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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)有望在2027年達(dá)45億美元

GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)有望在2027年達(dá)45億美元

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相比)SiC成長(zhǎng)10倍,GaN翻至60倍,Si增長(zhǎng)45.1%。 該機(jī)構(gòu)指出,SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)主要在中國(guó)和歐洲擴(kuò)張,從2017~2018SiC增長(zhǎng)41.8%至3.7美元。目前,SiC-SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)占70%,并且主要在信息和通信設(shè)備領(lǐng)域需求增加。6英寸晶圓的推出使得成本降低,預(yù)計(jì)將進(jìn)一
2019-06-25 11:22:428864

未來(lái)十將是GaNSiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng),將以18%速度增長(zhǎng)

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2013-04-26 10:10:041901

功率半導(dǎo)體觀察:SiCGaN飛速發(fā)展的時(shí)代

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2013-07-09 09:46:494103

SiC/GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)值,2020破10美元

進(jìn)入市場(chǎng),預(yù)估全球SiCGaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)值,將由2015的21,000萬(wàn)美元,快速成長(zhǎng)至 2020的10多美元,并于2025達(dá)到37美元規(guī)模。
2016-03-24 08:26:111846

受惠電動(dòng)汽車增長(zhǎng) 2020GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)6美元 

市場(chǎng)調(diào)查公司Yole Developpement(以下簡(jiǎn)稱Yole)認(rèn)為,市場(chǎng)規(guī)模方面,2020GaN器件市場(chǎng)整體規(guī)模有可能達(dá)到約6美元。從(2020將支配市場(chǎng)的)電源和PFC(功率因數(shù)校正)領(lǐng)域,到UPS(不間斷電源)和馬達(dá)驅(qū)動(dòng),很多應(yīng)用領(lǐng)域都將從GaN-on-Si功率器件的特性中受益。
2016-12-19 10:34:181552

2024SiC市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)19.3美元,英飛凌擴(kuò)展SiC MOSFET產(chǎn)品線

根據(jù)2019Yole發(fā)布的SiC市場(chǎng)報(bào)告,2018SiC市場(chǎng)規(guī)模約為4.2美元,該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)SiC市場(chǎng)復(fù)合增長(zhǎng)率為29%,也就是說(shuō)到2024,SiC市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)19.3美元。
2020-04-03 18:26:1316624

基于SiCGaN功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)

SiC)和氮化鎵(GaN)占有約90%至98%的市場(chǎng)份額。供應(yīng)商。WBG半導(dǎo)體雖然還不是成熟的技術(shù),但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢(shì)(包括更高的效率,更高的功率密度,更小的尺寸和更少的冷卻),正在跨行業(yè)進(jìn)軍。 使用基于SiCGaN功率半導(dǎo)體來(lái)獲
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重磅發(fā)布!TI發(fā)布首款汽車級(jí)GaN FET:功率密度翻倍,效率達(dá)99%!

GaN功率半導(dǎo)體的新興市場(chǎng)預(yù)計(jì) 2021 突破 10 美元。 氮化鎵是一種寬能隙半導(dǎo)體材料,相較于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體,氮化鎵能夠提供顯著的優(yōu)勢(shì)來(lái)支援功率應(yīng)用,這些優(yōu)勢(shì)包括更高功率獲取更大的節(jié)能效益,以致寄生功耗大幅度降低;氮化鎵技術(shù)也容許更多精簡(jiǎn)元件的
2020-11-18 09:40:577949

功率半導(dǎo)體的革命:SiCGaN的共舞

功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前,功率半導(dǎo)體材料正迎來(lái)材料更新?lián)Q代,這些新材料就是SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵),二者的物理特性均優(yōu)于現(xiàn)在使用的Si(硅),作為“節(jié)能王牌”受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。
2013-03-07 14:43:025394

RF功率半導(dǎo)體2018突破15美元,GaN推動(dòng)市場(chǎng)上揚(yáng)

功率半導(dǎo)體的新型首選材料的氮化鎵(GaN)正在繼續(xù)搶占市場(chǎng)份額。 GaN2018獲得了市場(chǎng)份額,并預(yù)計(jì)未來(lái)幾年將成為一支重要力量,ABI Research總監(jiān)Lance Wilson指出:它彌合
2019-05-20 09:13:481436

GaN功率器件的兩種技術(shù)路線對(duì)比

這幾年第三代半導(dǎo)體異?;馃?,國(guó)內(nèi)外很多半導(dǎo)體企業(yè)都涌入其中。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù),2020,GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模為4600萬(wàn)美元,相比2019增長(zhǎng)了2倍,并有望2026突破10美元大關(guān),達(dá)到11美元復(fù)合增長(zhǎng)率將接近70%。主要的應(yīng)用市場(chǎng)包括電信和數(shù)據(jù)通信、汽車,以及便攜設(shè)備市場(chǎng)等。
2022-01-26 11:14:317198

四大潛力應(yīng)用助力GaN市場(chǎng)騰飛,易用和可靠性是關(guān)鍵

近幾年碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體異?;馃幔瑖?guó)內(nèi)外很多半導(dǎo)體企業(yè)都涌入其中。據(jù)Yole Développement統(tǒng)計(jì),2021全球GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模為1.26美元,預(yù)計(jì)
2023-06-08 09:40:304312

2015中國(guó)MCU市場(chǎng)達(dá)47美元

是工業(yè)領(lǐng)域。2010,該領(lǐng)域中的MCU營(yíng)業(yè)收入為7.83美元。工業(yè)設(shè)備對(duì)于MCU的需求巨大,尤其是信息管理、數(shù)據(jù)處理和通訊領(lǐng)域。消費(fèi)電子成為中國(guó)的第二大MCU市場(chǎng),MCU已進(jìn)入家電、電視、游戲機(jī)
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2016全球半導(dǎo)體營(yíng)收排行

今年前20大半導(dǎo)體供貨商營(yíng)收排名計(jì)算。采芯網(wǎng)表示,聯(lián)發(fā)科受惠于中國(guó)大陸手機(jī)客戶OPPO、Vivo快速成長(zhǎng),可望推升今年?duì)I收達(dá)86.1美元,增29%,不僅為成長(zhǎng)幅度第二大的廠商,更超越英飛凌與ST
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3規(guī)模翻7倍統(tǒng)治 5G、IoT時(shí)代,化合物半導(dǎo)體材料深度報(bào)告 精選資料推薦

來(lái)源 華西證券編輯:智東西內(nèi)參作者:吳吉森等隨著 5G、IoT 物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的來(lái)臨,以砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)有望快速崛起。其中,Ga...
2021-08-31 06:32:26

5G會(huì)給半導(dǎo)體帶來(lái)什么投資機(jī)會(huì)

Yole數(shù)據(jù)顯示2017GaN射頻器件市場(chǎng)規(guī)模約3.8美元。其中電信、軍事領(lǐng)域的市場(chǎng)占比分別為40%、38%。預(yù)計(jì)2023將達(dá)到13美元,其中電信、軍事領(lǐng)域的市場(chǎng)占比分別為43%、34
2019-06-11 04:20:38

5G和電動(dòng)車的興起讓化合物半導(dǎo)體成為新貴

仍在于Wafer Cost,根據(jù)yole development測(cè)算,單片成本SiC比Si基產(chǎn)品高出7-8倍。研究機(jī)構(gòu)IHS預(yù)測(cè)到2025SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到30美元。未來(lái)的10
2019-05-06 10:04:10

GaN功率半導(dǎo)體快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用

GaN功率半導(dǎo)體快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42

GaNSiC區(qū)別

半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙,能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實(shí)現(xiàn)更高功率,更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半導(dǎo)體GaNSiC
2022-08-12 09:42:07

GaN基微波半導(dǎo)體器件材料的特性

寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅(Si)和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00

SiC GaN有什么功能?

基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開(kāi)始各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化(如充電器
2019-07-31 06:16:52

SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器已在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地

]功率轉(zhuǎn)換器市場(chǎng)的年均復(fù)合增長(zhǎng)率超過(guò)6.5%,到2021,市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)800美元。目前,基于硅IGBT的傳統(tǒng)逆變器和轉(zhuǎn)換器占據(jù)市場(chǎng)主體(占比超過(guò)70%),這主要?dú)w功于工廠生產(chǎn)線中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)
2019-07-16 23:57:01

SiC/GaN具有什么優(yōu)勢(shì)?

基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)替代加速,華秋與MDD達(dá)成合作,精選型號(hào)限時(shí)9折!

占比將達(dá) 39%,對(duì)應(yīng)復(fù)合增速 16.6%。我國(guó)作為重要的功率半導(dǎo)體市場(chǎng),將從 106.9 美元增至 124.3 美元。圖:全球/中國(guó)功率器件市場(chǎng)美元)來(lái)源:Omdia,國(guó)信證券經(jīng)濟(jì)研究
2022-11-11 11:15:56

半導(dǎo)體庫(kù)存水位上漲 半導(dǎo)體市場(chǎng)回暖趨勢(shì)明顯

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHSiSuppli的最新報(bào)告指出,全球半導(dǎo)體供應(yīng)商由于預(yù)期客戶有較高的需求,2012第一季再度提高庫(kù)存水位;據(jù)統(tǒng)計(jì),第一季全球半導(dǎo)體供應(yīng)商庫(kù)存量占據(jù)廠商當(dāng)季營(yíng)收的五成,該比例
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《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》氮化鎵發(fā)展技術(shù)

/ xzl1019 未來(lái) 5 GaN 預(yù)測(cè)的最大市場(chǎng)是移動(dòng)快速充電,預(yù)計(jì)到 2025 年市場(chǎng)將達(dá)到 7 美元 xi.ii 硅設(shè)計(jì)繼續(xù)被選擇用于低功率、大外殼、低性能充電器從 5 W – 20 W,大多數(shù)新的更高功率、旗艦智能手機(jī)充電器設(shè)計(jì)(從 45 W 到 100 W)都是 GaN。如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-06 09:38:20

【華秋×薩科微】2023年半導(dǎo)體行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)

半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概覽WSTS 預(yù)測(cè),2023全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將同比減少4.1%,降至 5,566美元,但這一波下行周期有望2023下半年出現(xiàn)拐點(diǎn),受益于國(guó)際行情,中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)占全球半導(dǎo)體
2023-03-17 11:08:33

中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)份額進(jìn)一步提升,2023將迎全新發(fā)展良機(jī)

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2023-03-17 11:13:35

什么是基于SiCGaN功率半導(dǎo)體器件?

元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率,但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗[2]。因此,開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?! 』?SiCGaN功率半導(dǎo)體器件  碳化硅
2023-02-21 16:01:16

今年半導(dǎo)體市場(chǎng)不看手機(jī)臉色

%,Gartner表示,2018全球半導(dǎo)體營(yíng)收預(yù)估將達(dá)到4,510美元,相較2017的4,190美元增加7.5%。雖然手機(jī)市場(chǎng)趨緩,但今年半導(dǎo)體市場(chǎng)依舊大好,臺(tái)積電就預(yù)測(cè)今年仍將有最高達(dá)15
2018-01-29 15:41:31

全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)格局:MOSFET與IGBT模塊

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2022-11-11 11:50:23

全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)格局:前十名供應(yīng)商全是海外企業(yè)?

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2022-11-11 11:46:29

全球半導(dǎo)體產(chǎn)值再創(chuàng)新高,AOI設(shè)備需求熱度有望保持

確保不會(huì)衰退,預(yù)期增長(zhǎng)1%,半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)值將突破3400美元關(guān)口,中國(guó)大陸地區(qū)將繼續(xù)引領(lǐng)整個(gè)行業(yè)的增長(zhǎng)?! ?016年半導(dǎo)體行業(yè)AOI設(shè)備需求熱度有望保持  2015年半導(dǎo)體設(shè)備需求全球半導(dǎo)體市場(chǎng)
2016-02-16 11:33:37

半年狂賺近2千億,全球半導(dǎo)體會(huì)呈現(xiàn)“T”型嗎?

。對(duì)于全年的產(chǎn)業(yè)銷售收入,預(yù)測(cè)最低可達(dá)4510美元,最高有望首次跨越5000美元大關(guān),同比增幅7.6%-14%左右。全球半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)向好,得益于市場(chǎng)需求端增長(zhǎng)較為確定,以及供給端擴(kuò)產(chǎn)較為理性
2018-08-21 18:31:47

半橋GaN功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)

升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21

安森美半導(dǎo)體怎么推動(dòng)電動(dòng)汽車充電樁市場(chǎng)發(fā)展?

中國(guó)的“一車一樁”計(jì)劃,電動(dòng)汽車充電樁總數(shù)2020達(dá)480萬(wàn)個(gè),與現(xiàn)有的接近50萬(wàn)個(gè)相比,未來(lái)2多內(nèi)將安裝430萬(wàn)個(gè),其中將至少有200萬(wàn)個(gè)是大功率直流充電樁。安森美半導(dǎo)體是嶄露頭角的電動(dòng)汽車
2019-08-06 06:39:15

德州儀器第二季度營(yíng)收37美元 同比增長(zhǎng)13%

德州儀器是一家全球性的半導(dǎo)體公司,也是世界一流的實(shí)時(shí)數(shù)字處理解決方案的設(shè)計(jì)商和提供商。自1996轉(zhuǎn)型成專注于為信號(hào)處理市場(chǎng)生產(chǎn)半導(dǎo)體,全球約有30300名雇員,并在亞洲、歐洲和美洲的超過(guò)25個(gè)
2017-07-28 14:27:01

報(bào)名 | 寬禁帶半導(dǎo)體(SiCGaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)

`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55

掙一個(gè),對(duì)半導(dǎo)體企業(yè)來(lái)說(shuō)真不是小目標(biāo)

1700的地產(chǎn)富豪,這個(gè)當(dāng)然就是一個(gè)小目標(biāo)。根據(jù)財(cái)報(bào),萬(wàn)達(dá)2015實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入1242.03元(186美元),歸屬于母公司股東凈利潤(rùn)299.71元(約45美金)。而公開(kāi)的數(shù)據(jù)顯示,王健林和王思
2016-09-01 11:36:32

未來(lái)5,GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)會(huì)發(fā)生哪些變化?

整流器公司(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競(jìng)爭(zhēng)或并購(gòu)壓力。Yole估計(jì),2015GaN功率半導(dǎo)體應(yīng)用的全球市場(chǎng)規(guī)模約為1千萬(wàn)美元。但從2016-2020之間,這一市場(chǎng)
2015-09-15 17:11:46

氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析

氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26

淺析化合物半導(dǎo)體技術(shù)

一、化合物半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊,市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大  化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料,目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等,作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表,因其功率
2019-06-13 04:20:24

碳化硅與氮化鎵的發(fā)展

5G將于2020將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì),將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),2018全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

超過(guò)40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體功率電力電子器件是目前電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),2019中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562
2021-01-12 11:48:45

碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),2019中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562元,同比增長(zhǎng)15.77%。2020H1,中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為3539元,同比增長(zhǎng)16.1%。每一次材料的更新?lián)Q代,都是產(chǎn)業(yè)的一次革命。碳化硅陶瓷基板高鐵、太陽(yáng)能光伏、風(fēng)能、電力輸送、UPS不間斷電源等電力電子領(lǐng)域均有不小單的作用。
2021-03-25 14:09:37

第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵/GaN 未來(lái)發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用

器件的市場(chǎng)營(yíng)收預(yù)計(jì)將達(dá)到13美元,約占3W以上的RF 功率市場(chǎng)45%。2015-2025射頻功率市場(chǎng)不同技術(shù)路線的份額占比資料來(lái)源:YOLE境外GaN射頻器件產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)公司及產(chǎn)品進(jìn)展:目前微波射頻
2019-04-13 22:28:48

第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaNSiC如何撬動(dòng)新型功率器件

、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料?! ?b class="flag-6" style="color: red">在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件C波段以上受頻率的限制,也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22

適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiCGaN半導(dǎo)體技術(shù)

  本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiCGaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過(guò)兩個(gè)例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計(jì)的MMIC的性能:Ka頻段(29.5至36GHz)10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34

重磅突發(fā)!又一家芯片公司被收購(gòu),價(jià)格57

,共同開(kāi)發(fā)氮化鎵功率器件。之后,兩家企業(yè)還與富達(dá)投資(Fidelity)一道,于2021底向GaN Systems投資1.5美元,推動(dòng)公司的產(chǎn)品研發(fā)和市場(chǎng)推廣。另外,公司還與車規(guī)半導(dǎo)體重要原廠瑞薩
2023-03-03 16:48:40

固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)規(guī)模2012年有望達(dá)100美元

固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)規(guī)模2012年有望達(dá)100美元 本報(bào)訊 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,對(duì)于長(zhǎng)期存儲(chǔ)信息而言,傳統(tǒng)硬盤(pán)目前
2008-08-18 10:08:04490

功率半導(dǎo)體材料GaNSiC使用新趨勢(shì)

功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前,功率半導(dǎo)體材料正迎來(lái)材料更新?lián)Q代,這些新材料就是SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵),二者的物理特性均優(yōu)
2012-07-02 11:18:331845

模擬半導(dǎo)體市場(chǎng)需求強(qiáng)勁:2013營(yíng)收將超越500美元

全球模擬半導(dǎo)體市場(chǎng) 2012營(yíng)收可達(dá)444.8美元,較2011的423.4美元漲幅為5.1%,表現(xiàn)略遜于整體半導(dǎo)體市場(chǎng);不過(guò)該機(jī)構(gòu)預(yù)期 2013模擬半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)收可進(jìn)一步超越500美元,增長(zhǎng)率達(dá)
2012-10-12 17:22:401764

2012全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)達(dá)382美元

SEMI預(yù)估2012全球半導(dǎo)體設(shè)備營(yíng)收將達(dá)382美元,預(yù)估未來(lái)半導(dǎo)體設(shè)備資本支出成長(zhǎng)將放緩,但可望2014恢復(fù)動(dòng)能,出現(xiàn)兩位數(shù)成長(zhǎng)。
2012-12-07 08:38:22975

中國(guó)汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)年末反彈 今年?duì)I收將達(dá)41美元

今年中國(guó)汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)達(dá)到41美元,高于2011的38美元。明年,中國(guó)總體汽車半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入將增長(zhǎng)12%,達(dá)到46美元。2011-2016,中國(guó)汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)的復(fù)合年度增
2012-12-10 14:12:09927

2015 全球半導(dǎo)體設(shè)備營(yíng)收達(dá) 370 美元,2016 預(yù)估上看 380 美元

根據(jù) SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))最新公布的年終預(yù)測(cè)報(bào)告,2015 全球半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)營(yíng)收達(dá) 373 美元,較去年微幅下滑 0.6%,為。2016 則可望出現(xiàn)正成長(zhǎng),預(yù)估全球市場(chǎng)營(yíng)收將上
2017-02-08 19:41:39624

第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaNSiC如何撬動(dòng)新型功率器件

,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn),與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:529

2018內(nèi)存行業(yè)將推動(dòng)半導(dǎo)體收入達(dá)4510美元 較比去年增長(zhǎng)7.5%

據(jù)報(bào)道,2018將繼續(xù)受內(nèi)存行業(yè)的影響全球半導(dǎo)體收入將有望達(dá)4510美元,比之2017增長(zhǎng)7.5%,內(nèi)存市場(chǎng)的不穩(wěn)定性導(dǎo)致了半導(dǎo)體廠商的命運(yùn)好壞參半。據(jù)悉全球半導(dǎo)體收入將在2018之前恢復(fù)到單位數(shù)增長(zhǎng)。
2018-01-30 16:03:16912

2017 VR升幅度27% ,收入達(dá)22美元 2018達(dá)45美元

2017,AR獲得的投資超過(guò)了VR。VR市場(chǎng)略顯低迷。Superdata預(yù)測(cè)2018VR收入將有望達(dá)到45美元,VR硬件價(jià)格大幅下調(diào),都是推動(dòng)VR收入的增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿Α?/div>
2018-02-02 11:11:271000

第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展

5G將于2020將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì),將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),2018全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8美元,而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬(wàn)美元。
2018-03-29 14:56:1236743

2027超越100美元!GaNSiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模暴增

功率半導(dǎo)體市場(chǎng)一直都處于溫溫不火的狀態(tài)的,但是隨著混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車、電力和光伏(PV)逆變器的需求,GaNSiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長(zhǎng)。
2018-05-23 15:00:0510612

RF功率半導(dǎo)體縮水兩年后增長(zhǎng)迅速,5后增長(zhǎng)率達(dá)75%

根據(jù)Yole Développement公司最新名為“2017RF功率市場(chǎng)和技術(shù):GaN、GaAs以及LDMOS”的報(bào)告預(yù)測(cè),隨著電信運(yùn)營(yíng)商投入的減少,射頻功率半導(dǎo)體市場(chǎng)2015和2016
2018-07-09 16:43:001280

2018年半導(dǎo)體市場(chǎng)有望超5000美元!

在即將到來(lái)的2018McClean報(bào)告年中更新中,ICinsights預(yù)測(cè)2018全球電子系統(tǒng)市場(chǎng)將增長(zhǎng)5%,至1.622萬(wàn)億美元,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)今年預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)14%,至5091美元,有望首次超過(guò)5000美元。
2018-07-25 16:10:062708

2027功率半導(dǎo)體市場(chǎng)超越100美元

新興市場(chǎng)碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN功率半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在2020達(dá)到近10美元,推動(dòng)力來(lái)自混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車、電力和光伏(PV)逆變器等方面的需求。
2018-11-02 15:12:234043

我國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)達(dá)85美元 日本敲定自動(dòng)駕駛汽車上路規(guī)則

2018,存儲(chǔ)器市場(chǎng)的引領(lǐng)下,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)繼續(xù)保持快速增長(zhǎng)勢(shì)頭,全年市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)4779.4美元,同比增長(zhǎng)15.9%。
2019-03-15 09:50:303000

安森美半導(dǎo)體功率SiC市場(chǎng)的現(xiàn)狀與未來(lái)

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)是功率電子領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者之一,SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-30 15:40:236393

預(yù)計(jì)2027全球智能虛擬助手市場(chǎng)份額將達(dá)451美元

據(jù)ResearchAndMarkets發(fā)布的一份報(bào)告(Global Intelligent Virtual Assistant Market (2020 to 2027))預(yù)測(cè),到2027,全球智能虛擬助手市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到451美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率為34.0%。
2020-05-13 14:57:53945

預(yù)計(jì)2027全球視頻監(jiān)控?cái)z像機(jī)市場(chǎng)達(dá)460美元

據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)ResearchAndMarkets數(shù)據(jù),2018全球視頻監(jiān)控?cái)z像機(jī)市場(chǎng)規(guī)模為218.2美元,預(yù)計(jì)2019-2027的預(yù)測(cè)期內(nèi)以8.7%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng),到2027將達(dá)到459.3美元。
2020-05-18 17:54:163529

半導(dǎo)體材料:Si、SiCGaN

作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限,而此時(shí)以SiCGaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以,出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo),SiCGaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0013305

中國(guó)半導(dǎo)體將快速發(fā)展,預(yù)計(jì)2030中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)供應(yīng)將達(dá)5385美元

據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)(WSTS)的統(tǒng)計(jì),2018,全球半導(dǎo)體營(yíng)收創(chuàng)下紀(jì)錄,達(dá)到4680美元,2019由于存儲(chǔ)器市場(chǎng)的周期性調(diào)整,下滑至4123美元。由于新冠病毒疫情對(duì)全球經(jīng)濟(jì)和供應(yīng)鏈的影響,WSTS預(yù)測(cè),2020全球半導(dǎo)體營(yíng)收微增至4260美元,2021將回升至4520美元
2020-09-14 17:19:573929

2020氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告

器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到7.45 美元;GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到4.50美元。 基于此,新材料在線特推出【2020氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告】,供業(yè)內(nèi)人士參考: 原文標(biāo)題:【重磅報(bào)告】2020氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告 文章出處:【微信公眾號(hào):新材料在線】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)
2020-10-09 10:16:034445

SiCGaN 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)趨勢(shì),2019 以來(lái)發(fā)生了什么變化?

預(yù)計(jì) 2021 突破 10 美元。 報(bào)告表示,全球 SiCGaN 功率半導(dǎo)體的銷售收入,預(yù)計(jì)從 2018 的 5.71 美元增至 2020 年底的 8.54 美元。預(yù)計(jì)未來(lái)十,每年
2020-11-16 10:19:322918

半導(dǎo)體封裝市場(chǎng)將追隨芯片產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)步伐,2024升至208美元

Materials Outlook),預(yù)測(cè)全球半導(dǎo)體封裝材料市場(chǎng)將追隨芯片產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)的腳步,市場(chǎng)營(yíng)收從2019的176美元一舉上升至2024的208美元,復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)達(dá)3.4%。
2020-11-25 11:52:031473

FPGA將成為市場(chǎng)增長(zhǎng)點(diǎn),2025全球FPGA市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)125美元

據(jù)MRFR數(shù)據(jù),2019全球FPGA市場(chǎng)規(guī)模為69.06美元,5G和AI的推動(dòng)下,2025全球FPGA的市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到125美元,復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)10.42%。
2021-03-06 09:22:156789

SiC功率器件和GaN功率、射頻器件介紹

,特別適用于5G射頻和高壓功率器件。 據(jù)集邦咨詢(TrendForce)指出,因疫情趨緩所帶動(dòng)5G基站射頻前端、手機(jī)充電器及車用能源等需求逐步提升,預(yù)期2021GaN通訊及功率器件營(yíng)收分別為6.8和6100萬(wàn)美元,增30.8%及90.6%,SiC器件功率領(lǐng)域營(yíng)收
2021-05-03 16:18:0013729

第三代半導(dǎo)體高速成長(zhǎng)GaN功率元件今年產(chǎn)值可望大增9成

20216月,富士經(jīng)濟(jì)對(duì)SiC(碳化硅)、Si(硅)功率半導(dǎo)體等下一代功率半導(dǎo)體的全球市場(chǎng)進(jìn)行了調(diào)查。功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)到 2030 將達(dá)到 40471 日元,而 2020 為 28043
2021-06-23 14:25:032538

中瓷電子擬斥資38元將進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體

氮化鎵企業(yè)納微半導(dǎo)體宣布收購(gòu)GeneSiC Semiconductor(GeneSiC),加速向高功率市場(chǎng)擴(kuò)張。納微半導(dǎo)體稱,合并后的公司將在下一代功率半導(dǎo)體GaNSiC)領(lǐng)域創(chuàng)建一個(gè)全面的、行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)組合,到2026,其總市場(chǎng)機(jī)會(huì)估計(jì)每年超過(guò)200美元
2022-09-06 16:15:151469

機(jī)構(gòu):化合物半導(dǎo)體襯底市場(chǎng)2027體量將達(dá)到24美元

研究機(jī)構(gòu)Yole Intelligence日前發(fā)布對(duì)化合物半導(dǎo)體襯底市場(chǎng)的預(yù)測(cè),認(rèn)為功率和光學(xué)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下,到2027年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到24美元,2021-2027間復(fù)合年增長(zhǎng)率為16%。 該機(jī)
2022-11-21 10:31:392027

全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)格局

應(yīng)用范圍不斷拓展。2021 -2025 全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將從 258.2 元增至 342.5 美元,對(duì)應(yīng)復(fù) 合增速 10.6%;其中,模塊增速快,2025 占比將達(dá) 39%,對(duì)應(yīng)復(fù)合增速 16.6%。我國(guó) 作為重要的功率半導(dǎo)體市場(chǎng),將從 106.9 美元增至 124.3 美元。
2023-02-15 16:24:2714

Yole:SiC 器件將占領(lǐng) 30% 的功率器件市場(chǎng)

根據(jù)市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu) Yole 預(yù)測(cè),未來(lái) 5 年內(nèi),SiC 功率器件將很快占據(jù)整個(gè)功率器件市場(chǎng)的 30%,SiC 行業(yè)(從襯底到模塊,包括器件)的增長(zhǎng)率非常高。Yole看來(lái),到 2027 ,該行
2023-02-20 17:05:162145

未來(lái)五SiC器件市場(chǎng)價(jià)值將達(dá)到60美元

全球SiC器件產(chǎn)能到2027將增長(zhǎng)兩倍,排名前五的公司是:ST、英飛凌、Wolfspeed、onsemi和ROHM。Yole Intelligence的分析師預(yù)測(cè),未來(lái)五SiC器件市場(chǎng)價(jià)值將達(dá)到60美元,并可能在2030代初達(dá)到100美元。
2023-03-27 11:10:00901

淺析下一代功率半導(dǎo)體市場(chǎng)前景

由于對(duì)SiC功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求和對(duì)GaN功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求,2022下一代功率半導(dǎo)體將比上年增長(zhǎng)2.2倍。預(yù)計(jì)未來(lái)市場(chǎng)將繼續(xù)高速擴(kuò)張,2023達(dá)到2354日元(約合人民幣121元),比2022增長(zhǎng)34.5%,2035擴(kuò)大到54485日元(約合人民幣2807元),增長(zhǎng)31.1倍。
2023-04-13 16:10:46947

氧化鎵有望成為超越SiCGaN性能的材料

氧化鎵有望成為超越SiCGaN性能的材料,有望成為下一代功率半導(dǎo)體,日本和海外正在進(jìn)行研究和開(kāi)發(fā)。
2023-04-14 15:42:06975

寬禁帶半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)規(guī)模性量產(chǎn)的跨越!

國(guó)際半導(dǎo)體市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole預(yù)測(cè),到2027,全球碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到約63美元,其中新能源汽車碳化硅市場(chǎng)空間有望達(dá)到近50美元,占比近80%,是碳化硅功率器件下游第一大應(yīng)用市場(chǎng)。
2023-05-30 12:25:521654

半導(dǎo)體封裝材料市場(chǎng):2024或升至2082027年有望達(dá)300美元

封裝作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心一環(huán),主要目的為保護(hù)芯片。近日,TECHCET也發(fā)布了針對(duì)半導(dǎo)體封裝材料市場(chǎng)的最新展望,預(yù)計(jì)2022年半導(dǎo)體封裝材料市場(chǎng)總體規(guī)模約為261美元,到2027有望達(dá)到300美元。
2023-05-10 15:31:292340

羅姆收購(gòu)Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139

羅姆收購(gòu)Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139 羅姆一直看好碳化硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展,一直積極布局碳化硅業(yè)務(wù)。羅姆計(jì)劃到2025拿下碳化硅市場(chǎng)30
2023-07-19 19:37:011445

功率半導(dǎo)體器件 氧化鎵市場(chǎng)正在穩(wěn)步擴(kuò)大

調(diào)查結(jié)果顯示,SiC、GaN(氮化鎵)等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件,市場(chǎng)正在穩(wěn)步擴(kuò)大。
2023-09-04 15:13:241214

sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化

sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體上市公司有三安光電、露笑科技、楚江新材、天通股份、東尼電子、華潤(rùn)微、揚(yáng)杰科技、捷捷微電、華微電子、斯達(dá)半導(dǎo)、聞泰科技等公司,注意以上信息僅供參考,如果想了
2023-10-18 16:14:302069

三安宣布進(jìn)軍美洲市場(chǎng),為市場(chǎng)提供SiCGaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

1月8日,Luminus Devices宣布,湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議,Luminus將成為湖南三安SiCGaN產(chǎn)品美洲的獨(dú)家銷售渠道,面向功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)。
2024-01-13 17:17:562208

2030GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將超43美元

TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報(bào)告揭示了全球GaN(氮化鎵)功率元件市場(chǎng)的強(qiáng)勁增長(zhǎng)潛力。據(jù)預(yù)測(cè),到2030,該市場(chǎng)規(guī)模將從2023的約2.71美元激增至43.76美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率
2024-08-15 17:28:421899

泰國(guó)將建首個(gè)SiC工廠,預(yù)計(jì)2027運(yùn)營(yíng)

泰國(guó)近日宣布將建立首家碳化硅(SiC)晶圓工廠,標(biāo)志著該國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)邁出了重要一步。據(jù)悉,該工廠預(yù)計(jì)將于2027正式投入運(yùn)營(yíng),有望為泰國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新的活力。
2024-10-10 18:09:381446

全球半導(dǎo)體市場(chǎng)回暖:預(yù)計(jì)2024年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)6000美元

10月11日舉行的媒體活動(dòng)中,國(guó)際半導(dǎo)體組織(SEMI)全球副總裁兼中國(guó)區(qū)總裁居龍表示,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)2024年有望實(shí)現(xiàn)15%至20%的增長(zhǎng),市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到6000美元。這一預(yù)測(cè)
2024-10-14 11:06:001269

2025全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將增至7050美元

根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)Gartner的最新數(shù)據(jù),全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將迎來(lái)持續(xù)增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)2025,全球半導(dǎo)體收入將達(dá)到7050美元,同比增長(zhǎng)12.6%。這一增長(zhǎng)趨勢(shì)將在2024強(qiáng)勁增長(zhǎng)的基礎(chǔ)上得以實(shí)現(xiàn),2024年半導(dǎo)體收入預(yù)計(jì)為6260美元,同比增長(zhǎng)18.1%。
2025-02-08 16:36:441309

全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)到2030達(dá)250美元!

根據(jù)YoleGroup最近公布的市場(chǎng)預(yù)測(cè),全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)到2030市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到約250美元。這一預(yù)測(cè)顯示了化合物半導(dǎo)體行業(yè)未來(lái)幾年的快速擴(kuò)張潛力,特別是汽車和移動(dòng)出行領(lǐng)域
2025-03-04 11:42:001083

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