的MOSFET和IGBT會(huì)產(chǎn)生不可接受的損耗、WBG半導(dǎo)體晶體管比如GaN能夠克服這些問題集成GaN HEMT和驅(qū)動(dòng)器方案現(xiàn)在已經(jīng)可以應(yīng)用于電機(jī)系統(tǒng)中能夠承受高壓條件的高性能電容也可以應(yīng)用到需要高壓高頻電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的直流部分
2019-07-16 00:27:49
，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級(jí)別。然而，近年來，這些已取得的進(jìn)步開始逐漸弱化，為下一個(gè)突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
所示為硅（Si）MOSFET和GaN MOSFET的上升和下降時(shí)間。圖中數(shù)字顯示死區(qū)時(shí)間存在兩倍的差異，硅 MOSFET速度更慢。此外，GaN MOSFET的上升和下降更加線性。這些屬性使得更精細(xì)的邊緣
2018-08-30 15:05:41
的應(yīng)用做好準(zhǔn)備。要使數(shù)字電源控制為GaN的應(yīng)用做好準(zhǔn)備，它需要針對(duì)更高開關(guān)頻率、更窄占空比和精密死區(qū)時(shí)間控制的時(shí)基分辨率、采樣分辨率和計(jì)算能力。圖1和圖2顯示的是一個(gè)硅 (Si) MOSFET和一個(gè)GaN
2018-09-06 15:31:50
為什么
GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來說，相比LDMOS硅技術(shù)而言，
GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征
高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1，
GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44?？隙ǖ卣f，
GaN是
高頻器件材料技術(shù)上的突破?！ ?/div>
2019-06-26 06:14:34
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
;gt;N溝道MOSFET有三個(gè)電極，分別是源極S、漏極D和柵極G。當(dāng)VGS=0時(shí)，漏、源極之間無原始導(dǎo)電溝道，ID=0；當(dāng)VGS>0但是比較小時(shí)，漏、源極之間也無導(dǎo)電溝道。當(dāng)
2010-08-17 09:21:57
MOSFET（如SL30N15），SL3043在典型應(yīng)用中的轉(zhuǎn)換效率可達(dá)90%以上。其低靜態(tài)電流（2mA）特性，特別適合電池供電場(chǎng)景。3. 多重保護(hù)機(jī)制
輸入欠壓鎖定（UVLO）：EN腳閾值2.8V
2025-02-12 16:37:42
基于SL4011芯片的單節(jié)鋰電池升壓方案：5V/9V/12V輸出詳解
一、引言
單節(jié)鋰電池（標(biāo)稱3.7V，滿電4.2V）因其體積小、能量密度高而被廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備。然而，許多電子設(shè)備需要更高
2025-03-27 17:13:35
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
電流2A以內(nèi)功率20W以內(nèi)5.方案應(yīng)用范圍：DCDC低壓球泡燈方案AC36V球泡燈方案等SL1502內(nèi)置MOS 降壓型大功率LED 恒流驅(qū)動(dòng)芯片 負(fù)載可驅(qū)動(dòng)2A電流SL1502 供電12-85V轉(zhuǎn)3串2A球泡燈方案6.SL1502芯片電路圖：
2015-08-25 16:23:02
ISL6594A和ISL6594B是高頻MOSFET專為驅(qū)動(dòng)上下功率而設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)器同步整流buck中的N溝道mosfet轉(zhuǎn)換器拓?fù)?。這些驅(qū)動(dòng)程序與ISL6592數(shù)字多相降壓型脈寬調(diào)制控制器N溝道
2020-09-30 16:47:03
場(chǎng)景提供高性價(jià)比的全國產(chǎn)解決方案。一、功率密度提升的核心邏輯材料特性突破：
GaN（氮化鎵）作為寬禁帶半導(dǎo)體，電子遷移率（2000cm2/Vs）和飽和漂移速度（2.5×10?cm/s）遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅基器件
2025-10-22 09:09:58
[tr=transparent]USB 2.0接口4口HUB芯片：SL2.2s/SL2.1ASL2.2s/SL2.1A是一顆高集成度,高性能,低功耗的USB2.0集線器主控芯片；該芯片采用STT技術(shù)
2018-06-29 15:52:37
10MTO220封裝 HGP100N12SLTO220封裝PD電源100W：HGN077N10SL DFN5*6封裝 HGP082N10MTO220封裝 HGP100N12SLTO220 封裝 PD電源開關(guān)30V
2018-08-07 15:25:45
ISL6594A和ISL6594B是高頻MOSFET專為驅(qū)動(dòng)上下功率而設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)器同步整流buck中的N溝道mosfet轉(zhuǎn)換器拓?fù)?。這些驅(qū)動(dòng)程序與ISL6592數(shù)字多相降壓型脈寬調(diào)制控制器N溝道
2020-09-29 17:38:58
的氮化鎵(GaN)直流/直流解決方案去除了中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換級(jí)，設(shè)計(jì)師可以在單級(jí)中將48V電壓降至更低的輸出電壓。去除中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換器使得功率密度和系統(tǒng)成本顯著增加，同時(shí)提高了可靠性。與硅
2019-07-29 04:45:02
今天觀看了電子研習(xí)社的直播課程，由TI工程師王蕊講解了TI的基于GaN的CrM模式的圖騰柱無橋PFC參考方案的設(shè)計(jì)（TIDA00961）。下面是對(duì)該方案的介紹：高頻臨界導(dǎo)電模式 (CrM) 圖騰柱
2022-01-20 07:36:11
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
拓?fù)洹?b class="flag-6" style="color: red">GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復(fù)的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關(guān)拓?fù)?。由于它們的高開關(guān)損耗，MOSFET和絕緣
2020-10-27 06:43:42
運(yùn)放正負(fù)12伏供電，運(yùn)放輸出端連接mosfet的G極。mosfet的D連接500v直流高壓，mosfet的S極連接一個(gè)20歐姆電阻到地，20歐姆電阻連接運(yùn)放反饋端，我想把運(yùn)放個(gè)mosfet進(jìn)行隔離，求方案。求器件。整個(gè)原理其實(shí)就是運(yùn)放控制mosfet實(shí)現(xiàn)電流源。
2018-08-02 08:55:51
驅(qū)動(dòng)25A/12V的mosfet，IR2103S需要多大的自舉電容
2021-01-28 12:07:56
SL811HS/SL811S Errata Embedded USB Host/Slave Controller
The SL811HS operation of USB A and B Bank
2009-04-14 10:53:02
24 The SL811S/T USB Slave Controller is a single chip USB peripheral device that interfaces
2009-04-14 10:56:4539 TCL N21K2-S12彩電電路圖TCL N21K2-S12彩色電視機(jī)電路圖，TCL N21K2-S12彩電圖紙，TCL N21K2-S12原理圖。
2009-05-06 14:04:5171 Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采
2010-07-16 15:05:2417 安森美半導(dǎo)體推出12款新N溝道功率MOSFET系列
經(jīng)過100%雪崩測(cè)試的MOSFET提供業(yè)界領(lǐng)先的雪崩額定值，能承受電源和電機(jī)控制應(yīng)用中的大電壓尖峰
2010年2月2日 – 應(yīng)用
2010-02-03 10:13:15
1453 二極管資料，
型號(hào)是DSR01S30SL，希望有幫助。
2016-03-18 17:59:103 中航微SKSE100N10L，替換AO4296，Hunteck HGS085N10SL，NCE0116AS，威兆 VSO009N10MS等，應(yīng)用QC3.0 快充，5V 3A 9V 2.2A12V 1.6A 等應(yīng)用中。
2017-08-02 09:51:3612 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是SYKJ3400S MOSFET N通道封裝晶體管的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載
2019-01-24 08:00:0011 UTC UT12N10是一種N溝道模式功率MOSFET，采用了ngutc的先進(jìn)技術(shù)，為客戶提供極高密度電池設(shè)計(jì)的最小狀態(tài)電阻、ruggedavalanche特性和不太關(guān)鍵的對(duì)準(zhǔn)步驟。
2020-03-23 11:36:5452 MOSFET及其應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，以幫助設(shè)計(jì)人員在許多工業(yè)應(yīng)用中選擇這些器件。 圖1 N溝道耗盡型功率MOSFET N溝道耗盡型功率MOSFET的電路符號(hào)在圖1中給出。端子標(biāo)記為G（柵極），S（源極）和D（漏極）。IXYS耗盡型功率MOSFET具有稱為垂直雙擴(kuò)散MOSFET或DMOSFET的結(jié)構(gòu)，與市場(chǎng)上的其
2021-05-27 12:18:589886 
徠卡于12月10日正式發(fā)布全新徠卡 SL2-S相機(jī)。SL2-S具有極高的運(yùn)行速度 ，可在全分辨率下實(shí)現(xiàn)高達(dá)每秒 25 幀的連拍速率，同時(shí)還配備了專業(yè)級(jí)的視頻功能 ，可實(shí)現(xiàn)無長(zhǎng)度限制的 10bit 4K 視頻錄制，這些都為SL系統(tǒng)設(shè)定了全新基準(zhǔn)。
2020-12-11 10:48:104321 MT-093：散熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)
2021-03-21 08:44:4214 DC093A-設(shè)計(jì)文件
2021-04-12 15:25:161 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:211914 
DC093A-演示手冊(cè)
2021-05-23 15:13:210 DC093A-設(shè)計(jì)文件
2021-06-16 11:22:062 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ti)DC093A相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DC093A的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DC093A真值表，DC093A管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-09-07 11:00:04
SL12-THRU-SL110-SMA規(guī)格書下載
2021-11-30 16:20:327 GaN 、SiC很有可能在高壓高頻方面完全取代硅基，SiC MOSFET 主打高壓領(lǐng)域；GaN MOSFET 主打高頻領(lǐng)域。
2022-10-19 11:57:57751 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()DS18S20-SL+T&R相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DS18S20-SL+T&R的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DS18S20-SL+T&R真值表，DS18S20-SL+T&R管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-02 08:22:54
MOSFET 和 GaN FET 應(yīng)用手冊(cè)-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1692 12 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMCA14UN
2023-02-17 19:45:210 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、12 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y12-100E
2023-02-21 19:46:180 雙 N 溝道 60 V、9.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K12-60E
2023-02-22 18:44:170 LFPAK33 中的 N 溝道 60 V、12 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7M12-60E
2023-02-22 18:44:582 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、12 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7M12-40E
2023-02-22 18:45:180 采用 LFPAK 的 N 溝道 100 V、12 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN012-100YS
2023-02-22 18:49:300 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、12 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN012-100YL
2023-02-22 18:50:480 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB12UNEA
2023-02-23 18:49:530 12 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMCM650VNE
2023-02-27 19:05:590 12 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMCM440VNE
2023-02-27 19:06:090 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB12UNE
2023-02-27 19:12:340 12 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMCM6501VNE
2023-03-01 18:39:270 12V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMCM4401VNE
2023-03-01 18:40:040 12 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMXB40UNE
2023-03-02 22:47:240 EMMA2SL/P DVB-S 參考板
2023-05-04 20:08:360 立元微ZS3086SL 12W小功率開關(guān)電源方案
2023-10-26 14:23:261827 
MPVA12N65FTO-220F650V12A功率MOSFET
2021-11-16 15:08:012 12N65L-ML UTC n溝道功率mosfet管
2021-11-24 15:46:561 fp6102v093-lf
2021-12-01 10:25:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:06:570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP12N65S美浦森高壓MOSFET650V 12A .pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:09:370 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NCE N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET NCE3010S數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-24 11:06:592 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙通道N溝道20V（D-S）MOSFET 9926產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-01 17:59:021 和更低的導(dǎo)通電阻，因此在高頻、高功率和高溫應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì)。 GaN MOSFET器件結(jié)構(gòu) GaN MOSFET的基本結(jié)構(gòu)包括以下幾個(gè)部分： 1.1 襯底：GaN MOSFET通常采用硅或碳化硅作為襯底
2024-07-14 11:39:364189 FD2606S是高壓、高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器， 能夠驅(qū)動(dòng)N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S內(nèi)置VCC和VB欠壓（UVLO）保護(hù)功能，防止功率管在過低的電壓下工作。 FD2606S邏輯輸入
2024-08-01 18:00:492964 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS23730EVM-093評(píng)估模塊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-11-11 14:18:080 UCG28826 是一款高頻準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器，內(nèi)置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管(HEMT)，可將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，適用于高達(dá) 65W的電源轉(zhuǎn)換器。它非常適合高功率密度應(yīng)用，例如手機(jī)
2025-01-21 17:18:141589 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8810SL雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-07 09:37:230 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)NN3-12S24C3N相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有NN3-12S24C3N的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，NN3-12S24C3N真值表，NN3-12S24C3N管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-19 18:49:48
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FD12-110S24A3N4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有FD12-110S24A3N4的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，F(xiàn)D12-110S24A3N4真值表，F(xiàn)D12-110S24A3N4管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-20 18:50:55
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)DD60-300S12G2N6相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DD60-300S12G2N6的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DD60-300S12G2N6真值表，DD60-300S12G2N6管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-21 18:32:28
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)ZCD50-110S12N-H相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有ZCD50-110S12N-H的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，ZCD50-110S12N-H真值表，ZCD50-110S12N-H管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-21 18:45:10
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2025-03-21 18:47:19
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2025-03-21 18:48:34
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2025-03-21 18:49:09
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2025-03-21 18:57:22
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8620SL雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-26 16:15:070 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8623SL雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-26 16:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8814SL共漏雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-25 17:30:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8816SL共漏雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-25 17:37:120 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8844SL N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-26 15:55:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)ZCD150-48S12N-H相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有ZCD150-48S12N-H的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，ZCD150-48S12N-H真值表，ZCD150-48S12N-H管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-24 18:34:21
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2025-03-24 18:37:50
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-3400 N溝道20伏(D-S) MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-13 16:22:020 GaN-MOSFET 的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中，p-GaN gate(p 型氮化鎵柵) 和Cascode(共源共柵) 是兩種主流的柵極控制方案，分別適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景，核心差異體現(xiàn)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、性能特點(diǎn)和適用范圍上。
2025-10-14 15:28:15676 
仁懋電子（MOT）推出的MOT12N70F是一款面向700V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS等領(lǐng)域
2025-11-07 10:31:03211 
仁懋電子（MOT）推出的MOT12N65F是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED
2025-11-12 14:19:35317 在電子工程領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能直接影響著各種電力系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天，我們來深入了解一下安森美（onsemi）的NVBG095N65S3F這款N溝道、D2PAK - 7L封裝的650V MOSFET。
2025-12-02 11:24:34430 
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