日本半導體制造商 ROHM 已正式將適用于工業(yè)裝置、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等變流器/轉(zhuǎn)換器的碳化硅MOSFET 模組（額定規(guī)格1200V/ 180A）投入量產(chǎn)。
2013-01-30 09:32:42
1610 簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，合作內(nèi)容包含了基于某些客戶的需求，進行基于羅姆碳化硅芯片的功率半導體模塊，及對應電機控制器的開發(fā)。本文即介紹臻驅(qū)對碳化硅功率模塊的開發(fā)、測試及系統(tǒng)評估。 Introduction 碳化硅功率半導體近年來在能源轉(zhuǎn)換
2020-11-24 11:51:472702 
隨著電動車（EV）需求上升，也讓日本各家電子零件廠增產(chǎn) EV 零件搶攻 EV 商機，其中羅姆（Rohm）傳出計劃將 EV 用碳化硅（SiC）功率半導體產(chǎn)能擴增至現(xiàn)行的 5 倍。
2021-01-21 10:05:083446 2025 年 9 月 24 日，在 PCIM Asia Shanghai 展會現(xiàn)場，羅姆（ROHM）攜多款功率半導體新品及解決方案精彩亮相。展會上羅姆重點展示了EcoSiC?碳化硅（SiC）模塊
2025-09-29 14:35:1812443 
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實現(xiàn)這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
復雜的設計，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關碳化硅器件？ 當傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開關頻率方面達到極限時，碳化硅可能是合適的半導體選擇。高達 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標是正向?qū)妷旱?，具有低的導通損耗?！ 〉栊ぬ鼗O管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
社會的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料，因為碳化硅相較于硅材料可進一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器，但其具有極為廣泛的應用前景，包括車輛電氣化和工業(yè)設備
2023-04-11 15:29:18
更新?lián)Q代，SiC并不例外 新一代半導體開關技術出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術仍處于初級階段，有望進一步改善許多應用領域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術的進步，未來還將面臨挑戰(zhàn)，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻，然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結(jié)。然后將一層黃銅作為電觸點噴上火焰。其他標準
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
電磁性。因碳化硅是一種共價鍵化合物，原子間結(jié)合的鍵很強，它具有以下一些獨特的性能，因而得以廣泛應用。1)高熔點。關于碳化硅熔點的數(shù)據(jù).不同資料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導體電子設備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點及優(yōu)勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
已經(jīng)成為全球最大的半導體消費國，半導體消費量占全球消費量的比重超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國
2021-03-25 14:09:37
通損耗一直是功率半導體行業(yè)的不懈追求?！ ∠噍^于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品，基于寬禁帶碳化硅材料設計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅(qū)動技術研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
）------------------------------------------------------------------------------------------------會議主題：羅姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用直播時間：2018
2018-07-27 17:20:31
處于領先地位。氮化鎵功率半導體雖然適用性極高，但依然面臨三項社會問題僅從物理特性來看，氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標（與硅相比，硅是1）相比
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
氧化層？如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？”讓我們一起跟隨基本半導體市場部總監(jiān)魏煒老師的講解，揭開這一技術領域的神秘面紗。
2025-01-04 12:37:34
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2020-07-30 07:14:58
碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料，可以顯著降低功率損耗并實現(xiàn)更高的功率密度、電壓、溫度和頻率，同時減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統(tǒng)的復雜性，從而降低了電源系統(tǒng)的整體架構。與過去幾十年相比
2022-06-13 11:27:24
大功率適配器為了減小對電網(wǎng)的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導體材料幾乎都是同時出現(xiàn)，強強聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
步提升電源效率。針對上述情況，解決方案有以下兩種?！ 》桨?b class="flag-6" style="color: red">一：將IGBT單管上反并聯(lián)的快速恢復二極管換成基本半導體的“零反向恢復”的碳化硅肖特基二極管（碳化硅 SBD），這種組合起來封裝的器件，稱之為
2023-02-28 16:48:24
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
的一大難點所在。3 多功能集成封裝技術3.1 多功能集成封裝技術碳化硅器件的出現(xiàn)推動了電力電子朝著小型化的方向發(fā)展，其中集成化的趨勢也日漸明顯。瓷片電容的集成較為常見，通過將瓷片電容盡可能靠近功率芯片
2023-02-22 16:06:08
碳化硅 MOSFET 量身打造的解決方案，搭配基本半導體TO-247-3 封裝碳化硅 MOSFET。 2、通用型驅(qū)動核 1CD0214T17-XXYY 是青銅劍科技自主研發(fā)的一系列針對于單管碳化硅
2023-02-27 16:03:36
是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
日本知名半導體制造商羅姆株式會社（總部：日本京都市）推出的“全SiC”功率模塊（額定1200V/100A）開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導體元件全部采用SiC（Silicon Carbide：碳化硅）構
2012-03-23 08:52:572163 你可能不知道，采用碳化硅取代傳統(tǒng)的硅半導體材料制作的電力芯片能減少75%的能耗，碳化硅半導體已成為國際上公認的將引領電力電子，特別是大功率電力電子下一個50年的最佳電
2012-04-12 08:54:552531 當前，材料的發(fā)展引領了產(chǎn)品性能的提升，碳化硅和氮化鎵的發(fā)展也就推動了在變頻器和轉(zhuǎn)換器設計上用到的功率半導體的發(fā)展，下面我們就下一代的功率半導體發(fā)展趨勢進行分析。
2012-12-03 09:09:052568 羅姆碳化硅產(chǎn)品介
2018-02-24 17:06:29
14 意法半導體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長期供應協(xié)議。
2020-01-17 09:07:481766 、測試及推廣以碳化硅為基礎材料的功率半導體技術，服務上海以至全國的功率半導體芯片、功率模塊、零部件供應商和整機廠全產(chǎn)業(yè)鏈，加快下一代先進功率半導體芯片和功率模塊的推廣和產(chǎn)業(yè)化應用。 揭牌儀式上，臻驅(qū)科技董事長兼總經(jīng)理沈捷表示，
2020-07-09 16:35:582677 來源：羅姆半導體社區(qū)? 作為第三代半導體中的明星，碳化硅因為其獨有的特性和優(yōu)勢受到各方青睞。尤其是時下電動汽車市場的火爆，助推了碳化硅器件的發(fā)展與應用。不過，作為新興事物，碳化硅器件的產(chǎn)品良率及價格
2022-12-27 18:08:191883 SiC-碳化硅-功率半導體的介紹講解說明。
2021-04-26 10:11:32148 7月29日，基本半導體碳化硅功率模塊裝車測試發(fā)車儀式在深圳成功舉行，搭載自主研發(fā)碳化硅模塊的測試車輛正式啟程。
2021-07-30 15:55:332145 
，基本半導體總經(jīng)理和巍巍博士發(fā)布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半導體產(chǎn)品布局進一步完善，產(chǎn)品競爭力再度提升，將助力國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)進一步發(fā)展。基本半導體的碳化硅
2021-11-29 14:54:089429 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）近年來，電動汽車產(chǎn)銷量不斷增長，同時越來越多車企將碳化硅產(chǎn)品用于電動汽車上，碳化硅功率半導體的未來市場被極度看好，為此，近日博世、東芝、羅姆等廠商紛紛表示，將大量擴大碳化硅功率半導體的產(chǎn)能。
2021-12-14 16:52:565079 12月30日，基本半導體位于無錫市新吳區(qū)的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運行，首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線。這是目前國內(nèi)第一條汽車級碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線，采用先進碳化硅專用封裝工藝技術，打造
2021-12-31 10:55:433454 
“雙碳時代”已緩緩拉開帷幕，各行各業(yè)都將面臨減排挑戰(zhàn)。在電動車領域中，如何開發(fā)出小型化、更低功耗、更高性能的電控系統(tǒng)已成為產(chǎn)業(yè)鏈上下共同探索的方向。羅姆半導體集團順應時代發(fā)展潮流，開發(fā)出新型碳化硅
2022-03-19 11:12:212869 碳化硅正被用于多種電力應用。ROHM 與意法半導體之間的協(xié)議將增加其在行業(yè)中的廣泛采用。 汽車和工業(yè)市場都在加速采用SiC 材料的能源解決方案。制造碳化硅 (SiC) 晶圓的過程比制造硅晶圓要復雜
2022-07-28 17:05:012981 
為提升新能源汽車整體性能，全球各大車企紛紛將目光鎖定在碳化硅功率半導體。相較傳統(tǒng)硅基模塊，碳化硅功率模塊可大幅提升電機控制器的功率密度和效率，在降低電池成本、增加續(xù)航里程、縮短充電時間、減少整車重量等方面表現(xiàn)出了非凡的科技魅力，堪比功率半導體里的“學霸”。
2022-08-01 14:58:551638 %。新公司將合作開發(fā)、設計、制造和銷售使用碳化硅（SiC）功率器件的功率模塊，旨在發(fā)展可用于牽引逆變器和其他新能源汽車的功率模塊業(yè)務。應用程序。 “新公司將設計、量產(chǎn)和銷售使用 ROHM 的 SiC 半導體的功率模塊?！?在接受《電力電子報》采訪時，羅
2022-08-03 15:50:241335 
相比硅基功率半導體，碳化硅功率半導體在開關頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢，隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。
2022-10-14 17:52:067086 雙方將圍繞車載碳化硅功率器件的開發(fā)助力新能源汽車技術革新 日前，深圳基本半導體有限公司（以下簡稱“基本半導體”）與全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）在位于日本京都
2022-11-16 12:15:021151 日本共同社25日消息，羅姆（ROHM）將于12月開始量產(chǎn)碳化硅(SiC)制成的下一代功率半導體。 據(jù)悉，量產(chǎn)將在日本福岡縣筑后市工廠今年開設的碳化硅功率半導體專用廠房實施，今后羅姆將為增產(chǎn)投資最多
2022-11-28 10:22:231837 汽車碳化硅技術原理圖 相比硅基功率半導體，碳化硅功率半導體在開關頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢，隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導體碳化硅
2023-02-02 15:10:001067 ） 第一代半導體材料以傳統(tǒng)的硅（Si）和鍺（Ge）為代表，是集成電路制造的基 礎，廣泛應用于低壓、低頻、低功率的晶體管和探測器中，90%以上的半導體產(chǎn)品 是用硅基材料制作的； 2） 第二代半導體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）和磷化鎵
2023-02-03 15:25:165686 
功率半導體碳化硅（SiC）技術 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術的需求繼續(xù)增長，這種技術可以最大限度地提高當今電力系統(tǒng)的效率
2023-02-15 16:03:4410 的方法來構建這此關鍵元素。碳化硅(SiC)半導體不同于普通的硅半導體。當使用動力電子設備和電力系統(tǒng)時，它表現(xiàn)出有限的導熱性、在某些應用中難以改變頻率、低帶隙能量以及更多的功率損耗然而，它也有好處。以下是碳化硅
2023-02-20 15:51:553 什么是第三代半導體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:473721 羅姆半導體（上海）有限公司市場宣傳課高級經(jīng)理張嘉煜表示，羅姆擁有世界先進的碳化硅及氮化鎵技術，打造了高效處理電力的功率半導體器件，面向汽車、工業(yè)設備等應用場景當中。
2023-03-10 11:49:333096 
碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有許多優(yōu)勢和廣泛的應用前景。
2023-06-28 09:58:095189 
羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計劃到2027碳化硅功率半導體業(yè)務達139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導體的發(fā)展，一直在積極布局碳化硅業(yè)務。羅姆計劃到2025年拿下碳化硅市場30
2023-07-19 19:37:011445 碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或?qū)⑵渑c鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導體級質(zhì)量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:453687 第三代半導體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應用于新能源汽車、光伏、工控等領域。因此第三代半導體研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構。
2023-08-11 10:17:541658 
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發(fā)展，碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:224787 SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導體器件中，碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:291898 
點擊 “東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 碳化硅（SiC）是第3代半導體材料的典型代表，具有高禁帶寬度、高擊穿電場和高功率密度、高電導率、高熱導率等優(yōu)越的物理性能，應用前景廣闊。 目前，東芝的碳化硅
2023-10-17 23:10:021787 
， 納微半導體收購了GeneSiC半導體， 創(chuàng)建了業(yè)界唯一一家專注于SiC和GaN的純下一代功率半導體公司
2023-10-25 16:32:013041 
如何保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
2023-11-23 17:00:21843 
目前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場研究機構預測，未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態(tài)勢。根據(jù)公開信息統(tǒng)計，2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元，該數(shù)據(jù)包括多家上市公司，如意法半導體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:372134 
碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導體級質(zhì)量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:233791 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:494326 第三代半導體性能優(yōu)越，應用場景更廣。半導體材料作為電子信息技術發(fā)展的 基礎，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應用場景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導體材料逐漸進入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。相較于
2024-01-16 10:48:492367 
羅姆與服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡稱ST）宣布，雙方將在意法半導體與羅姆集團旗下SiCrystal公司現(xiàn)有的150mm（6英寸）碳化硅（SiC）襯底晶圓多年長期供貨協(xié)議基礎上，
2024-04-23 10:17:57957 代碼:STM) 宣布，雙方將在意法半導體與羅姆集團旗下SiCrystal公司現(xiàn)有的150mm (6英寸) 碳化硅 (SiC) 襯底晶圓多年長期供貨協(xié)議基礎上，繼續(xù)擴大合作。根據(jù)新簽署的長期供貨協(xié)議
2024-04-26 11:30:001058 
羅姆集團與全球知名的半導體巨頭意法半導體（簡稱ST）近日共同宣布，雙方將深化合作關系，進一步擴展在碳化硅（SiC）襯底晶圓領域的合作。此次合作基于雙方現(xiàn)有的針對150mm（6英寸）碳化硅襯底晶圓的多年長期供貨協(xié)議，意法半導體將獲得羅姆集團旗下SiCrystal公司更大量的碳化硅襯底晶圓供應。
2024-05-07 10:16:491123 納微半導體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導體的行業(yè)領軍者，近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速（G3F）碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列，包括650V和1200V兩大規(guī)格。
2024-06-11 16:24:441716 近日，納微半導體CEO Gene Sheridan做客CNBC，與WORLDWIDE EXCHANGE主持人Frank Holland對話，分享了在AI數(shù)據(jù)中心所需電源功率呈指數(shù)級增長的需求下，下一代氮化鎵和碳化硅將迎來怎樣的火熱前景。
2024-06-13 10:30:041343 隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術帶來了更嚴峻的挑戰(zhàn)。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性，成為了下一代車載功率芯片的理想選擇。同時，高溫、高壓、大電流
2024-07-18 15:26:051199 
在電力電子領域，碳化硅（SiC）功率器件正以其獨特的性能和優(yōu)勢，逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點，使得碳化硅功率器件在高溫、高頻、大功率應用領域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢。本文將深入探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢、應用領域以及未來發(fā)展趨勢。
2024-09-13 10:56:421990 
碳化硅功率器件作為下一代半導體技術的重要代表，以其優(yōu)越的性能和廣闊的應用前景，成為能源革命中的重要推動力。本文將從市場資訊的角度，深入探討碳化硅功率器件的發(fā)展趨勢、應用領域和市場前景。
2024-10-24 15:46:411490 碳化硅（SiC）在半導體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢，其獨特的物理和化學性質(zhì)使其成為新一代高性能半導體材料的佼佼者。以下是對碳化硅在半導體產(chǎn)業(yè)中發(fā)展的分析： 一、碳化硅的基本特性 碳化硅是一種無機物
2024-11-29 09:30:051573 碳化硅（SiC）在半導體中扮演著至關重要的角色，其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導體中的主要作用及優(yōu)勢： 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352667 近日，唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術領導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025，展示氮化鎵和碳化硅技術在AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車和移動設備領域的應用新突破。
2025-02-25 10:16:381786 近日，全球電力電子領域的“頂流”盛會——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會展中心盛大開幕?；?b class="flag-6" style="color: red">半導體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動解決方案盛裝亮相，并隆重發(fā)布新一代碳化硅MOSFET
2025-05-09 09:19:101116 
SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮：國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)的崛起與技術突破 1.1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)從Fabless
2025-06-07 06:17:30911 隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)加速向電動化、智能化轉(zhuǎn)型，碳化硅功率器件憑借其高效率、高功率密度和耐高溫特性，正成為下一代電驅(qū)動系統(tǒng)的核心技術。在此背景下，2025年1月，在上海正式設立碳化硅功率半導體研發(fā)與測試實驗室，旨在面向本土市場，提供領先的碳化硅產(chǎn)品研發(fā)、測試及驗證能力，助力客戶高性能電驅(qū)產(chǎn)品落地。
2025-06-27 11:09:561065 9 月 28 日消息，兩家重要功率半導體企業(yè)德國英飛凌 Infineon 和日本羅姆 ROHM 本月 25 宣布雙方就建立碳化硅 (SiC) 功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。 根據(jù)這份協(xié)議，雙方
2025-09-29 18:24:361709 
博世為智能出行領域提供全面的碳化硅功率半導體產(chǎn)品組合，包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級供應商以及分銷商，產(chǎn)品
2025-12-12 14:14:06565
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