? 美國(guó)加利福尼亞州埃爾塞貢多，2022 年 5 月 [10]日：氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NVTS）正式發(fā)布 NV6169，這是一款采用 GaNSense
2022-05-11 11:05:19
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Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管（GaN）市場(chǎng)。
2019-11-22 15:16:321787 氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料，是被國(guó)際普遍關(guān)注并認(rèn)可已開(kāi)啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導(dǎo)體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體相比，氧化鎵的禁帶寬度遠(yuǎn)高于后兩者，其禁帶寬度達(dá)到4.9eV，高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱(chēng)D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿(mǎn)足電源設(shè)備對(duì)功率
2018-10-23 16:21:49
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
`明佳達(dá)優(yōu)勢(shì)供應(yīng)NV6115氮化鎵MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD。產(chǎn)品信息1、NV6115氮化鎵MOS絲?。?b class="flag-6" style="color: red">NV6115芯片介紹：NV6115氮化鎵MOS，是針對(duì)
2021-01-08 17:02:10
LED恒流驅(qū)動(dòng)電路,并對(duì)其外圍電路進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了大功率LED的PWM調(diào)光控制。 關(guān)鍵詞:大功率發(fā)光二級(jí)管;驅(qū)動(dòng)電路;斜坡補(bǔ)償 0 引 言 20世紀(jì)90年代以來(lái),隨著氮化鎵基第三代半導(dǎo)體的興起
2018-09-26 17:34:04
背光、恒流充電器控制和大功率LED照明等。四、聯(lián)系方式：深圳市聚能芯半導(dǎo)體有限公司地址：廣東深圳寶安區(qū)新安街道文匯社區(qū)前進(jìn)一路269號(hào)冠利達(dá)大廈1棟1904余麗麗：***（微信同號(hào)）/QQ：3007413506免費(fèi)提供樣品 測(cè)試板 免費(fèi)技術(shù)指導(dǎo) 設(shè)計(jì)方案！
2020-04-29 15:19:22
為應(yīng)對(duì)未來(lái)小尺寸、大功率適配器及快速充電器領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)，除了依賴(lài)前述氮化鎵和碳化硅半導(dǎo)體的持續(xù)發(fā)展，就目前的硅功率組件來(lái)說(shuō)，在電源輸入端的橋式整流器，用于充電器及電源適配器的交流(AC)輸入端作全波整流
2018-10-23 16:12:16
明顯，尤其是在消費(fèi)類(lèi)電源方面，中國(guó)芯基本完成了對(duì)進(jìn)口芯片的全替代?！ 毜[微電子作為國(guó)內(nèi)率先具備大功率Buck-Boost芯片開(kāi)發(fā)能力的半導(dǎo)體芯片廠(chǎng)商，目前已經(jīng)針對(duì)USB PD快充布局了有多個(gè)產(chǎn)品
2020-07-20 14:52:44
醫(yī)療設(shè)備和一起的激光器源其他領(lǐng)域。如激光打標(biāo)和軍事 成都華贏光電技術(shù)有限公司代理德國(guó)PHOTONTEC公司生產(chǎn)的大功率半導(dǎo)體激光器詳細(xì)資料請(qǐng)與我們聯(lián)系：成都華贏光電技術(shù)有限公司電話(huà)：028-65692335傳真：028-66501714網(wǎng)站：www.hawin-laser.com
2009-12-08 09:34:25
性能的急劇惡化乃至失效。統(tǒng)計(jì)表明，半導(dǎo)體激光器突然失效，有一半以上的幾率是由于浪涌擊穿。因而如何保護(hù)半導(dǎo)體激光器，延長(zhǎng)半導(dǎo)體激光器的使用壽命是研制大功率半導(dǎo)體激光器驅(qū)動(dòng)電源保護(hù)電路的重要問(wèn)題。主要應(yīng)考
2011-07-16 09:12:38
，設(shè)計(jì)了溫度保護(hù)電路;根據(jù)半導(dǎo)體激光器損壞機(jī)理，設(shè)計(jì)了過(guò)流、過(guò)壓保護(hù)電路，同時(shí)采取了靜電保護(hù)和反向電壓保護(hù)措施。采用單片機(jī)設(shè)計(jì)了控制電路，實(shí)現(xiàn)了大功率半導(dǎo)體激光器驅(qū)動(dòng)電源的自動(dòng)化控制。 經(jīng)測(cè)試，驅(qū)動(dòng)電源達(dá)到
2018-08-13 15:39:59
大功率半導(dǎo)體激光電源 輸出功率涵蓋10W至500W，具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體直接輸出激光器介紹直接半導(dǎo)體激光器輸出功率涵蓋10W至500W，具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率，輸出功率穩(wěn)定。200W以下
2021-12-29 07:24:31
按照大功率 igbt 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路能夠完成的功能來(lái)分類(lèi)，可以將大功率 igbt 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電 路分為以下三種類(lèi)型：?jiǎn)?b class="flag-6" style="color: red">一功能型，多功能型，全功能型。
2019-11-07 09:02:20
。此外本文所述大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路是指應(yīng)用于直流母線(xiàn)電壓在650v～1000v范圍、輸出電流的交流有效值在100a～600a范圍的場(chǎng)合。詳情見(jiàn)附件。。。。。。
2021-04-06 14:38:18
指南，然后以美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體(NS)的產(chǎn)品為例，重點(diǎn)討論如何巧妙應(yīng)用LED恒流驅(qū)動(dòng)電路的采樣電阻提高大功率LED的效率，并給出大功率LED驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)與散熱設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)?！ ◎?qū)動(dòng)芯片的選擇 LED驅(qū)動(dòng)
2009-10-23 11:07:19
有做大功率PCB板的朋友嗎，電流要200A左右
2016-08-19 10:56:56
線(xiàn)路相對(duì)簡(jiǎn)單，散熱結(jié)構(gòu)完善，物理特性穩(wěn)定。所以說(shuō)，大功率LED器件代替小功率LED器件成為主流半導(dǎo)體照明器件的必然的。但是對(duì)于大功率LED器件的封裝方法并不能簡(jiǎn)單地套用傳統(tǒng)的小功率LED器件的封裝方法
2013-06-10 23:11:54
尋求有做過(guò)大功率短波項(xiàng)目的人員，27.12M40.68M等的大功率短波功率能達(dá)到二百瓦，主要涉及信號(hào)震蕩，選頻，放大，耦合，控制精度較高，需符合電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)要求YY0505有合作意向的聯(lián)系我***吳先生
2016-07-11 11:38:22
元，并且順豐包郵。 2022 年 5 月 15 日，聯(lián)想官方在電商平臺(tái)發(fā)起氮化鎵快充價(jià)格戰(zhàn)，YOGA 65W 雙口 USB-C 氮化鎵充電器到手價(jià)僅需 59.9元。這是一款正兒八經(jīng)的大功率氮化鎵充電器
2022-06-14 11:11:16
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
更小：GaNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率晶體管的引入，氮化鎵器件市場(chǎng)發(fā)生了巨變;塑料封裝氮化鎵器件可以成為陶瓷封裝氮化鎵器件經(jīng)濟(jì)高效的替代品，并成為實(shí)現(xiàn)新一代高功率超小型功率模塊的關(guān)鍵所在。塑料封裝、大功率氮化鎵器件使設(shè)計(jì)人員能夠
2017-08-15 17:47:34
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過(guò)2 kW設(shè)計(jì)的各類(lèi)解決方案。
2019-08-01 07:38:40
應(yīng)對(duì)能力以及供應(yīng)鏈的靈活性和固有可靠性。作為新一代無(wú)線(xiàn)基礎(chǔ)設(shè)施獨(dú)一無(wú)二的出色半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵有望以L(fǎng)DMOS成本結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的氮化鎵性能，并且具備支持大規(guī)模需求的商業(yè)制造擴(kuò)展能力。 MACOM
2018-08-17 09:49:42
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
`1.方案名稱(chēng)：用于消防應(yīng)急燈，平板顯示LED背光驅(qū)動(dòng)IC2.品牌：惠海半導(dǎo)體3.芯片特點(diǎn)：輸入2.5-36V，輸出5-100V，電流2A 惠海 H6900寬輸入電壓范圍：2.5V~36V，可升壓
2020-11-05 15:24:25
，只應(yīng)用在高端充電器上。一些小功率的，高性?xún)r(jià)比的充電器無(wú)法享受到氮化鎵性能提升所帶來(lái)的紅利。目前，國(guó)內(nèi)已經(jīng)有多家廠(chǎng)商推出了用于33-100W大功率充電器的合封芯片，通過(guò)將氮化鎵開(kāi)關(guān)管，控制器以及驅(qū)動(dòng)器
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
概述：LM3421是美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款大功率LED驅(qū)動(dòng)器。它為16腳TSSOP封裝和20腳TSSOP封裝，工作電壓4.17V。
2021-05-18 06:25:35
概述：LM3423是美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款大功率LED驅(qū)動(dòng)器。它為16腳TSSOP封裝和20腳TSSOP封裝，工作電壓4.17V。
2021-05-18 06:15:34
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù)，瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
多個(gè)方面都無(wú)法滿(mǎn)足要求。在基站端，由于對(duì)高功率的需求，氮化鎵（GaN）因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導(dǎo)通損耗、高電流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
： 250mV ◆芯片供電欠壓保護(hù)： 2.6V ◆關(guān)斷時(shí)間可調(diào)應(yīng)用 ◆自行車(chē)、電動(dòng)車(chē)、摩托車(chē)燈 ◆強(qiáng)光手電 ◆LED 射燈 ◆大功率 LED 照明 ◆LED 背光
2020-04-08 14:24:18
燈杯電池供電的LED 燈串平板顯示LED 背光大功率LED 照明四、聯(lián)系方式：深圳市聚能芯半導(dǎo)體有限公司地址：廣東深圳寶安區(qū)新安街道文匯社區(qū)前進(jìn)一路269號(hào)冠利達(dá)大廈1棟1904余麗麗：***（微信同號(hào)）/QQ：3007413506免費(fèi)提供樣品 測(cè)試板 免費(fèi)技術(shù)指導(dǎo) 設(shè)計(jì)方案！
2020-07-29 09:19:15
）。QORVO QGAN250.25μm氮化鎵開(kāi)關(guān)的研制碳化硅生產(chǎn)工藝。從0.15到2.8千兆赫，典型的QPC1006支持50 W輸入功率處理在控制電壓0和40 V的連續(xù)波和脈沖射頻操作。這個(gè)開(kāi)關(guān)保持低插入損耗
2018-06-14 11:25:58
電壓：250mV芯片供電欠壓保護(hù)：2.5V關(guān)斷時(shí)間可調(diào)外置頻率補(bǔ)償腳三、應(yīng)用領(lǐng)域:LED 燈杯電池供電的LED燈串平板顯示 LED背光恒流充電器控制大功率LED照明等四、聯(lián)系方式：深圳市聚能芯半導(dǎo)體
2020-05-07 10:24:09
背光 大功率 LED 照明五、聯(lián)系方式 深圳市聚能芯半導(dǎo)體有限公司地址：廣東深圳寶安區(qū)新安街道文匯社區(qū)前進(jìn)一路269號(hào)冠利達(dá)大廈1棟1904余麗麗：***（微信同號(hào)）/QQ：3007413506免費(fèi)提供樣品 測(cè)試板 免費(fèi)技術(shù)指導(dǎo) 設(shè)計(jì)方案！
2020-05-08 17:43:52
時(shí)間可調(diào) 內(nèi)置 60V 功率 MOS ESOP8 封裝四、應(yīng)用領(lǐng)域LED 燈杯 平板顯示 LED 背光 大功率 LED 照明五、聯(lián)系方式 深圳市聚能芯半導(dǎo)體有限公司地址：廣東深圳寶安區(qū)新安街道文匯社區(qū)
2020-05-08 17:50:18
LED背光、 恒流充電器控制、大功率LED照明四、聯(lián)系方式：深圳市聚能芯半導(dǎo)體有限公司地址：廣東深圳寶安區(qū)新安街道文匯社區(qū)前進(jìn)一路269號(hào)冠利達(dá)大廈1棟1904余麗麗：***（微信同號(hào)）/QQ：3007413506免費(fèi)提供樣品 測(cè)試板 免費(fèi)技術(shù)指導(dǎo) 設(shè)計(jì)方案！`
2020-07-22 10:25:59
專(zhuān)業(yè)的團(tuán)隊(duì)，為你提供周到完善的技術(shù)支持、售前服務(wù)及服務(wù)，給用戶(hù)提供優(yōu)質(zhì)具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品以及人性化貼心的服務(wù)。一、產(chǎn)品概述QX5307是一款高效率、高精度的升壓型大功率LED燈恒流驅(qū)動(dòng)器芯片。QX5307內(nèi)置
2020-07-22 17:26:23
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-250H-R為S波段雷達(dá)應(yīng)用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作電壓和高達(dá)120μsec脈沖寬度的脈沖條件
2021-03-30 11:14:59
深圳市尊信電子技術(shù)有限公司專(zhuān)業(yè)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)電子產(chǎn)品方案鈺泰，智融，賽芯微一級(jí)代理莫先生：***V信歡迎行業(yè)客戶(hù)聯(lián)系，獲取datasheet、報(bào)價(jià)、樣片等更多產(chǎn)品信息鈺泰半導(dǎo)體瞄準(zhǔn)小功率氮化鎵合
2021-12-27 15:02:50
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過(guò)100％雪崩測(cè)試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開(kāi)關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性?b class="flag-6" style="color: red">功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
及不可控型；或按驅(qū)動(dòng)電路信號(hào)性質(zhì)分為電壓驅(qū)動(dòng)型、電流驅(qū)動(dòng)型等劃分類(lèi)別。常用到的功率半導(dǎo)體器件有Power Diode（功率二極管）、SCR（晶閘管）、GTO（門(mén)極可關(guān)斷晶閘管）、GTR（大功率電力
2019-02-26 17:04:37
Canaccord Genuity預(yù)計(jì)，到2025年，電動(dòng)汽車(chē)解決方案中每臺(tái)汽車(chē)的半導(dǎo)體構(gòu)成部分將增加50％或更多。本文將探討氮化鎵（GaN）電子器件，也涉及到一點(diǎn)碳化硅（SiC），在不增加汽車(chē)成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場(chǎng)強(qiáng)度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開(kāi)發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個(gè)典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過(guò)800V
2023-06-15 15:53:16
V，并且氮化鎵耐電壓小于1000 V。正是由于這些區(qū)別，使得功率半導(dǎo)體廠(chǎng)商與研究開(kāi)發(fā)廠(chǎng)商之間產(chǎn)生了一種“無(wú)聲的默契”。但是，以上所說(shuō)的改變是非常有可能的。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵可以極大地減少晶片的缺陷（錯(cuò)位）密度
2023-02-23 15:46:22
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為落地量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開(kāi)關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號(hào)，轉(zhuǎn)化為無(wú)損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵也處于這一階段，成本將會(huì)隨著市場(chǎng)需求量加速、大規(guī)模生產(chǎn)、工藝制程革新等，而走向平民化，而最終的市場(chǎng)也將會(huì)取代傳統(tǒng)的硅基功率器件。8英寸硅基氮化鎵的商用化量產(chǎn)，可以大幅降低成本。第三代半導(dǎo)體的普及
2019-07-08 04:20:32
的材料特性，各自都有各自的優(yōu)點(diǎn)和不成熟處，因此在應(yīng)用方面有區(qū)別 。一般的業(yè)界共識(shí)是：SiC適合高于1200V的高電壓大功率應(yīng)用；GaN器件更適合于40-1200V的高頻應(yīng)用。在600V和1200V器件
2021-09-23 15:02:11
概述：NV6127是一款升級(jí)產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻更小，只有 125 毫歐，是氮化鎵功率芯片IC。型號(hào)2：AON6268絲?。?268屬性：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 - 晶體管封裝：DFN-8參數(shù)FET 類(lèi)型：N 通道
2021-01-13 17:46:43
，東興證券研究所國(guó)內(nèi)廠(chǎng)家有望在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)逐步替代。MDD是國(guó)內(nèi)少數(shù)采用了“Fabless+封裝測(cè)試”模式的半導(dǎo)體品牌，15年的行業(yè)深耕，一直專(zhuān)注于半導(dǎo)體領(lǐng)域。在科技研發(fā)與創(chuàng)新的基礎(chǔ)上，積累
2022-11-11 11:50:23
`1、方案名稱(chēng)：LED燈串耐壓100V內(nèi)置MOS,5A大功率同步升壓恒流芯片方案2、品牌：東莞惠海半導(dǎo)體3、方案特點(diǎn)：3.7V鋰電池升壓4、方案特點(diǎn)：?jiǎn)喂?jié)或者多節(jié)鋰電池供電3.6-60V寬輸入電壓
2020-10-14 14:26:37
您好，請(qǐng)教一下類(lèi)似于TPS65251這樣的集成多路輸出的開(kāi)關(guān)電源芯片如何確定每路能承載的最大功率及整芯片的最大功率？可以使用TPS65251實(shí)現(xiàn)BUCK1輸出5V1.5A，BUCK2 5V1.3A BUCK 3.3V 1.2A 這樣的需求嗎，感覺(jué)這個(gè)芯片支撐不了這么大功耗。謝謝
2019-07-19 14:42:08
各位老師請(qǐng)問(wèn)有大功率電源設(shè)計(jì)原理圖，如有麻煩給我一份可以給一些報(bào)酬的，或者成品也行價(jià)格可商談微信號(hào)：dai138528功率要7000W只能大不能小4000W的也行我可以?xún)蓚€(gè)電源并機(jī)用輸入220VAC輸出24V
2019-12-13 18:02:24
，其中第一梯隊(duì)有英諾賽科、納微、EPC等代表企業(yè)。其中英諾賽科是目前全球首家采用8英寸增強(qiáng)型硅氮化鎵外延與芯片大規(guī)模量產(chǎn)的企業(yè)，也是躋身氮化鎵產(chǎn)業(yè)第一梯隊(duì)的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體企業(yè)代表。
2019-07-05 04:20:06
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒(méi)有經(jīng)過(guò)驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)快速發(fā)展，從而使專(zhuān)業(yè)的半導(dǎo)體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來(lái)自英飛凌(Infineon)/國(guó)際
2015-09-15 17:11:46
經(jīng)常有客戶(hù)想要大功率輸出的電源芯片，但是又考慮成本過(guò)高？我們銀聯(lián)寶有一款U321電源芯片，可以大功率輸出，又電路極簡(jiǎn)，成本低，性能高！具有良好的線(xiàn)性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率。U321電源芯片是集成
2020-03-18 14:37:05
系統(tǒng)和24V系統(tǒng)。 12V系統(tǒng)的電源芯片一般可以承受40幾V的電壓，12V系統(tǒng)選用24V的大功率TVS工作一分鐘測(cè)試OK 24V系統(tǒng)選用36V的大功率TVS工作一分鐘測(cè)試ok 電壓選高點(diǎn)不會(huì)有問(wèn)題?！ ∩钲诎策_(dá)森，你身邊的電子保護(hù)專(zhuān)家。專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)銷(xiāo)售ESD防靜電電子元器件，TVS,靜電保護(hù)管。
2014-02-21 10:12:54
(MicrosemiCorporation)擴(kuò)展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通控制機(jī)場(chǎng)監(jiān)視雷達(dá)(ASR
2012-12-06 17:09:16
)。WBG 板載電動(dòng)汽車(chē)充電器示意圖此外，這兩種寬帶隙化合物半導(dǎo)體(如氮化鎵和碳化硅)的所用材料晶體管據(jù)說(shuō)具有很高的擊穿電壓，可以在高溫下工作。考慮到這一點(diǎn)，本文打算研究 GaN 和 SiC 晶體管之間
2022-06-15 11:43:25
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專(zhuān)場(chǎng)中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢(qián)博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
GaN將在高功率、高頻率射頻市場(chǎng)及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來(lái)預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請(qǐng)聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料?！ ≡诠怆娮?、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
本帖最后由 小佑_ 于 2021-11-12 11:54 編輯
氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域得到了廣泛關(guān)注。作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ACDC快充品牌，茂睿芯一直潛心研發(fā)
2021-11-12 11:53:21
600V IGBT3，全新芯片具備更出色的關(guān)斷軟度和更高的阻斷電壓功能。此外，該器件的短路能力大幅增強(qiáng)。而600V IGBT3主要適用于低功率應(yīng)用或雜散電感很低的高功率應(yīng)用。650V IGBT4的設(shè)計(jì)與技術(shù)
2018-12-07 10:16:11
半導(dǎo)體（Navitas）今日市值也就9.4億美元，而且包括了第三代半導(dǎo)體的另一重要組成部分、收購(gòu)自GeneSiC的碳化硅業(yè)務(wù)（想要更多了解的讀者可以參考《從納微看半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)并購(gòu)》）。僅有氮化鎵業(yè)務(wù)
2023-03-03 16:48:40
問(wèn)下雙向可控硅的最大功率怎么看？ 比如BT134-600 的最大電壓是600V 電流是4A，那最大功率是600*4=2400W咯？
2019-07-05 16:28:57
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹(shù)立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過(guò)程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC） 擴(kuò)展碳化硅（SiC）肖特基產(chǎn)品系列，推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列，新型二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)包括太陽(yáng)能逆變器的大功率工業(yè)應(yīng)用。
2013-10-30 16:09:57856 項(xiàng)目針對(duì)面向制造業(yè)的大功率半導(dǎo)體激光器發(fā)展中所面臨的迫切需求及關(guān)鍵挑戰(zhàn)，重點(diǎn)研究國(guó)產(chǎn)大功率半導(dǎo)體激光芯片，開(kāi)展雙微通道散熱、熱沉、大功率多光束合成、光纖耦合、光束整形等關(guān)鍵技術(shù)及半導(dǎo)體激光器失效機(jī)制等研究。
2018-08-29 10:07:038829 作者陳紹婷、蔣麗媛 半導(dǎo)體激光器一般具有質(zhì)量輕、調(diào)制效率高、體積小等特點(diǎn)，在民用、軍用、醫(yī)療等領(lǐng)域應(yīng)用比較廣泛。大功率半導(dǎo)體激光器的研究從20世紀(jì)80年代開(kāi)始，從未停止，隨著半導(dǎo)體技術(shù)與激光技術(shù)
2020-10-27 16:24:447507 隨著半導(dǎo)體芯片技術(shù)和光學(xué)技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體激光器的輸出功率不斷提高，光束質(zhì)量得到明顯改善，在工業(yè)領(lǐng)域也獲得了更多應(yīng)用。目前，工業(yè)用大功率半導(dǎo)體激光器的輸出功率和光束質(zhì)量均已超過(guò)了燈泵浦YAG激光器，并已接近半導(dǎo)體泵浦YAG激光器。
2020-12-25 13:14:111115 大功率半導(dǎo)體激光器及其應(yīng)用資料免費(fèi)下載。
2021-05-25 16:03:52
36 大功率半導(dǎo)體激光器恒流源的設(shè)計(jì)分享。
2021-05-25 16:07:2398 美國(guó)加利福尼亞州埃爾塞貢多，2022 年 5 月10日：氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NVTS）正式發(fā)布 NV6169，這是一款采用 GaNSense?技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast?芯片，可滿(mǎn)足高功率應(yīng)用。
2022-05-11 11:24:311706 領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實(shí)時(shí)、智能的傳感和保護(hù)電路，
進(jìn)一步提高了納微半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性，同時(shí)增加了
2023-02-22 13:48:053 功率半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)過(guò) 60 余年發(fā)展，器件阻斷能力和通態(tài)損耗的折衷關(guān)系已逐漸逼近硅基材料物理極限，因此寬禁帶材料與器件越來(lái)越受到重視，尤其是以碳化硅（SiC）和氮化鎵 (GaN) 為代表的第 3 代半導(dǎo)體材料為大功率半導(dǎo)體技術(shù)及器件帶來(lái)了新的發(fā)展機(jī)遇。
2023-05-09 14:27:552717 
SP9683高頻準(zhǔn)諧振、集成650V氮化鎵功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 
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