7月23日，2019英飛凌電源管理研討會在深圳盛大開幕，英飛凌電源管理與多元化市場事業(yè)部大中華區(qū)高級市場經(jīng)理陳清源就全球半導市場和功率半導體的市場應(yīng)用熱點給出了精彩的分析。
2019-07-25 17:04:37
8858 Hanebeck表示，“GaN技術(shù)為更節(jié)能、更節(jié)約二氧化碳的脫碳解決方案鋪平了道路。在移動充電、數(shù)據(jù)中心電源、住宅太陽能逆變器和電動汽車車載充電器等應(yīng)用領(lǐng)域的采用正處于轉(zhuǎn)折點，這將導致市場的動態(tài)增長。” 為什么是GaN Systems？ 官網(wǎng)信息顯示，作為一家GaN功率半導體廠商
2023-03-06 07:57:001582 Si之后的新一代功率半導體材料的開發(fā)在日本愈發(fā)活躍。進入2013年以后，日本各大企業(yè)相繼發(fā)布了采用SiC和GaN的功率元件新產(chǎn)品，還有不少企業(yè)宣布涉足功率元件業(yè)務(wù)。
2013-04-19 09:08:311795 GaN-on-Si技術(shù)可用來降低LED及功率元件的成本，將有助固態(tài)照明、電源供應(yīng)器，甚至是太陽能板及電動車的發(fā)展.
2013-09-12 09:33:291401 最近，采用可大幅削減電力損耗的新一代功率元件的試制示例接連出現(xiàn)。此次邀請了安川電機，針對采用SiC功率元件的AC-AC轉(zhuǎn)換器以及采用GaN功率元件的功率調(diào)節(jié)器，介紹有關(guān)技術(shù)和取得的效果。
2013-09-22 10:35:411447 
根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導體業(yè)者受惠;另一方面，他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(International Rectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。
2015-09-14 09:08:201144 。 納微半導體于2014年成立，并憑借其面向消費級市場的高集成度的GaN功率芯片產(chǎn)品在市場上快速建立起知名度。由于基于GaN功率器件的前景可期，此前已吸引許多公司進入這個市場，EPC、GaN系統(tǒng)、英飛凌、松下和Transphorm，（包括中國的英諾賽科）已經(jīng)實現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)，Dialog、恩智浦、安
2019-03-01 17:43:535933 10 月 25 日，英飛凌科技股份公司今日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案
2023-10-25 11:38:30189 
包括國內(nèi)企業(yè)在內(nèi)的OLED產(chǎn)能的確在提高，但具體到折疊屏手機的熱潮或許還為時尚早。
2019-02-18 07:48:001364 Transphorm驗證并實現(xiàn)了采用電橋配置的分立封裝GaN器件的功率可達10千瓦，這進一步印證了GaN用于電動汽車轉(zhuǎn)換器和變頻器的令人興奮的前景。
2020-12-07 15:56:28789 全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導體制造商提供新的增長前景。2020年，GaN和SiC功率半導體市場規(guī)模為7億美元，預(yù)計2021年至2027年的復(fù)合年增長率
2021-05-21 14:57:182257 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）今年10月，英飛凌以8.3億美元完成對功率GaN公司GaN Systems的收購，成為了功率GaN領(lǐng)域史上最大規(guī)模的一筆收購，這筆收購的價值甚至比2022年整個功率
2023-11-10 00:24:001758 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）充電樁市場隨著高壓直流快充的推廣，在一些400kW以上的充電樁中已經(jīng)采用了SiC功率器件。同為第三代半導體的GaN，由于在高頻應(yīng)用上的優(yōu)勢，一些廠商也在推動GaN進入到
2024-02-21 09:19:283852 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）繼去年英飛凌收購GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001552 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）功率GaN的大規(guī)模應(yīng)用，其實也只有六七年的歷史，從2018手機快速充電器上才正式吹響了普及的號角。目前，從晶體管來看，功率GaN主要的產(chǎn)品是HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-28 00:13:001844 如果基于GaN的HEMT可靠性的標準化測試方法迫在眉睫，那么制造商在幫助同時提供高質(zhì)量GaN器件方面正在做什么？ GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其極高的耐高溫性和高功率密度而在半導體行業(yè)中
2020-09-23 10:46:20
）的輸入電壓較高的電流密度，使得GaN組件在不降低功率的情況下設(shè)計得更緊湊快速開關(guān)能力，支持高頻（200KHz及以上）電機運行高頻操作，限制輸出電流波動，減小濾波器元件尺寸降低開關(guān)功耗，限制功率損失，提供
2019-07-16 00:27:49
GaN功率半導體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率集成電路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成電路技術(shù):過去，現(xiàn)在和未來
2023-06-21 07:19:58
GaN功率集成電路可靠性的系統(tǒng)方法
2023-06-19 06:52:09
GaN功率集成電路的進展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率半導體集成驅(qū)動性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半導體器件集成提供應(yīng)用性能
2023-06-21 13:20:16
（MOSFET）是在20世紀70年代末開發(fā)的，但直到20世紀90年代初，JEDEC才制定了標準。目前尚不清楚JEDEC硅材料合格認證對GaN晶體管而言意味著什么。 標準滯后于技術(shù)的采用，但標準無需使技術(shù)可靠
2018-09-10 14:48:19
柵極電荷，它可以使用高開關(guān)頻率，從而允許使用較小的電感器和電容器。 相較于SiC的發(fā)展，GaN功率元件是個后進者，它是一種擁有類似于SiC性能優(yōu)勢的寬能隙材料，但擁有更大的成本控制潛力，尤其是高功率的硅
2022-08-12 09:42:07
D功放的音質(zhì)也將得到有效的提升。
針對目前主流的GaN Class D應(yīng)用，三安集成推出了200V 20mΩ的低壓GaN功率器件，同時采用自主設(shè)計的半橋電路測試平臺對200V 20mΩ GaN
2023-06-25 15:59:21
GaN在單片功率集成電路中的工業(yè)應(yīng)用日趨成熟
2023-06-25 10:19:10
GaN技術(shù)的出現(xiàn)讓業(yè)界放棄TWT放大器，轉(zhuǎn)而使用GaN放大器作為許多系統(tǒng)的輸出級。這些系統(tǒng)中的驅(qū)動放大器仍然主要使用GaAs，這是因為這種技術(shù)已經(jīng)大量部署并且始終在改進。下一步，我們將尋求如何使用電路設(shè)計，從這些寬帶功率放大器中提取較大功率、帶寬和效率。
2019-09-04 08:07:56
導讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達系統(tǒng)。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
就是增加電壓，這讓氮化鎵晶體管技術(shù)極具吸引力。如果我們對比不同半導體工藝技術(shù)，就會發(fā)現(xiàn)功率通常會如何隨著高工作電壓IC技術(shù)而提高。硅鍺(SiGe)技術(shù)采用相對較低的工作電壓（2 V至3 V），但其集成
2018-10-17 10:35:37
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
UMS正在開發(fā)用于空間應(yīng)用的系列產(chǎn)品。新型CHA6710-FAB是采用密封金屬陶瓷封裝的GaN 5W X波段（8至12.75GHz）中功率放大器?！ HA6710-FAB的PAE（功率附加
2020-07-07 08:50:16
功率密度射頻應(yīng)用合并選擇的原因所在。如今，GaN-on-SiC 基板的直徑可達6 英寸。GaN-on-Si 合并的熱學性能則低得多，并且具有較高的射頻損耗，但成本也低很多。這就是GaN
2019-08-01 07:24:28
圖所示。安裝MCU的LED電路圖 *很顯然，使用MCU的電路要復(fù)雜得多，而且設(shè)計電路還要花費精力與財力。好象使用MCU并沒有什么優(yōu)點。但是，現(xiàn)在下結(jié)論還為時尚早。如果我們讓這個電路做一些比較復(fù)雜的操作，會怎么樣呢。例如：如果希望LED在按下開關(guān)后，經(jīng)過一段時間再點亮或熄滅，那么，對于安裝有
2021-11-01 06:43:30
的電路如下圖所示。 * 安裝MCU的LED電路圖 * 很顯然，使用MCU的電路要復(fù)雜得多，而且設(shè)計電路還要花費精力與財力。好象使用MCU并沒有什么優(yōu)點。但是，現(xiàn)在下結(jié)論還為時尚早。 如果我們讓這個電路做
2021-01-28 17:04:36
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進的關(guān)鍵驅(qū)動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
GaN單級解決方案——采用TPS53632G 無驅(qū)動器脈寬調(diào)制(PWM)控制器和LMG5200 80V GaN半橋功率級（驅(qū)動器和GaN FET在同一集成電路上）——功率密度高，負載瞬態(tài)響應(yīng)速度
2019-07-29 04:45:02
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計可以提高開關(guān)頻率，減小體積無源器件，進一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關(guān)特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計、驅(qū)動設(shè)計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
請大佬詳細介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度。” 了解如何利用德州儀器的GaN產(chǎn)品系列實現(xiàn)
2019-03-01 09:52:45
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強固，因此需謹慎應(yīng)用，集成正確的門極驅(qū)動對于實現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。本文著眼于這些問題，給出一個驅(qū)動器方案，解決設(shè)計過程的風險。
2020-10-28 06:59:27
作為一項相對較新的技術(shù)，氮化鎵(GaN) 采用的一些技術(shù)和思路與其他半導體技術(shù)不同。對于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設(shè)計新人來說，在知曉了非線性GaN模型的基本概念（非線性模型如何幫助進行
2019-07-31 06:44:26
現(xiàn)在我只有一點C語言的基礎(chǔ)，一點51單片機的基礎(chǔ)。學習ARM會不會為時尚早？還要哪些準備嗎？
2012-09-13 09:09:31
消散。已經(jīng)采用了幾個器件設(shè)計技巧（電場板）來減少大多數(shù)靈敏GaN FET區(qū)域中的電場強度。電場板已經(jīng)表現(xiàn)出能夠最大限度地減小RF GaN FET和開關(guān)功率GaN FET中的這種影響。GaN是一種壓電
2019-07-12 12:56:17
（ESC）及無線遙控（RC）結(jié)合使用。第三部分就是完整的電機控制，演示板提供了矢量定位算法（FOC），使電機運行更加平穩(wěn)順暢。關(guān)于英飛凌無人機方案的更多特點，詳見下圖： 全新功率開關(guān)技術(shù) 硅基GaN技術(shù)
2018-10-09 10:08:42
以及免執(zhí)照5GHz頻譜的使用等。 這些短期和中期擴容技術(shù)以及最終的5G網(wǎng)絡(luò)將要求采用能提供更高功率輸出和功效且支持寬帶運行和高頻頻段的基站功率放大器 (PA)。 GaN on SiC的前景 歷史上
2018-12-05 15:18:26
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際
2015-09-15 17:11:46
今天的博文是一個動手操作項目：你將用一個氮化鎵 (GaN) 功率級、一個Hercules? 微控制器和一個滾輪來調(diào)節(jié)一盞燈的亮度。我將會談到其中的硬件和固件。先給你的焊接設(shè)備充上電，我們馬上開始。你
2022-11-17 06:56:35
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
伴隨著更高的開關(guān)頻率，從而導致更高的功率密度。但熱管理和寄生效應(yīng)無法縮放!在更小的體積中集中更多的功率為散熱和封裝帶來新的挑戰(zhàn)。較小的模面面積限制了傳統(tǒng)封裝技術(shù)的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景
2018-11-20 10:56:25
半導體（LDMOS）晶體管和氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET））的功率電平的日益增加，當安裝在精心設(shè)計的放大器電路中時，它們也將受到連接器等元件甚至印刷電路板（PCB）材料的功率處理能力的限制。了解組成大功率元件或系統(tǒng)的不同部件的限制有助于回答這個長久以來的問題。
2019-06-21 08:03:27
穩(wěn)定的化合物，具有強的原子鍵、高的熱導率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物中電離度是最高的、化學穩(wěn)定性好，使得GaN 器件比Si 和GaAs 有更強抗輻照能力，同時GaN又是高熔點材料，熱傳導率高，GaN功率器件通常
2019-04-13 22:28:48
的使用前景?！ ?b class="flag-6" style="color: red">GaN大功率的輸出都是采用增加管芯總柵寬的方法來提高器件的功率輸出，這樣使得管芯輸入、輸出阻抗變得很低，引入線及管殼寄生參數(shù)對性能的影響很大，一致直接采用管殼外的匹配方法無法得到大的功率輸出
2017-06-16 10:37:22
個好的解決方案。 LXI聯(lián)盟正在積極致力于“資源管理”，但我認為現(xiàn)在判斷它將如何發(fā)展還為時尚早.Brian PowellLabVIEW R＆amp; D>有誰知道，如果我運行兩個獨立的Vee程序
2019-10-16 16:44:15
、溫度和開關(guān)頻率，而且功率損耗要比硅晶體管低得多，集成GaN HEMT和驅(qū)動逆變器的高功率密度電動機的商業(yè)應(yīng)用也正在推動更多新技術(shù)的發(fā)展。GaN HEMT逆變器采用了新一代陶瓷電容器，它能夠承受高壓
2019-07-16 20:43:13
飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協(xié)議
全球領(lǐng)先的高性能功率和移動產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x
2010-04-26 08:50:51571 美國Transphorm公司發(fā)布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國加州大學圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人員為核心創(chuàng)建的風險企業(yè)，因美國谷歌向其出資而備受功率半導體
2012-05-18 11:43:441931 電子發(fā)燒友網(wǎng)【編譯/Triquinne】:3D打印技術(shù)現(xiàn)在是眾所熟知的事物。不過，3D打印技術(shù)在醫(yī)療APP現(xiàn)狀如何？是否已經(jīng)搶奪市場先機?專家分析：為時尚早!
2012-12-07 16:25:211743 2015年3月20日，德國慕尼黑和日本大阪訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）和松下電器公司（TSE代碼：6752）宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式（增強型）硅基板氮化鎵（GaN）晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼（SMD）封裝的GaN器件。
2015-03-20 14:08:391729 松下在GaN基板產(chǎn)品和Si基板產(chǎn)品方面試制了2.1mm×2.0mm測試芯片做了比較。Si基板產(chǎn)品的導通電阻為150mΩ，GaN基板產(chǎn)品的導通電阻為100mΩ。Qoss方面，Si基板產(chǎn)品為18.3nC
2016-12-12 10:15:212348 
GaN材料研究與應(yīng)用和運用前景
2017-09-14 17:18:42
12 借助AI大數(shù)據(jù)的應(yīng)用彩電業(yè)將逐漸步入后智能化時代，AI能否接過智能化大棒，我們還尚無依據(jù)，一是市場大幅下滑，二是彩電的更換周期較長。所以說AI支撐彩電業(yè)下一輪爆發(fā)還為時尚早。
2018-01-19 16:56:58762 2016年氮化鎵(GaN)功率元件產(chǎn)業(yè)規(guī)模約為1,200萬美元，研究機構(gòu)Yole Développemen研究顯示預(yù)計到2022年該市場將成長到4.6億美元，年復(fù)合成長率高達79%。
2018-05-22 17:02:218234 
對于絕大部分趨之若鶩的新選手而言，要取得一定的成績還有很長的路要走，現(xiàn)在要判定哪些公司在做事，哪些公司在造假還為時尚早。
2018-09-12 15:06:215452 EiceDRIVER。籍此我們梳理了一下GaN功率器件在全球市場、產(chǎn)品應(yīng)用和技術(shù)特性方面的信息，以及英飛凌相關(guān)業(yè)務(wù)和此次量產(chǎn)產(chǎn)品的細節(jié)。
2018-12-06 18:06:214652 本次會議將介紹恩智浦用差異化的GaN技術(shù)，推出的面向蜂窩通訊頻段高功率產(chǎn)品應(yīng)用（包括全蜂窩通訊頻段射頻功率產(chǎn)品組合）。
2019-01-09 07:26:003102 
本次會議將介紹恩智浦用差異化的GaN技術(shù)，推出的面向蜂窩通訊頻段高功率產(chǎn)品應(yīng)用（包括全蜂窩通訊頻段射頻功率產(chǎn)品組合）。
2019-01-09 06:46:003031 
GaN材料原先被用為如藍色LED等LED類產(chǎn)品的主要原料，但是由于GaN具有高硬度與高能隙的特性，并且GaN功率元件可以在硅基質(zhì)上成長，在面積與整體成本考量上，也具有比碳化硅元件更劃算的可能性。
2019-01-08 15:30:307150 
說取代醫(yī)生為時尚早，但AI已為顛覆醫(yī)療業(yè)埋下伏筆，今年4月舉辦的2019國際醫(yī)學人工智能論壇上，海軍軍醫(yī)大學長征醫(yī)院影像醫(yī)學與核醫(yī)學科主任劉士遠說：“我們影像上面最大的隱患就是漏診，一旦漏掉，過幾個月發(fā)現(xiàn)轉(zhuǎn)移了、晚期了，這時候病人看原來沒有發(fā)現(xiàn)，這就是一個巨大的醫(yī)療隱患，甚至有走上法庭的可能”。
2019-07-02 15:31:34280 比特幣硬盤 BHD 集 PoS 與 PoW 的優(yōu)點于一身，能否帶來真正的“去中心”，現(xiàn)在下結(jié)論還為時尚早，仍需時間檢驗。
2019-07-15 09:28:321428 像Google Clip這樣的AI攝像頭得到了褒貶不一的評價，但是對于這項技術(shù)下結(jié)論還為時尚早。
2019-08-08 11:13:463597 在軍事應(yīng)用中，隨著政府的投資并透過取代TWT的系統(tǒng)來改善國家安全，國防將仍然是GaN RF功率元件市場的主要推手之一。
2020-09-25 16:29:221918 載人自動駕駛飛行器的確有很大的想象空間，但是載人飛行商業(yè)化依舊為時尚早。
2020-12-09 15:03:581522 英飛凌功率器件在電機驅(qū)動中的應(yīng)用說明。
2021-05-19 16:00:5338 雷達系統(tǒng)中線性和壓縮功率放大器的有源元件。Gan功率晶體管可用作航空電子、商業(yè)服務(wù)、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)療設(shè)備和國防軍事用途的電路和系統(tǒng)中的各種應(yīng)用。它們都通過寬帶gap?GaN半導體材料的作用，在小封裝中產(chǎn)生高功率密度和高輸出功率電平的RF
2022-04-14 09:12:14395 的限制，并且高溫性能和低電流特性較差。高壓 Si FET 在頻率和高溫性能方面也受到限制。因此，設(shè)計人員越來越多地尋求采用高效銅夾封裝的寬帶隙 (WBG) 半導體。 功率氮化鎵技術(shù) GaN 技術(shù)，特別是 GaN-on-Silicon (GaN-on-Si) 高電子遷移率晶體
2022-08-04 09:52:161078 
GaN功率HEMT設(shè)計+GaN寬帶功率放大器設(shè)計
2023-01-30 14:17:44556 您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用Hercules微控制器驅(qū)動它。圖 1 顯示了用于驅(qū)動 LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:41963 
為時尚早
2023-05-24 14:30:36301 
功率元件具有較大的承載能力和較低的內(nèi)阻，以應(yīng)對較高的功率需求，并保證能量傳輸?shù)男?。例如?b class="flag-6" style="color: red">功率晶體管（如MOSFET、BJT）和功率放大器模塊屬于典型的功率元件。
2023-06-30 16:28:141019 交割日，GaN Systems現(xiàn)已成為英飛凌的一部分。 英飛凌首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示：“氮化鎵技術(shù)為支持脫碳的更節(jié)能、更節(jié)能的二氧化碳解決方案鋪平了道路。收購GaN Systems顯著加快了我們的GaN路線圖，并通過掌握所有相關(guān)功率半導體技術(shù)，進一步加強了英飛凌在電源系統(tǒng)
2023-10-25 14:51:13479 渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結(jié)束后，GaN Systems 已正式成為英飛凌的組成部分。 目前，英飛凌共有 450 名氮化鎵技術(shù)專家和超過 350 個氮化鎵技術(shù)專利族。英飛凌表示，公司和 G
2023-10-26 08:43:52206 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 
近日，英飛凌聯(lián)手日本歐姆龍推出了一款集成GaN技術(shù)的V2X 充電樁。
2024-01-19 10:23:04562 
近期，英飛凌科技公司宣布與安克創(chuàng)新和盛弘電氣兩大知名廠商達成合作，共同推動SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）技術(shù)在各領(lǐng)域的應(yīng)用。這些合作將進一步提升功率半導體器件的效率和性能，為行業(yè)帶來更多的創(chuàng)新和價值。
2024-02-02 15:06:34304 英飛凌現(xiàn)已通過下屬子公司英飛凌科技奧地利公司，正式狀告位于珠海的英諾賽科、以及其在美分支機構(gòu)涉嫌侵犯有關(guān)GaN技術(shù)的美國專利，尋求永久禁令。
2024-03-15 09:56:04367
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