超結MOS采用垂直結構設計，在漂移區(qū)內交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū)，形成“超級結”單元，通過電荷補償技術突破傳統(tǒng)功率半導體“硅極限”的高壓器件，其核心設計通過優(yōu)化電場分布實現低導通電阻與高擊穿電壓的平衡。另超結MOSFET具有更低的導通電阻和更優(yōu)化的電荷分布，因此其開關速度通常比普通MOSFET更快，有助于減少電路中的開關損耗。由于其出色的高壓性能和能效比，超結MOSFET更適合于高壓、大功率的應用場景。

新潔能Gen.4在原有超結MOSFET技術的基礎上，通過進一步技術升級，提升器件的結構密度，降低特征導通電阻；提升器件的功率密度，在相同體積下可以大幅提升器件電流能力，另導通電阻溫度特性等方面均有明顯提升。

Gen.4超結MOSFET（Super Junction MOSFET IV）最新推出800V and 900V 系列產品，800V 新增帶快速恢復二極管系列產品。

相同規(guī)格產品高溫下Rdson倍數值對比：Gen4相比Gen3 減小16%；Gen4和國際I 產品達到相同水平。

FOM 對比: Gen4 相比Gen3 and 國際I 產品降低25%。

產品型號

產品特點

● 高功電流密度

● 超低特征導通電阻Rsp

● 高可靠性

● 更優(yōu)FOM

● 導通電阻溫度特性更優(yōu)

應用領域

● 微逆

● 光伏逆變

● 高壓輔助電源

● 電表