氮化鎵功率晶體管EPC2050專為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員而設(shè)計(jì)，在極小的芯片級(jí)封裝中，實(shí)現(xiàn)?350 V、80 mΩ?最大?RDS(on)和26 A 峰值電流，是多電平轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車充電、太陽能逆變器
2022-04-08 16:01:44
7120 
和自動(dòng)駕駛汽車等應(yīng)用。 EPC公司宣布推出額定電壓為100 V、58 mΩ和脈沖電流為20 A的共源雙路氮化鎵場效應(yīng)晶體管EPC2221，可用于機(jī)器人、監(jiān)控系統(tǒng)、無人機(jī)、自動(dòng)駕駛汽車和真空吸塵器的激光雷達(dá)系統(tǒng)。 EPC2221采用低電感、低電容設(shè)計(jì)，允許快速開關(guān)
2022-04-28 17:59:424972 
宜普電源轉(zhuǎn)換公司為業(yè)界提供增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?）功率場效應(yīng)晶體管和集成電路，最新推出100 V、典型值為1.7 mΩ?的EPC2071氮化鎵場效應(yīng)晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。? EPC2071是面向要求高功率密度的應(yīng)用的理想器件，包括用于新型服務(wù)器
2022-05-17 17:51:114007 
普電源轉(zhuǎn)換公司?為業(yè)界提供增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?）功率場效應(yīng)晶體管和集成電路，新推40 V、典型值為0.8 mΩ的EPC2066氮化鎵場效應(yīng)晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。? EPC2066的低損耗和小尺寸使其成為用于最新服務(wù)器和人工智能的高功率密度
2022-06-01 10:22:414156 
功率晶體管（GTR）
2009-12-10 14:22:439447 GaN晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有較小的尺寸，非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用EPC的GaN EPC2032進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。 EPC
2021-03-23 16:19:564543 基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢。GaN-on-Si晶體管的開關(guān)速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:114437 
宜普電源轉(zhuǎn)換公司是增強(qiáng)型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應(yīng)晶體管和集成電路的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，致力提高產(chǎn)品性能且降低可發(fā)貨的氮化鎵晶體管的成本，最新推出EPC2059 （6.8 m?、170 V）氮化鎵場效應(yīng)晶體管
2020-11-13 08:01:002013 面向高功率密度且低成本的DC/DC轉(zhuǎn)換，EPC9151功率模塊利用EPC2152 ePower?功率級(jí)實(shí)現(xiàn)性能更高和尺寸更小的解決方案。
2020-12-22 09:16:201841 EPC公司和ADI公司推出參考設(shè)計(jì)，采用全面優(yōu)化的新型模擬控制器來驅(qū)動(dòng)EPC的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）。新型模擬LTC7890同步氮化鎵降壓控制器與EPC的超高效eGaN?FET相結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)2 MHz的開關(guān)頻率，從而實(shí)現(xiàn)高功率密度和低成本的DC/DC轉(zhuǎn)換。
2022-03-16 09:42:381741 
EPC2001C–增強(qiáng)型功率晶體管
2023-03-28 18:19:32
EVAL BOARD GAN EPC2020/EPC2021
2023-03-30 11:52:57
50V以下。需要說明的一點(diǎn)是，捕捉波形時(shí)使用的是1GHz示波器和探頭。結(jié)論GaN晶體管與其驅(qū)動(dòng)器的封裝集成消除了共源電感，從而實(shí)現(xiàn)了高電流壓擺率。它還減少了柵極環(huán)路電感，以盡可能地降低關(guān)閉過程中的柵極應(yīng)力，并且提升器件的關(guān)斷保持能力。集成也使得設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">GaN FET搭建高效的過熱和電流保護(hù)電路。
2018-08-30 15:28:30
100V到700V，應(yīng)有盡有．幾年前，晶體管的開關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達(dá)數(shù)百千瓦的功率。這主要?dú)w功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計(jì)人員的共同努力，改進(jìn)了功率晶體管的性能。如(1)開關(guān)晶體管
2018-10-25 16:01:51
300V，一般可選用3DG182N、2SC2068、2SC2611、2SC2482等型號(hào)的晶體管。 3．行推動(dòng)管的選用彩色電視機(jī)中使用的行推動(dòng)管，應(yīng)選用中、大功率的高頻晶體管。其耗散功率應(yīng)大于或等于10W
2012-01-28 11:27:38
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內(nèi)匹配（IM）場效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
和更高導(dǎo)熱系數(shù)。 GaN HEMT還提供更高的功率密度和更寬的功率范圍相較于Si和GaAs晶體管的帶寬。 此MMIC可用于10引線金屬/陶瓷法蘭封裝（CMPA801B025F）或小型藥丸包裝
2020-12-03 11:46:10
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件，設(shè)計(jì)用于在0.960-1.215 GHz瞬時(shí)帶寬上運(yùn)行的系統(tǒng)。 當(dāng)在規(guī)定的脈沖條件下且VCC = 50V時(shí)以C類模式工作時(shí)，該通用基本設(shè)備可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB1011M800是高功率脈沖航空電子晶體管，專為工作在1.03-1.09 GHz的L波段航空電子系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 當(dāng)在VCC = 50V的模式S脈沖突發(fā)條件下以C類模式運(yùn)行時(shí)，此通用基本設(shè)備可提供
2021-04-01 10:11:46
于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號(hào)
2019-05-14 11:00:13
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨(dú)特需求。它在整個(gè)420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管，指定用于AB類操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率，最小40W的峰值脈沖功率，50V和3％的占空比。 該單元采用金線技術(shù)通過芯片和線材技術(shù)組裝
2021-04-01 09:57:55
9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。相關(guān)
2018-11-12 10:26:20
`產(chǎn)品型號(hào)：NPTB00025B產(chǎn)品名稱: 射頻功率晶體管NPTB00025B 產(chǎn)品特性針對(duì)DC-4000MHz的寬帶運(yùn)行進(jìn)行了優(yōu)化散熱增強(qiáng)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)包裝100％射頻測試具有高達(dá)32V的工作電壓
2019-11-01 10:46:19
QPD1020射頻功率晶體管產(chǎn)品介紹QPD1020報(bào)價(jià)QPD1020代理QPD1020咨詢熱線QPD1020現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50歐姆輸入
2018-07-27 11:20:12
能夠在高輸出功率電平下承受嚴(yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時(shí)，它的輸出功率有很大一部分會(huì)被反射進(jìn)器件，此時(shí)功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時(shí)，重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用性結(jié)果的條件，因?yàn)椴煌圃焐痰臏y試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
v-1 s-1，是硅基晶體管的四分之一。低電子遷移率阻滯了透明晶體管的電流承載能力。目前，薄膜晶體管受限于低電流、低速率、且需高壓驅(qū)動(dòng)。當(dāng)務(wù)之急是找出能生產(chǎn)透明高性能器件的替代材料?！ √娲鷮?dǎo)電氧化物
2020-11-27 16:30:52
（IGBT）絕緣柵雙極晶體管結(jié)合了巨型晶體管GTR和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)。它具有良好的性能和廣泛的應(yīng)用。IGBT也是三端器件：柵極、集電極和發(fā)射極。晶體管的主要參數(shù)晶體管的主要參數(shù)包括電流放大因數(shù)
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
更高的功率耗散，因?yàn)檩敵?b class="flag-6" style="color: red">晶體管不能飽和。在更高的頻率下，更大的相移也是可能的，這可能會(huì)導(dǎo)致負(fù)反饋下的不穩(wěn)定?！ ∵_(dá)林頓晶體管原理圖通常描繪了在單個(gè)大圓圈內(nèi)連接在一起的一對(duì)晶體管元件?；パa(bǔ)達(dá)林頓或
2023-02-16 18:19:11
（GaN）技術(shù)實(shí)現(xiàn)比使用傳統(tǒng)硅功率晶體管更高的效率。氮化鎵具有極高的電子遷移率和低溫度系數(shù)，這使得功率晶體管具有非常低的導(dǎo)通電阻（R上），從而最大限度地減少了導(dǎo)通狀態(tài)傳導(dǎo)損耗。橫向晶體管結(jié)構(gòu)還實(shí)現(xiàn)了極低
2023-02-21 15:57:35
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動(dòng)。然而，螺線管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
Conversion；EPC)、GaNSystems與Transphorm等公司。各大功率半導(dǎo)體業(yè)者的不同GaN功率晶體管專利（來源：Yole）然而，這一市場也存在整并壓力，這一點(diǎn)從英飛凌收購IR、英飛凌
2015-09-15 17:11:46
EPC標(biāo)簽芯片的面積不足1平方毫米，可實(shí)現(xiàn)二進(jìn)制96（128）字節(jié)信息存儲(chǔ)，它的標(biāo)識(shí)容量上限是：全球2.68億家公司，每個(gè)公司出產(chǎn)1600萬種產(chǎn)品，每種產(chǎn)品生產(chǎn)680億個(gè)。這樣大的容量可以將全球每年
2019-06-21 06:06:31
標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)物。4. 按形狀分類根據(jù)功率及安裝形態(tài)，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
2019-05-05 01:31:57
的改善也同樣顯著。圖 1：100KHz 和 500KHz 時(shí)的半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器本文討論了商用GaN功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的優(yōu)勢。對(duì)晶體管
2023-02-27 09:37:29
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術(shù)的能力。開發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關(guān)設(shè)備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念?！ D-GIT的概述和優(yōu)勢 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
集成電路［7］。圖7顯示了單片功率級(jí)GaN IC的框圖和實(shí)際芯片照片。將這種單片集成電路的實(shí)驗(yàn)測量效率（如圖8所示）與使用具有相同導(dǎo)通電阻的eGaN?晶體管的分立電路進(jìn)行比較，并由uPI半導(dǎo)體uP1966
2023-02-24 15:15:04
的高可靠性，EPC 公司已經(jīng)宣布了其新的 EPC7019 eGaN 抗輻射功率晶體管器件。EGaN 晶體管采用鈍化模具形式，圖像由 EPC 提供新產(chǎn)品利用 GaN 白光柵材料實(shí)現(xiàn)高電子遷移率和低溫系數(shù)。該
2022-06-15 11:43:25
，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統(tǒng)硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實(shí)際生產(chǎn)工藝限制，單個(gè)器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯(lián)配置晶體管已成為
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
各位前輩可有辦法不用變壓器產(chǎn)生穩(wěn)定的350V直流電壓？
2011-11-19 14:28:56
進(jìn)一步減少所需的組件?！ {借英飛凌50V LDMOS功率晶體管技術(shù)，PTVA127002EV展現(xiàn)出了極高的能效：利用300微秒10%占空比脈沖進(jìn)行測量，在1200 MHz~1400 MHz波段下
2018-11-29 11:38:26
關(guān)鍵詞 EPC-296x摘 要 EPC-296x 產(chǎn)品上各接口說明及使用方法
2009-11-02 14:51:47
28 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時(shí)的最大
2010-03-05 17:34:108979 RFID/EPC,RFID/EPC是什么意思
RFID是一項(xiàng)易于操控，簡單實(shí)用且特別適合用于自動(dòng)化控制的靈活性應(yīng)用技術(shù)，其所具備的獨(dú)特優(yōu)越性是其它
2010-04-01 17:42:4914017 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出第二代增強(qiáng)性能氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環(huán)保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質(zhì)限制)條例。
2011-08-18 09:53:103868 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC9004開發(fā)板，這種開發(fā)板能使用戶更方便地使用宜普200V增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)產(chǎn)品
2011-08-19 08:51:182974 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC9005/EPC9006 開發(fā)板 ，這種開發(fā)板能使用戶更方便地使用宜普增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)產(chǎn)品。 EPC9005開發(fā)板 EPC9005開發(fā)板能使用戶更方便地使用
2011-09-28 09:30:241478 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣佈推出採用增強(qiáng)型氮化鎵場效應(yīng)電晶體的EPC9003及EPC9006開發(fā)板， 展示最新推出、專為驅(qū)動(dòng)氮化鎵場效應(yīng)電晶體而優(yōu)化的積體電路閘極驅(qū)動(dòng)器可幫助工程師簡單
2012-10-12 09:12:491721 日前，射頻功率技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個(gè)LDMOS功率晶體管與一個(gè)氮化鎵（GaN）晶體管，所有產(chǎn)品均超越地面移動(dòng)市場要求。
2013-06-09 10:18:372188 這篇文章的目的是提供一個(gè)指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導(dǎo)體設(shè)備的用戶。
2017-06-27 08:54:1124 EPC公司推出全新開發(fā)板EPC9083 - 面向無線充電及激光雷達(dá)應(yīng)用、采用200 V eGaN?FET、60 W E 類放大器拓?fù)洌梢栽诟哌_(dá)15 MHz 頻率下高效地工作。
2017-08-28 11:42:051880 低壓氮化鎵（GaN）器件市場越來越重要，EPC是低壓硅上氮化鎵（GaN-on-silicon）高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的主要供應(yīng)商。
2017-10-18 17:22:0712442 宜普公司為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)師提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 m?氮化鎵功率晶體管（EPC2049），應(yīng)用于負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)（LiDAR）及具低電感的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器。
2017-12-29 10:40:007190 松下宣布研發(fā)出新型MIS結(jié)構(gòu)的Si基GaN功率晶體管，可以連續(xù)穩(wěn)定的工作，柵極電壓高達(dá)10V，工作電流在20A，擊穿電壓達(dá)到730V。
2018-03-15 09:56:087522 
EPC為汽車激光雷達(dá)（LiDAR）系統(tǒng)設(shè)計(jì)的新款80 V EPC2214獲得了美國汽車電子協(xié)會(huì)AEC Q101認(rèn)證。
2019-04-23 14:02:513702 EPC9144演示板內(nèi)的車規(guī)級(jí)EPC2216氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN FET）可支持大電流納秒脈衝的應(yīng)用，提供高速的大電流脈沖 – 電流可高達(dá)28 A、脈寬則可低至1.2納秒，從而使得飛行時(shí)間及flash激光雷達(dá)系統(tǒng)更準(zhǔn)確、更精確及更快速。
2020-01-16 09:48:003619 EPC2152是一個(gè)單晶驅(qū)動(dòng)器并配以基于氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN? FET）、采用EPC專有的氮化鎵集成電路技術(shù)的半橋功率級(jí)。在單芯片上集成輸入邏輯界面、電平轉(zhuǎn)換電路、自舉充電電路、柵極驅(qū)動(dòng)器
2020-03-20 09:14:393180 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出80 V、12.5 A的功率級(jí)集成電路，專為48 V DC/DC轉(zhuǎn)換而設(shè)計(jì)，用于具有高功率密度的運(yùn)算應(yīng)用及針對(duì)電動(dòng)車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。
2020-03-20 16:57:445321 ST 發(fā)布了市場首個(gè)也是唯一的單封裝集成 600 V 柵極驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)加強(qiáng)版氮化鎵（GaN）晶體管的 MASTERGAN1。同類競品只提供一顆 GaN 晶體管，而 ST 決定增加一顆 GaN，實(shí)現(xiàn)半
2020-10-30 12:04:45897 GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價(jià)格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:461081 器件成為研發(fā)的重點(diǎn)，相關(guān)的應(yīng)用開發(fā)活動(dòng)也十分活躍。 EPC新近推出的EPC2218增強(qiáng)模式氮化鎵功率晶體管（eGaN FET）就是在這個(gè)大趨勢下應(yīng)運(yùn)而生的一款性能優(yōu)異的器件。 EPC2218是100V、60A和231A脈沖增強(qiáng)型GaN FET，該晶片的尺寸為3.5mm x 1.95
2021-08-17 18:03:153597 氮化鎵 （GaN） 繼續(xù)其接管宇宙光譜的使命。GaN 的長期存在并未結(jié)束，它憑借其功率晶體管進(jìn)入太空，這是支持極端太空任務(wù)的電源和射頻應(yīng)用的理想選擇。EPC Space 通過其新的 eGaN
2022-07-27 08:03:051298 
GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用 EPC 的 GaN EPC2032 進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
2022-08-05 08:04:541728 
GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
2022-08-05 08:04:552235 
是一種高度移動(dòng)的半導(dǎo)體電子半導(dǎo)體 (HEMT)，被證明在滿足新應(yīng)用方面具有真正的附加值。 GaN 晶體管比硅 MOSFET 更快、更小。GaN 的性能表明效率和性能得到了顯著提高，從而帶來了一些硅技術(shù)無法實(shí)現(xiàn)的新應(yīng)用。板空間非常昂貴。eGaN?的FET，從EPC，在低電感，低電阻，
2022-08-08 09:38:243647 
EPC2106是增強(qiáng)型單片 GaN 晶體管半橋，將兩個(gè) eGaN 功率 FET 集成到單個(gè)器件中，從而消除了 PCB 上所需的互連電感和間隙空間。
2022-08-29 09:15:421289 GaN功率晶體管:器件、技術(shù)和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11978 功率晶體管的參數(shù)主要有電壓限制、電流限制、功率限制、頻率限制、溫度限制等。這些參數(shù)都會(huì)影響功率晶體管的性能，因此在選擇功率晶體管時(shí)，應(yīng)該根據(jù)實(shí)際應(yīng)用來選擇合適的參數(shù)。
2023-02-17 14:29:373679 潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:342034 瞬變電壓抑制二極管選型選用過程中，除了工作電壓之外，重要的參數(shù)還有鉗位電壓、擊穿電壓、峰值脈沖電流、功率、封裝、漏電流等等。可見，TVS選型，是一門很大的學(xué)問，350V瞬態(tài)電壓抑制二極管型號(hào)齊全，具體選用哪個(gè)料號(hào)，還需要根據(jù)電路情況和保護(hù)需求來定奪！
2022-06-16 18:09:011676 
650V硅上GaN增強(qiáng)型功率品體管，采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用。
2023-08-16 23:36:512182 
650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)
2023-08-07 17:22:174139 
無論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢。
2023-09-28 17:44:222460 
高效功率轉(zhuǎn)換 (EPC) 宣布推出 EPC9194，這是一款用于 3 相 BLDC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器的參考設(shè)計(jì)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14 V 至 60 V，可提供高達(dá) 60 Apk (40 A
2023-11-02 16:43:461916 參考設(shè)計(jì)，可在 14V 至 60V 的輸入電源電壓范圍內(nèi)工作，并提供高達(dá) 60A 的電流PK公司(40安培有效值) 輸出電流。該電壓范圍和功率水平使該解決方案成為各種三相 BLDC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的理想選擇，包括電動(dòng)
2023-11-14 16:53:022021 。EMC的主要目標(biāo)是防止不同設(shè)備或系統(tǒng)之間的電磁干擾（EMI）和互操作性問題。 與EMC密切相關(guān)的是EPC，EPC即是開放式產(chǎn)品技術(shù)規(guī)范（Electronic Product Code），是一種應(yīng)用于全球
2024-02-04 15:40:2012744 近日，EPC Space宣布與全球領(lǐng)先的電子元件和服務(wù)分銷商——安富利(Avnet)簽署了一項(xiàng)重要的分銷協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，安富利將成為EPC Space耐輻射氮化鎵(GaN)功率器件系列的全球分銷商，這批產(chǎn)品主要服務(wù)于衛(wèi)星和高可靠性應(yīng)用領(lǐng)域。
2024-04-09 14:18:251232 
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細(xì)，融合了多種材料和工藝，以實(shí)現(xiàn)高效、高頻率和高功率密度的性能。
2024-08-15 11:01:063440 GaN（氮化鎵）晶體管和SiC（碳化硅）晶體管作為兩種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信及高溫高壓應(yīng)用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。然而，它們?cè)诓牧咸匦?、性能表現(xiàn)、應(yīng)用場景以及制造工藝等方面存在諸多不同。以下是對(duì)這兩種晶體管差異的詳細(xì)分析。
2024-08-15 11:16:212935 GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及低導(dǎo)通電阻等特性，使得GaN晶體管成為電力電子和高頻通信等領(lǐng)域的優(yōu)選器件。以下將詳細(xì)闡述GaN晶體管的主要應(yīng)用場景，并結(jié)合具體實(shí)例進(jìn)行說明。
2024-08-15 11:27:203067 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaN晶體管的命名、類型和結(jié)構(gòu).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-12 10:01:200
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