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 08-15 16:34 ?1667次閱讀
      新潔能650V Gen.7 IGBT系列產(chǎn)品介紹

      功率器件雪崩擊穿的工作原理和失效機理

      雪崩耐量是功率器件性能評估的關鍵指標，那么什么是雪崩耐量呢？即向半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓....
      的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 08-15 16:29 ?4717次閱讀
      功率器件雪崩擊穿的工作原理和失效機理

      新潔能1500V和1700V系列功率VDMOS新品介紹

      在變頻器輔助電源或光伏逆變器中，輔助電源的主要作用是將DC高壓降壓后，為驅動IC、主控MCU、通訊模....
      的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 10-16 11:38 ?2764次閱讀
      新潔能1500V和1700V系列功率VDMOS新品介紹

      雙脈沖測試之開關特性參數(shù)講解

      功率開關器件的規(guī)格書上有著多種多樣的數(shù)據(jù)，如靜態(tài)特性參數(shù)，動態(tài)特性參數(shù)，開關特性參數(shù)等等。其中靜態(tài)特....
      的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 02-22 14:40 ?8638次閱讀

      國產(chǎn)功率器件供應商無錫新潔能榮獲寧波德業(yè)年度“戰(zhàn)略供應商”稱號

      近日，無錫新潔能榮獲重要客戶寧波德業(yè)年度“戰(zhàn)略供應商”稱號。 在過去的一年中，新潔能憑借優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)....
      的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 02-14 12:50 ?2107次閱讀