日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:59
1850 MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET?技術(shù)的電壓擴(kuò)展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的導(dǎo)通電阻低至18mΩ和23mΩ，同時(shí)保持低柵極電荷，在10V和7.5V下的典型電荷為31nC和22.8nC。
2013-04-23 11:47:112875 `惠海半導(dǎo)體供應(yīng)50N06 60V 50ATO-252 N溝道 MOS管HC012N06LS，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷品牌：惠海型號(hào)：HC080N06LSVDS：60V IDS：50A封裝：TO-252
2020-11-11 17:30:28
惠海半導(dǎo)體供應(yīng)50N06 60V 50ATO-252 N溝道 MOS管HC012N06L，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷品牌：惠海型號(hào)：HC012N06LVDS：60V IDS：50A封裝：TO-252溝道：N
2020-11-30 14:31:14
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) SLD80N06T 80A/60V TO-252 N溝道 MOS，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷SLD80N06T 參數(shù)：60V80ATO-252 N溝道MOS管品牌：美浦森
2021-04-07 15:06:41
Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)Pow
2009-11-23 17:10:23930 小信號(hào)應(yīng)用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:442304 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 NP50P06D6(60V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-13 10:49:342966 
60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKH
2023-02-07 18:57:17
0 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKH
2023-02-07 18:57:470 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138AKH
2023-02-07 18:57:590 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、12.5 mOhm、邏輯電平 MOSFET，使用針對(duì)重復(fù)雪崩增強(qiáng)的 TrenchMOS 技術(shù)-PSMN012-60HL
2023-02-08 19:06:510 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、12.5 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN013-60HL
2023-02-08 19:07:050 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、11.5 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN011-60HL
2023-02-08 19:07:250 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、14 mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN014-60HS
2023-02-08 19:10:200 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、10 mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN013-60HS
2023-02-08 19:10:330 采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、9.3 mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN9R3-60HS
2023-02-08 19:10:460 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMX700CN
2023-02-09 18:50:560 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002HS
2023-02-14 19:22:520 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002HW
2023-02-15 18:43:580 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002H
2023-02-15 18:44:250 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV164ENE
2023-02-15 18:45:180 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV88ENE
2023-02-15 18:45:360 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV37ENE
2023-02-15 18:46:070 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN37ENE
2023-02-15 18:46:540 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX6008NBKW
2023-02-15 19:51:260 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX6008NBKS
2023-02-15 19:51:380 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX6008NBK
2023-02-15 19:51:480 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138AK
2023-02-16 20:08:330 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138AKM
2023-02-16 20:25:210 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN40SNA
2023-02-16 20:54:000 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN55ENEA
2023-02-16 21:17:361 60 V、310 mA N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002PW
2023-02-17 19:11:110 60 V、320 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002PS
2023-02-17 19:11:240 60 V、360 mA N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002P
2023-02-17 19:11:410 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKM
2023-02-17 19:40:020 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-山毛櫸4D60-30
2023-02-17 19:56:410 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D36-60E
2023-02-20 19:14:442 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002NXBK
2023-02-20 19:44:550 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV37ENEA
2023-02-20 19:51:040 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMCM950ENE
2023-02-20 19:52:110 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV164ENEA
2023-02-20 19:53:520 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV88ENEA
2023-02-20 19:54:170 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E
2023-02-20 19:57:030 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E
2023-02-20 19:57:430 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN120ENEA
2023-02-20 19:58:020 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN230ENEA
2023-02-20 19:59:070 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN40ENA
2023-02-20 20:01:240 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D77-60E
2023-02-20 20:03:400 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D56-60E
2023-02-20 20:04:170 60 V、300 mA N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002
2023-02-21 19:23:100 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN230ENE
2023-02-21 19:34:560 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-60P
2023-02-22 18:53:020 N 溝道 LFPAK 60 V、15.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN017-60YS
2023-02-22 18:57:200 N 溝道 60 V、14.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN015-60PS
2023-02-22 19:04:310 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN120ENE
2023-02-23 19:04:350 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN55ENE
2023-02-23 19:05:100 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D43-60E
2023-02-23 19:05:270 60 V、320 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-BSS138BKS
2023-02-23 19:34:110 60 V、320 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-BSS138PS
2023-02-27 18:36:510 60 V、310 mA N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002BKW
2023-02-27 18:37:320 60 V、300 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002BKS
2023-02-27 18:37:490 60 V、350 mA N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002BK
2023-02-27 18:38:050 60 V、450 mA N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002BKM
2023-02-27 18:38:170 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKXB
2023-02-27 19:06:210 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKS
2023-02-27 19:06:450 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BK
2023-02-27 19:07:020 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB55ENEA
2023-02-27 19:12:230 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKW
2023-02-27 19:17:360 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKS
2023-02-27 19:17:510 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX138AKS
2023-02-27 19:18:200 N 溝道 LFPAK 60 V、11.1 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN012-60YS
2023-03-01 18:51:270 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKM
2023-03-02 23:00:470 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKMB
2023-03-02 23:01:061 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002AKS
2023-03-02 23:01:240 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BSN20BK
2023-03-02 23:02:470 D2PAK 中的 N 溝道 60 V、4.4 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN4R6-60BS
2023-03-03 18:54:350 D2PAK 中的 N 溝道 60 V 14.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN015-60BS
2023-03-03 19:02:090 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV55ENEA
2023-03-03 19:33:310 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV450ENEA
2023-03-03 19:34:170 60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA
2023-03-03 19:34:480 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV120ENEA
2023-03-03 19:35:230 N 溝道 60 V 7.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220F (SOT186A)-PSMN7R6-60XS
2023-03-03 20:01:200 N 溝道 60 V、4.0 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220F (SOT186A)-PSMN3R9-60XS
2023-03-03 20:08:570 深圳市芯晶圖電子技術(shù)有限公司供應(yīng)60V/20AN溝道MOS管TO-252SLD20N06T，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷SLD20N06T：60V20ATO-252N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管品牌：美浦森
2022-05-06 10:12:152279 
全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:141480 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60V N 溝道 FemtoFET? MOSFET CSD18541F5數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-27 13:49:350 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙通道N溝道20V（D-S）MOSFET 9926產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-01 17:59:021 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙通道 60V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD88539ND數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-07 14:49:200 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BSS138AKM-Q 60V N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-09 11:28:350 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《2N7002AKM-Q 60V、N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-09 11:29:170 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-3400 N溝道20伏(D-S) MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-13 16:22:020 Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET，具有100V漏源電壓。該MOSFET具有536W最大功耗（+25°C
2025-11-11 13:42:26337 
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