MOS晶體管金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管
2009-11-05 11:50:36
4309 。與普通的晶體管相比，MOSFET有著更低的輸入電流、更高的輸入阻抗、更大的增益和更小的功耗，廣泛用于數(shù)字電路和模擬電路的放大、開關(guān)和控制應(yīng)用。MOSFET的結(jié)構(gòu)和原理基本上與JFET(結(jié)型場效應(yīng)晶體管)相同，只是控制電場是通過氧化層的電荷，而不是PN結(jié)的耗盡區(qū)域，因此稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
2023-02-25 16:24:384206 達(dá)林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達(dá)林頓對（Darlington Pair），是由兩個(gè)或更多個(gè)雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過這種結(jié)構(gòu)，第一個(gè)雙極性晶體管放大的電流可以進(jìn)一步被放大，從而提供比其中任意一個(gè)雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:5313533 
8050晶體管是一種小型設(shè)備，用于引導(dǎo)便攜式無線電中的電流。數(shù)字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會(huì)給晶體管起數(shù)字名稱，以便更容易識(shí)別和區(qū)分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
選定方法數(shù)字晶體管的型號(hào)說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式。■數(shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請各位大俠指點(diǎn)?。?！
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時(shí)，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍！`
2016-11-08 14:12:33
FET的工作原理 1．3 晶體管和FET的近況 1．3．1 外形(封裝)的改進(jìn) 1．3．2 內(nèi)部結(jié)構(gòu)的改進(jìn) 1．3．3 晶體管和FET的優(yōu)勢 第2章 放大電路的工作 2．1 觀察放大電路的波形
2009-11-20 09:41:18
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
等同hFE，甚至相差很大，所以不要將其混淆。β和hFE大小除了與晶體管結(jié)構(gòu)和工藝等有關(guān)外，還與管子的工作電流（直流偏置）有關(guān)，工作電流IC在正常情況下改變時(shí)，β和hFE也會(huì)有所變化；若工作電流變得過小或
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個(gè)Si,是因?yàn)檫€有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，但根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
計(jì)算機(jī)等使用的數(shù)字信號(hào)中，晶體管起著切換0和1的開關(guān)作用。IC及LSI歸根結(jié)底是晶體管的集合，其作用的基礎(chǔ)便是晶體管的增幅作用。4. 集電阻和晶體管于一體原來基板上的電阻和晶體管分別安裝，數(shù)字晶體管
2019-07-23 00:07:18
計(jì)算機(jī)等使用的數(shù)字信號(hào)中，晶體管起著切換0和1的開關(guān)作用。IC及LSI歸根結(jié)底是晶體管的集合，其作用的基礎(chǔ)便是晶體管的增幅作用。4. 集電阻和晶體管于一體原來基板上的電阻和晶體管分別安裝，數(shù)字晶體管
2019-05-05 00:52:40
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)?！竟β试骷幕?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-05-06 05:00:17
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)?！竟β试骷幕?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-03-27 06:20:04
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
NPN晶體管排列和符號(hào)在解釋原理之前，我們先來了解一下NPN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和符號(hào)。要識(shí)別NPN晶體管引腳，它將是集電極（c），基極（b）和發(fā)射極（e）。圖1.NPN 晶體管結(jié)構(gòu)和符號(hào)NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)PN結(jié)二極管相對于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
繼前篇內(nèi)容，繼續(xù)進(jìn)行各功率晶體管的比較。本篇比較結(jié)構(gòu)和特征。功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較下圖是各功率晶體管的結(jié)構(gòu)、耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度的比較。使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同，因而電氣特征也不同。補(bǔ)充
2018-11-30 11:35:30
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來代替，MFR151管子能用哪個(gè)來代替？或是誰有這兩個(gè)高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
。作者簡介 ：鈴木雅臣，任職于Accuphase公司，主要從事數(shù)字視聽設(shè)備設(shè)計(jì)工作。生于日本東京。著有《新·低頻/高頻電路設(shè)計(jì)入門》、《晶體管電路設(shè)計(jì)》等。目錄：第一章 概述學(xué)習(xí)晶體管電路或FET電路
2017-07-25 15:29:55
（VLSI 2025 上展示）。
這是內(nèi)壁（左）和外壁（右）叉片結(jié)構(gòu)的示意圖。（圖片來源：Imec）
外壁叉片晶體管的另一個(gè)優(yōu)勢是能夠更好地向溝道施加機(jī)械應(yīng)力。在早期階段，保護(hù)性掩模覆蓋了稍后放置壁
2025-06-20 10:40:07
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管是通常用于放大器或電控開關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度，晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能，包括放大器、開關(guān)、穩(wěn)壓器、信號(hào)
2023-02-03 09:36:05
年代和 1960 年代，它也被稱為超級(jí)阿爾法對。Darlington認(rèn)識(shí)到這種設(shè)計(jì)對發(fā)射極-跟隨電路的諸多優(yōu)勢，并為這一概念申請了專利?！ ∵_(dá)林頓晶體管通常具有低功耗、高增益的特性，使其對輸入電流
2023-02-16 18:19:11
本文探討了鰭式場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)、它們在各種應(yīng)用中的用途，以及它們相對于 MOSFET 的優(yōu)缺點(diǎn)?！ ∈裁词泅捠綀鲂?yīng)晶體管？ 鰭式場效應(yīng)晶體管是一種晶體管。作為晶體管，它是一個(gè)放大器和一個(gè)
2023-02-24 15:25:29
請教：單結(jié)晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
單結(jié)晶體管有一個(gè)PN結(jié)和三個(gè)電極，一個(gè)發(fā)射極和兩個(gè)基極，所以又稱雙基極二極管。其結(jié)構(gòu)、等效電路及電路符號(hào)如下圖所示。a、單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)；b、等效電路；c、電路符號(hào)它是在一塊高電阻率(低摻雜)的N型
2018-01-09 11:39:27
電流，進(jìn)而改變流過給定晶體管的集電極電流?！ ∪绻覀冞_(dá)到集電極電流的最大流量，則晶體管已飽和。將晶體管導(dǎo)通所需的輸入電壓和電流量由基極電阻決定 圖5. 數(shù)字邏輯晶體管開關(guān) 在R上方的電路
2023-02-20 16:35:09
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計(jì)了一款多值電場型電壓選擇晶體管。控制二進(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路，實(shí)際上是對電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
2025-04-15 10:24:55
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計(jì)了一款多值電場型電壓選擇晶體管?？刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路，實(shí)際上是對電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
2025-09-15 15:31:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號(hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術(shù)的能力。開發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關(guān)設(shè)備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念?！ D-GIT的概述和優(yōu)勢 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢，高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29
。在數(shù)字設(shè)備中，肯定會(huì)使用大規(guī)模集成電路，所以不會(huì)采用電子管?！ ⊥ㄟ^以上的內(nèi)容可以看到，電子管與晶體管在結(jié)構(gòu)與工作方式上都存在著較大的區(qū)別，這就導(dǎo)致了兩者在應(yīng)用范圍上的不同，顯然適應(yīng)性更加廣泛的晶體管將逐漸取代傳統(tǒng)電子管是必然的發(fā)展方向，但在某些特定的設(shè)計(jì)或者場合中仍需使用電子管。
2016-01-26 16:52:08
2000一5000（α＝0.995-0.9998）?！ ∈且訮型襯底作為集電極，因此只有集成元器件之間采用PN結(jié)隔離槽的集成電路才能制作這種結(jié)構(gòu)的管子。由于這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
時(shí)鐘多米諾邏輯是晶體管級(jí)的結(jié)構(gòu)，請問其結(jié)構(gòu)如何，有何作用？如何理解比較好。
2019-07-25 05:56:04
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
（一）晶體管的結(jié)構(gòu)特性 1．晶體管的結(jié)構(gòu) 晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母
2006-05-25 22:35:2523107 單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)
晶閘管的觸發(fā)電路有很多，其中比較常見的有單結(jié)晶體管觸發(fā)電路。單結(jié)晶體管又稱雙基極二極管，有一個(gè)發(fā)射極
2009-06-20 22:38:542939 
晶體管的PN結(jié)構(gòu)電路圖
2009-08-08 16:14:013171 
晶體管分類
按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體
2009-11-05 10:48:534989 電力晶體管工作原理和結(jié)構(gòu)
電力晶體管的結(jié)構(gòu)
電力晶體管(Giant Transistor)簡稱GTR，結(jié)構(gòu)和工作原理都和小功率晶體管非常
2009-11-05 12:02:422344 電力晶體管的詳細(xì)資料
目錄
電力晶體管簡介電力晶體管的結(jié)構(gòu)電力晶體管工作原理電力晶體
2009-11-05 13:38:292529 PNP晶體管,PNP晶體管是什么意思
PNP晶體管是另一種類型晶體管.它的結(jié)構(gòu)如圖1所示。
2010-03-05 11:18:056814 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來控制。場效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:466586 電力晶體管(GTR),電力晶體管(GTR)是什么意思
電力晶體
電力晶體管管按英文GiantTransistor直譯為巨型晶體
2010-03-05 13:32:3014825 電力晶體管的原理和特點(diǎn)是什么?
結(jié)構(gòu)電力晶體管(GiantTransistor)簡稱GTR，結(jié)構(gòu)和工作原理都和小功率晶體管
2010-03-05 13:43:5611945 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:514129 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時(shí)的最大
2010-03-05 17:34:108979 《晶體管精華集錦》技術(shù)專題主要介紹了晶體管新品資訊、晶體管原理、晶體管手冊、晶體管電路圖、晶體管電路設(shè)計(jì)、晶體管應(yīng)用（主要含晶體管收音機(jī)、晶體管測試儀）以及常見的晶體管（如：場效應(yīng)晶體管,mos晶體管,絕緣柵雙極晶體管等）。本專題內(nèi)容豐富、包羅萬象，希望對各位有所幫助！
2012-08-03 09:12:48
本文將介紹雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)。雙極晶體管是雙極型結(jié)型晶體管（BJT）的簡稱，在電力半導(dǎo)體中，也稱作大功率晶體管（GTR），在現(xiàn)代電力電子變換器中大多已經(jīng)被MOSFET或者IGBT所代替。了解雙極晶體管有助于深入理解現(xiàn)代功率器件的結(jié)構(gòu)。
2018-03-05 16:12:1427407 
晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極之間）和發(fā)射結(jié)（B、E極之間），發(fā)射結(jié)與集電結(jié)之間為基區(qū)。
2018-08-22 17:30:536911 晶體管的問世，是20世紀(jì)的一項(xiàng)重大發(fā)明，是微電子革命的先聲。晶體管出現(xiàn)后，人們就能用一個(gè)小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發(fā)明又為后來集成電路的降生吹響了號(hào)角。
2018-08-26 10:53:2819582 晶體管泛指所有半導(dǎo)體器件，包含N多種類，因此其也具有多種不同的分類方式。晶體管根據(jù)使用材料的不同可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管;根據(jù)極性的不同可分為NPN型晶體管和PNP型晶體管;根據(jù)結(jié)構(gòu)和制造
2019-04-09 14:18:3136636 mos晶體管，金屬-氧化物-半導(dǎo)體（Metal-Oxide-Semiconductor）結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路。
2019-04-19 17:04:528654 現(xiàn)在我們介紹晶體管的幾種基本結(jié)構(gòu)。從工藝角度來分，大致可分為合金管、合金擴(kuò)散管和臺(tái)面管。
2019-08-18 10:05:1616043 電力晶體管有與一般雙極型晶體管相似的結(jié)構(gòu)、工作原理和特性。它們都是3層半導(dǎo)體，2個(gè)PN結(jié)的三端器件，有PNP和NPN這2種類型，但GTR多采用NPN型。GTR的結(jié)構(gòu)、電氣符號(hào)和基本工作原理，如圖1所示。
2019-09-02 08:57:4516122 
數(shù)字晶體管（DigitalTransistor）與普通晶體管差別不大，并沒有采用任何數(shù)字技術(shù)，僅僅內(nèi)置了一個(gè)或兩個(gè)偏壓電阻，即所謂的偏壓型晶體管（BiasResistorTransistor）。與普通晶體管相比，數(shù)字晶體管的輸入-輸出呈線性關(guān)系，而且工作狀況穩(wěn)定。
2020-02-14 12:43:4618069 
本文首先闡述了晶體管的概念，其次介紹了晶體管的優(yōu)越性，最后闡述了晶體管的控制方式。
2020-03-14 09:47:1213941 數(shù)字晶體管是帶電阻的晶體管， 一些僅在基極上串聯(lián)一只電阻， 一般號(hào)稱R1 ， 片段在基極與發(fā)射極期間還并聯(lián)一只電阻R2 。電阻R1有冒尖電阻， 好像標(biāo)準(zhǔn)電阻多如牛毛配制，電阻R2圖景好像R1，電阻
2022-05-11 17:46:511829 數(shù)字晶體管是帶有電阻的晶體管。 有的只在基極串聯(lián)一個(gè)電阻，一般稱為R1，有的還在基極和發(fā)射極之間并聯(lián)一個(gè)電阻R2。 電阻R1有多種電阻，類似于標(biāo)準(zhǔn)電阻系列。 電阻器 R2 類似于 R1。 電阻R1
2022-05-12 18:07:012964 單元電路與版圖** ** ·CMOS門電路** ** ·CMOS的功耗表示** 老實(shí)說，CMOS比較偏微電子器件，微電子器件還真難...這里我就說一些做數(shù)字設(shè)計(jì)或許要了解的東西吧（以后要是有必要，會(huì)補(bǔ)充）。 1、MOS晶體管結(jié)構(gòu)與工作原理簡述 我們或多或少知道，晶體管在數(shù)字電路中的主要作用就是
2023-01-28 08:16:003210 
芯片上集成晶體管的方法有很多，其中最常用的是封裝技術(shù)，即將晶體管封裝在芯片上，使其成為一個(gè)整體，從而實(shí)現(xiàn)晶體管的集成。另外，還可以使用芯片上的晶體管模塊，將晶體管模塊連接到芯片上，從而實(shí)現(xiàn)晶體管的集成。
2023-02-19 14:02:155730 數(shù)字晶體管是帶有電阻的晶體管。 有的只在基極串聯(lián)一個(gè)電阻，一般稱為R1，有的還在基極和發(fā)射極之間并聯(lián)一個(gè)電阻R2。 電阻R1有多種電阻，類似于標(biāo)準(zhǔn)電阻系列。 電阻器 R2 類似于 R1。 電阻R1和電阻R2可以有多種匹配方式，因此數(shù)字晶體管的種類很多。
2023-05-29 16:18:481528 如何使用數(shù)字晶體管數(shù)字晶體管是一種用于控制電流流動(dòng)的半導(dǎo)體元件，可用于數(shù)字電路中的邏輯門、時(shí)序電路和數(shù)據(jù)處理電路等。
2023-05-29 16:23:071199 
數(shù)字晶體管因集電極電流和連接至基極的電阻的不同而分為不同類型。數(shù)字晶體管的選擇方法和確定使用普通晶體管作為開關(guān)時(shí)連接到基極的電阻的方法相同。
2023-05-29 16:40:45892 今天為大家介紹晶體管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，分為NPN型和PNP型兩類，根據(jù)使用材料的不同，將晶體管分為NPN型鍺管和NPN型硅管，PNP型鍺管和PNP型硅管。
2023-06-03 09:29:113422 
從平面晶體管結(jié)構(gòu)(Planar)到立體的FinFET結(jié)構(gòu)，我們比較容易理解晶體管尺寸縮小的原理。
2023-12-02 14:04:452382 
晶體管的問世，是20世紀(jì)的一項(xiàng)重大發(fā)明，是微電子革命的先聲。晶體管出現(xiàn)后，人們就能用一個(gè)小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發(fā)明又為后來集成電路的降生吹響了號(hào)角。
2023-12-13 16:42:312588 
PNP晶體管是一種三極管，是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的電子元件。它由三個(gè)半導(dǎo)體區(qū)域——兩個(gè)P型半導(dǎo)體夾著一個(gè)N型半導(dǎo)體構(gòu)成，這種特殊的結(jié)構(gòu)賦予了PNP晶體管獨(dú)特的電學(xué)特性。本文將詳細(xì)探討PNP晶體管的工作原理、結(jié)構(gòu)特性及其在電子電路中的應(yīng)用。
2024-05-22 16:11:578954 PNP晶體管是一種雙極性晶體管，用于電子電路中放大、開關(guān)和控制電流的器件。與NPN晶體管相對應(yīng)，PNP晶體管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)在于其三個(gè)不同的半導(dǎo)體區(qū)域：正極（P型）、負(fù)極（N型）、正極（P型）。這種結(jié)構(gòu)使得PNP晶體管在電流流動(dòng)方向和電荷類型上與NPN晶體管有所不同，但其工作原理基本相同。
2024-07-01 17:45:329204 
NPN晶體管是最常用的雙極結(jié)型晶體管，通過將P型半導(dǎo)體夾在兩個(gè)N型半導(dǎo)體之間而構(gòu)成。 NPN 晶體管具有三個(gè)端子：集電極、發(fā)射極和基極。 NPN晶體管的行為類似于兩個(gè)背對背連接的PN 結(jié)二極管。
2024-07-01 18:02:4315838 
技術(shù)制成，具有比常規(guī)晶體管更大的集電極和基極區(qū)域。光電晶體管可以具有由一種材料（如硅）制成的同質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，也可以具有由不同材料制成的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。
2024-07-01 18:13:365490 
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細(xì)，融合了多種材料和工藝，以實(shí)現(xiàn)高效、高頻率和高功率密度的性能。
2024-08-15 11:01:063439 單極型晶體管，也被稱為單極性晶體管或場效應(yīng)晶體管（Field-Effect Transistor, FET），是一種在電子學(xué)中廣泛使用的半導(dǎo)體器件。它的工作原理基于電場對半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性
2024-08-15 15:12:055038 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaN晶體管的命名、類型和結(jié)構(gòu).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-12 10:01:20
0 CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色，但它們在結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在顯著的區(qū)別。以下是對兩者區(qū)別的詳細(xì)闡述。
2024-09-13 14:09:095525 NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）類型，它們在多個(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別。
2024-09-13 14:10:009544 晶體管的輸出特性是描述晶體管在輸出端對外部負(fù)載的特性表現(xiàn)，這些特性直接關(guān)系到晶體管在各種電路中的應(yīng)用效果和性能。晶體管的輸出特性受到多種因素的影響，包括輸入信號(hào)、電源電壓、溫度以及晶體管自身的結(jié)構(gòu)參數(shù)等。
2024-09-24 17:59:572691 高速電壓型多值晶體管的結(jié)構(gòu)
2024-11-21 12:23:51865 
晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組件，它們在數(shù)字電路中扮演著至關(guān)重要的角色。了解如何診斷和維修晶體管故障對于電子工程師和技術(shù)人員來說是一項(xiàng)基本技能。 一、晶體管在數(shù)字電路中的作用 開關(guān)功能 ：晶體管
2024-12-03 09:46:172309 光速電場型多值晶體管的結(jié)構(gòu)
2024-12-27 08:08:55798 
onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個(gè)器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。這些數(shù)字晶體管包含一個(gè)晶體管和一個(gè)單片偏置網(wǎng)絡(luò)，單片偏置網(wǎng)絡(luò)由兩個(gè)電阻器組成，一個(gè)是串聯(lián)基極電阻器，另一個(gè)是基極-發(fā)射極
2025-11-24 16:27:15580 
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