美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:06
1450 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對(duì)工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
2024-03-28 10:01:092465 
科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子系統(tǒng)成本并提升能效
2012-05-10 09:27:161341 隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
2020-02-26 08:26:001692 Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
高等特點(diǎn)，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。 SiC MOSFET在開發(fā)與應(yīng)用方面，實(shí)現(xiàn)了傳統(tǒng)型半導(dǎo)體（Si）實(shí)現(xiàn)不了的低損耗，包括提高效率、提升功率密度、降低冷卻要求以及降低系統(tǒng)級(jí)成本
2020-09-24 16:23:17
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂(lè)技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
每個(gè)橋臂需要4個(gè)MOSFET以及各自的驅(qū)動(dòng)，增加了系統(tǒng)復(fù)雜度，再比如每個(gè)橋臂需要各自的鉗位二極管，增加了系統(tǒng)成本?！ ”疚闹?，將介紹我們8KW LLC變換器的設(shè)計(jì)方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓?fù)湎嘟Y(jié)合，可提供最佳的性價(jià)比?；旌?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅結(jié)合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續(xù)流二極管，也是一個(gè)不錯(cuò)的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達(dá)50
2023-02-20 16:29:54
的正向損耗小。 (2)碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場(chǎng)而具有高的擊穿電壓。例如，商用的硅肖特基的電壓小于300V，而第一個(gè)商用的碳化硅肖特基二極管的擊穿電壓已達(dá)到600V。 (3)碳化硅有高的熱導(dǎo)率
2019-01-11 13:42:03
?！ ≌?qū)▔航礦F：衡量二極管正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">性能最重要的參數(shù)，對(duì)工程師而言，需要更關(guān)注VF與Tj的依賴性關(guān)系。這里以基本半導(dǎo)體650V 10A TO-220封裝碳化硅肖特基二極管為例進(jìn)行說(shuō)明?！ D（5
2023-02-28 16:55:45
?！ ∠鄬?duì)應(yīng)的，硅材料的禁帶寬度較低，在較低的溫度下硅器件本征載流子濃度較高，而高的漏電流會(huì)造成熱擊穿，這限制了器件在高溫環(huán)境和大功率耗散條件下工作?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管與硅快速恢復(fù)二極管 耐壓
2023-02-28 16:34:16
本帖最后由 ewaysqian 于 2025-2-12 10:48 編輯
碳化硅MOS具有寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、高電流密度、快速開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和抗輻射性能等獨(dú)特特點(diǎn)，在電子器件領(lǐng)域有著
2022-02-17 14:36:16
具有明顯的優(yōu)勢(shì)。UnitedSiC的1200V和650V器件除了導(dǎo)通電阻低，還利用了低內(nèi)感和熱阻的SiC性能?！ ?200V和650V第三代器件的導(dǎo)通電阻值比較 Anup Bhalla說(shuō)，碳化硅的優(yōu)點(diǎn)
2023-02-27 14:28:47
、GaP、InP等）之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、熱導(dǎo)率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，可以用來(lái)制造
2019-10-24 14:21:23
200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時(shí)間實(shí)踐，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過(guò)200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在
2020-06-28 17:30:27
和發(fā)電機(jī)繞組以及磁線圈中的高關(guān)斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造，外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，憑借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身優(yōu)異的半導(dǎo)體性能，在各個(gè)現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域發(fā)揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45
在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過(guò)程中的現(xiàn)實(shí)選擇。 在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過(guò)程中的現(xiàn)實(shí)選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
電磁性。因碳化硅是一種共價(jià)鍵化合物，原子間結(jié)合的鍵很強(qiáng)，它具有以下一些獨(dú)特的性能，因而得以廣泛應(yīng)用。1)高熔點(diǎn)。關(guān)于碳化硅熔點(diǎn)的數(shù)據(jù).不同資料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，能以更低成本實(shí)現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用，如汽車制動(dòng)器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)，半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)
2021-03-25 14:09:37
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開關(guān)損耗，提高效率，降低解決方案成本，功率密度增加，實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，減少對(duì)散熱器
2021-11-09 16:36:57
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開關(guān)損耗，極低反向電流 ，無(wú)反向恢復(fù)電流 ，低電容電荷， 提高效率，降低解決方案
2021-10-27 15:00:42
模塊的可靠性和耐用性。低電感設(shè)計(jì)：電感值為6.7 nH，有助于降低系統(tǒng)中的電感效應(yīng)，提高功率轉(zhuǎn)換效率。采用全新的第3代碳化硅MOSFETs：提供更好的性能和效率。集成化溫度傳感器
2025-06-25 09:13:14
差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC ) 發(fā)布專門用于高電流、低導(dǎo)通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC
2018-10-23 16:22:24
小輕薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性：?極低反向電流? 無(wú)反向恢復(fù)電流? 溫度無(wú)關(guān)開關(guān)? VF上的正溫度系數(shù)? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優(yōu)勢(shì)：?基本上
2021-11-06 09:26:20
科技有限公司TGF2023-2-10對(duì)碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。最大功率附加效率為
2018-06-12 10:22:42
項(xiàng)目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年來(lái)被越來(lái)越廣泛地用于高頻高溫的工作場(chǎng)合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對(duì)器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
系統(tǒng)能做得越小巧，則電動(dòng)車的電池續(xù)航力越高。這是電動(dòng)車廠商之所以對(duì)碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設(shè)備上攻城略地，氮化鎵組件則是在小型化電源應(yīng)用產(chǎn)品領(lǐng)域逐漸擴(kuò)散，與碳化硅
2021-09-23 15:02:11
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
，在這些環(huán)境中，傳統(tǒng)的硅基電子設(shè)備無(wú)法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運(yùn)行的能力將提高各種系統(tǒng)和應(yīng)用的性能，包括飛機(jī)、車輛、通信設(shè)備和航天器。今天，SiC MOSFET是長(zhǎng)期可靠的功率器件。未來(lái)，預(yù)計(jì)多芯片電源或混合模塊將在SiC領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
大功率適配器為了減小對(duì)電網(wǎng)的干擾，都會(huì)采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn)，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
的功率半導(dǎo)體器件選型，并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案?！ ?2 圖騰柱無(wú)橋PFC拓?fù)浞治觥 ≡谡胫芷冢╒AC大于0）的時(shí)候，T2為主開關(guān)管?！ ‘?dāng)T2開通時(shí)，電感L儲(chǔ)能，電流
2023-02-28 16:48:24
員要求的更低的寄生參數(shù)滿足開關(guān)電源（SMPS）的設(shè)計(jì)要求。650V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管器件在推出之后，可以補(bǔ)充之前只有1200V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)器件設(shè)計(jì)需求，碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（SiC MOSFET）由于能夠?qū)崿F(xiàn)硅
2023-03-14 14:05:02
碳化硅MOSFET能簡(jiǎn)化高壓輸入隔離DC/DC變換器拓?fù)淝揖邆涓咝?、高可靠性等明顯優(yōu)勢(shì)，適合應(yīng)用在中
大功率新能源領(lǐng)域。其主要特點(diǎn)如下：
碳化硅MOSFET
高阻斷電壓（一般大于1000
V)能夠簡(jiǎn)化拓?fù)?/div>
2016-08-05 14:32:43
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
，導(dǎo)通電阻更低；碳化硅具有高電子飽和速度的特性，使器件可工作在更高的開關(guān)頻率；同時(shí)，碳化硅材料更高的熱導(dǎo)率也有助于提升系統(tǒng)的整體功率密度。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開關(guān)速度快、損耗低等特性，使電力
2023-02-22 16:06:08
12V電氣系統(tǒng)，難以供應(yīng)較多的大功率設(shè)備，而新能源電車的電力平臺(tái)可支撐更多的智能設(shè)備載荷，但同時(shí)對(duì)散熱要求就高。 因此，碳化硅封裝基板就是很好的選擇，因?yàn)樗谐叩臒釋?dǎo)率，能及時(shí)散去電源系統(tǒng)中的高熱量
2020-12-09 14:15:07
小于5ns； · 選用低傳輸延時(shí)，上升下降時(shí)間短的推挽芯片。 總之，相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在提升系統(tǒng)效率、功率密度和工作溫度的同時(shí)，對(duì)于驅(qū)動(dòng)器也提出了更高要求，為了讓碳化硅
2023-02-27 16:03:36
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過(guò)200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級(jí)，并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1：電動(dòng)汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺(tái)和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)特別是對(duì)于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2022-11-02 12:02:05
美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型（NPT）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）產(chǎn)品，備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT產(chǎn)品系列專為嚴(yán)苛環(huán)境工作而設(shè)計(jì)，尤其適用于太陽(yáng)能逆變器、焊接機(jī)和開關(guān)電源等工業(yè)產(chǎn)品。
2013-08-19 16:08:181199 東芝公司旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過(guò)添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴(kuò)大其650V碳化硅（SiC）肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴(kuò)大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)。
2014-06-09 10:33:26975 
?正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?不受溫度影響的開關(guān)特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
650V 3A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 CSD01060A C3D02060A C3D03060A
2016-06-06 15:09:14
9 ?正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?不受溫度影響的開關(guān)特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
650V 4A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:147 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:454 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產(chǎn)品特性
?
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用
?不受溫度影響的開關(guān)特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-17 15:42:454 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二極管
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?
不受溫度影響的開關(guān)特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-23 17:56:190 Analog Devices公司宣布推出可擴(kuò)展碳化硅（SiC）驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)解決方案，其基礎(chǔ)為美高森美的一系列碳化硅MOSFET產(chǎn)品和Analog Devices公司的ADuM4135 5KV隔離柵極驅(qū)動(dòng)器。
2017-06-20 14:33:221728 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴(kuò)展了SiC二極管產(chǎn)品組合。
2018-03-01 13:14:179301 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術(shù)和流程的結(jié)果，讓碳化硅肖特基二極管的設(shè)計(jì)和開發(fā)更具價(jià)格優(yōu)勢(shì)，性能一代更比一代強(qiáng)。因此，G6是英飛凌最具有性價(jià)比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價(jià)格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:524926 
作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳（Cree Inc．， 美國(guó)納斯達(dá)克上市代碼：CREE）公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合，適用于更廣闊的工業(yè)應(yīng)用，助力新一代電動(dòng)汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應(yīng)用，提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率。
2020-04-02 15:37:564450 同被稱為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵（GaN）因其特性，多被用于650V以下的中低壓功率器件及射頻和光電領(lǐng)域，而碳化硅（SiC）則主要用在650V以上的高壓功率器件領(lǐng)域。
2020-06-24 15:56:043591 
森國(guó)科針對(duì)大功率快充推出了兩款碳化硅二極管，賦能高功率密度快充產(chǎn)品。該兩款產(chǎn)品型號(hào)為：KS06065（650V/6A）、KS10065（650V/10A），KS06065提供TO-252-2、PDFN3*3、PDFN5*6、PDFN8*8共4種封裝。
2021-03-10 16:24:213243 碳化硅已被證明是高功率和高電壓設(shè)備的理想材料。但是，設(shè)備的可靠性極其重要，我們不僅指短期可靠性，還指長(zhǎng)期可靠性。性能、成本和可制造性也是其他重要因素，但可靠性和堅(jiān)固性是碳化硅成功的關(guān)鍵。全球有 30
2022-08-09 08:02:073141 
由于碳化硅材料的帶隙很寬（4H型碳化硅在室溫下約為3.26eV），碳化硅器件能夠在很高的溫度下工作而不至于因?yàn)楸菊鬏d流子激發(fā)導(dǎo)致器件性能失效。碳化硅材料在發(fā)生雪崩擊穿前所能夠忍受的極限電場(chǎng)是硅材料和砷化鎵（GaAs）的5~20倍12。這一高極限電場(chǎng)可以用來(lái)制造高壓、大功率器件。
2023-02-09 09:47:591092 
下面我們拿慧制敏造出品的KNSCHA品牌碳化硅功率器件說(shuō)明。碳化硅 (SiC）二極管采用全新技術(shù)，提供比硅材質(zhì)更勝一籌的開關(guān)性能和可靠性。目前主流的能量產(chǎn)而且性能穩(wěn)定的碳化硅二極管電壓為650V
2023-02-21 09:59:542465 
SiC碳化硅二極管起步電壓為650V，電流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動(dòng)工具、消費(fèi)類產(chǎn)品、工控。碳化硅二極管料號(hào)為：KN3D06065F（650V碳化硅二極管，電流6A，貼片
2023-02-21 10:12:244172 
碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng)，即在金屬與半導(dǎo)體接觸處形成一個(gè)肖特基勢(shì)壘，使得半導(dǎo)體中的載流子向金屬一側(cè)偏移，形成整流效應(yīng)。
2023-06-07 17:10:342338 大功率電源PFC電路推薦，瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管，可提升大功率電源的功率密度和效率，減少體積和降低成本，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的環(huán)保效率。
2023-08-18 11:05:26864 
大功率電源PFC電路推薦，瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管，可提升大功率電源的功率密度和效率，減少體積和降低成本，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的環(huán)保效率。
2023-08-18 11:21:401182 
碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:494326 ? 具備行業(yè)領(lǐng)先的溫控性能，全新650V和1200V碳化硅MOSFETs可低溫運(yùn)行和快速開關(guān)，為AI數(shù)據(jù)中心提升三倍功率并加速電動(dòng)汽車充電。 加利福尼亞州托倫斯2024年6月6日訊 —GaNFast
2024-06-11 15:46:171561 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《STPSC12C065-Y汽車650V功率肖特基碳化硅二極管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-05 11:36:560 在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì)，逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，使得碳化硅功率器件在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)。本文將深入探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2024-09-13 10:56:421990 
Wolfspeed碳化硅助力實(shí)現(xiàn)高性能功率系統(tǒng)
2024-10-24 10:51:362 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
650V碳化硅MOSFET（如BASiC基本股份）在AI服務(wù)器電源中的高能效解決方案 一、AI服務(wù)器電源的核心需求與挑戰(zhàn) AI服務(wù)器電源需滿足高效率、高功率密度、低熱耗散和高可靠性四大核心需求。隨著
2025-02-08 07:56:071203 
SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特點(diǎn) 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn) 超快開關(guān)速度 零反向恢復(fù)電流 適用于高頻操作 正向電壓具有正
2025-02-25 17:03:23871 
：SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性 超快開關(guān)速度 零反向恢復(fù)電流 適用于高頻操作 正向電壓
2025-02-25 18:13:42813 
SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn) 超快開關(guān)速度 零反向恢復(fù)電流 適用于高頻
2025-02-26 16:54:52783 
的電源轉(zhuǎn)換需求。 *附件：SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn) 超快開關(guān)速度 零反向恢復(fù)電流
2025-02-26 17:07:13727 
開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過(guò) UIS測(cè)試等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性
2025-02-26 17:40:46774 
開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過(guò) UIS測(cè)試等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性
2025-02-26 18:01:16854 
/DC轉(zhuǎn)換器等，滿足多種電子設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換需求。 *附件：SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn) 超快開關(guān)速度
2025-02-27 17:32:44805 
、高浪涌電流能力且 100% 經(jīng)過(guò) UIS測(cè)試等特性。這些特性有助于提升系統(tǒng)效率、減少散熱需求、降低開關(guān)損耗，還能實(shí)現(xiàn)器件并聯(lián)而無(wú)熱失控風(fēng)險(xiǎn)。 *附件：SiC SBD-P3D06008G2 650V
2025-02-27 18:25:13833 
P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝。通過(guò) AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-28 17:12:48792 
SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 特性 通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證 TO-220-2 封裝 超快速開關(guān) 零反向恢復(fù)電流 高頻運(yùn)行 正向
2025-02-28 17:21:08851 
浪涌電流能力且 100% 經(jīng)過(guò) UIS 測(cè)試等特性。符合 RoHS標(biāo)準(zhǔn)，能提升系統(tǒng)效率、減少散熱需求、降低開關(guān)損耗，器件并聯(lián)無(wú)熱失控風(fēng)險(xiǎn)。 *附件：SiC SBD-P3D06010I2 650V 碳化硅
2025-02-28 17:52:15813 
P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過(guò)了 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行等特性，正向電壓具有
2025-02-28 18:21:04900 
隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析。
2025-03-01 08:53:441053 
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布擴(kuò)大碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品組合，推出五款高性能、低品質(zhì)因數(shù) (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管
2025-05-12 16:06:34898 在電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域，器件的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率、可靠性和成本。今天，我們要深入探討的是安森美（onsemi）的碳化硅（SiC）肖特基二極管NDSH30120CDN，這款器件以其卓越的性能，為電源設(shè)計(jì)帶來(lái)了全新的解決方案。
2025-12-01 15:44:46218 
作為電子工程師，我們?cè)陔娫丛O(shè)計(jì)領(lǐng)域總是不斷追求更高的效率、更快的頻率和更小的體積。碳化硅（SiC）肖特基二極管的出現(xiàn)，為我們帶來(lái)了新的解決方案。今天就來(lái)詳細(xì)分析安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH10120C - F155。
2025-12-01 16:07:55218 
在當(dāng)今電子設(shè)備對(duì)電源效率、功率密度和可靠性要求日益提高的背景下，碳化硅（SiC）肖特基二極管憑借其卓越的性能，逐漸成為電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域的熱門選擇。本文將詳細(xì)介紹安森美（onsemi）的一款40 A
2025-12-05 10:52:49341 
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET以其出色的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天，我們就來(lái)深入剖析安森美（onsemi）的一款碳化硅MOSFET——NTH4L075N065SC1。
2025-12-05 16:54:25908 
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