英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開(kāi)關(guān)板：技術(shù)解析與應(yīng)用前景 在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是不可或缺的關(guān)鍵元件。英飛凌推出的雙柵極MOSFET
2025-12-19 15:20:03
225 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們聚焦于ON Semiconductor推出的一款單N溝道功率MOSFET——NVMYS4D5N04C，深入剖析其特性、參數(shù)及應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-12-01 14:41:37268 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為關(guān)鍵的功率器件，其性能表現(xiàn)對(duì)整個(gè)電路的性能起著至關(guān)重要的作用。今天，我們就來(lái)深入了解一款由onsemi推出的單N溝道MOSFET——NVTYS014N08HL。
2025-12-01 09:42:59233 
在電子工程領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能對(duì)電路設(shè)計(jì)和系統(tǒng)性能有著至關(guān)重要的影響。今天，我們來(lái)詳細(xì)探討一下安森美（onsemi）的UF3N120007K4S碳化硅（SiC）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET），看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。
2025-11-26 15:47:04273 
PMOS 管即 P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，以 P 型半導(dǎo)體為襯底，通過(guò)在柵極施加負(fù)電壓調(diào)控源漏極間空穴的遷移，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)電路的開(kāi)關(guān)控制或信號(hào)放大，是半導(dǎo)體電路中的基礎(chǔ)器件。
其
2025-11-05 15:58:17
碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）憑借高速開(kāi)關(guān)特性，大幅降低開(kāi)關(guān)損耗，目前已在各行業(yè)應(yīng)用中加速滲透。然而，其器件特性所伴隨的高 dV/dt（電壓變化率），易引發(fā)寄生開(kāi)通風(fēng)險(xiǎn)，已成為各行業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)中需重點(diǎn)規(guī)避的核心挑戰(zhàn)。
2025-11-05 09:29:415299 
標(biāo)準(zhǔn)更為嚴(yán)苛。
產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)動(dòng)效應(yīng)：快充技術(shù)的普及不僅推動(dòng)了充電器產(chǎn)品的更新，也帶動(dòng)了如 MOSFET（金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等核心元器件的市場(chǎng)需求增長(zhǎng)，這類元器件是保障快充安全與效率的關(guān)鍵
2025-11-03 09:28:36
工藝技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)，深刻塑造了當(dāng)今的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。從早期的平面晶體管到鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET），再到最新的全環(huán)繞柵極（GAA）架構(gòu)，每一代新工藝節(jié)點(diǎn)都為顯著改善功耗、性能和芯片面積（PPA）創(chuàng)造了機(jī)會(huì)。
2025-10-24 16:28:391177 
D2201UK金金屬化多用途硅DMOS射頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管 特征簡(jiǎn)化的放大器設(shè)計(jì)適用于寬帶應(yīng)用低溫RSS簡(jiǎn)單的偏置電路低噪聲高增益 – 最小 16 dB 鍍金多用途硅DMOS射頻
2025-10-24 12:34:47
晶體管是一種以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的電子元件，具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓和信號(hào)調(diào)制等多種功能?。其核心是通過(guò)控制輸入電流或電壓來(lái)調(diào)節(jié)輸出電流，實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大或電路開(kāi)關(guān)功能?。 基本定義 晶體管泛指
2025-10-24 12:20:23349 
MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 全稱：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），簡(jiǎn)稱MOS管，屬于場(chǎng)效應(yīng)管（FET）的一種。
2025-10-23 13:56:439246 
PMOS 管即 P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，以 P 型半導(dǎo)體為襯底，通過(guò)在柵極施加負(fù)電壓調(diào)控源漏極間空穴的遷移，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)電路的開(kāi)關(guān)控制或信號(hào)放大，是半導(dǎo)體電路中的基礎(chǔ)器件。
其
2025-10-21 11:59:56
本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN（氮化鎵高電子遷移率晶體管）和 OptiMOS 6（硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管），在極端短路條件下的表現(xiàn)。通過(guò)一系列嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y(cè)試，我們將揭示
2025-10-07 11:55:002980 
在新能源汽車從概念走向普及的過(guò)程中，半導(dǎo)體器件扮演著至關(guān)重要的角色。其中，MOS管（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為電力電子系統(tǒng)的核心開(kāi)關(guān)元件，如同汽車的“動(dòng)力神經(jīng)”，貫穿于能量轉(zhuǎn)換、動(dòng)力驅(qū)動(dòng)和整車控制的各個(gè)環(huán)節(jié)，直接影響著車輛的續(xù)航能力、動(dòng)力性能和安全系數(shù)。
2025-09-28 10:48:50690 
在當(dāng)代電子技術(shù)的浩瀚星空中，MOS管（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）無(wú)疑是一顆璀璨的恒星。從智能手機(jī)里的微小芯片到新能源電站的巨型逆變器，這種看似簡(jiǎn)單的半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的性能，支撐著現(xiàn)代電子文明的運(yùn)轉(zhuǎn)。了解MOS管的工作機(jī)制與應(yīng)用場(chǎng)景，如同掌握解讀電子世界的密碼。
2025-09-28 10:30:00798 
在電子電路領(lǐng)域，MOS管是一種至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件，其全稱為金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
2025-09-23 11:39:324467 
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，MOS管（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為核心器件，承擔(dān)著電能轉(zhuǎn)換、信號(hào)放大與電路控制的關(guān)鍵作用。中科微電作為國(guó)內(nèi)專注于功率半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)的企業(yè)，其推出的MOS管憑借高可靠性、低功耗等優(yōu)勢(shì)，在多個(gè)行業(yè)實(shí)現(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用，成為國(guó)產(chǎn)功率器件替代進(jìn)程中的重要力量。
2025-09-22 13:59:47500 
柵極電阻的存在對(duì)電路性能的影響很大，會(huì)引入熱噪聲，增大電路的噪聲系數(shù)，影響器件的開(kāi)關(guān)速度和最大振蕩頻率，因此在版圖設(shè)計(jì)時(shí)，要考慮盡可能地減小柵極電阻。
2025-09-22 10:51:05718 
MOS管，即金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是現(xiàn)代電子電路中至關(guān)重要的核心器件之一。
2025-09-19 17:41:515038 
Texas Instruments LMG342xR030 GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）集成了驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，可使設(shè)計(jì)人員在電子設(shè)備系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08586 
多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管?？刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路，實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
2025-09-15 15:31:09
傳統(tǒng)的平面場(chǎng)效應(yīng)晶體管開(kāi)始，經(jīng)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管、納米片全環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管，向下一代叉形片和互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)展，見(jiàn)圖1和圖2所示。
圖1 晶體管架構(gòu)演進(jìn)方向
圖2 晶體管架構(gòu)演進(jìn)路線圖
那在這
2025-09-06 10:37:21
在現(xiàn)代功率電子技術(shù)中，MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是不可或缺的關(guān)鍵組件。它廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、逆變器、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。而隨著功率需求和系統(tǒng)效率的不斷提高，SiCMOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體
2025-09-04 14:46:09637 
NMOS 管，即 N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。其核心結(jié)構(gòu)由源極（S）、漏極（D）、柵極（G）及 N 型溝道組成。當(dāng)柵極電壓高于閾值時(shí)，溝道導(dǎo)通，電子從
2025-07-24 16:25:56
NMOS 管，即 N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。其核心結(jié)構(gòu)由源極（S）、漏極（D）、柵極（G）及 N 型溝道組成。當(dāng)柵極電壓高于閾值時(shí)，溝道導(dǎo)通，電子
2025-07-23 17:27:58
在電子世界的晶體管家族中，NMOS（N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）與 PMOS（P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）如同一對(duì)默契的 “電子開(kāi)關(guān)”，掌控著電路中電流的流動(dòng)
2025-07-14 17:05:2223273 
在電源轉(zhuǎn)換技術(shù)不斷進(jìn)步的背景下，瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaNFET)，專注于滿足數(shù)據(jù)中心、工業(yè)以及電動(dòng)交通應(yīng)用對(duì)高效能和高密度
2025-07-14 10:17:383206 
在電子元器件領(lǐng)域，MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為一種重要的功率開(kāi)關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中。FS8205A作為泛海微電子推出的一款低閾值電壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管，憑借其優(yōu)異的性能和緊湊
2025-07-11 15:17:43
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級(jí)集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管。93V連續(xù)、100V脈沖、53A半橋功率級(jí)包含兩個(gè)GaN FET，由
2025-07-11 14:40:22677 
GaN器件當(dāng)前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管)，此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中，如全控型電力開(kāi)關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 相比
2025-07-09 11:13:063371 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器真值表，用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-03 18:30:00
氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)展現(xiàn)出卓越的性能，遷移率高達(dá)44.5cm2/Vs。在嚴(yán)苛的應(yīng)力測(cè)試中，這款晶體管連續(xù)穩(wěn)定工作近三小時(shí)，顯示出其在高壓和高溫等極端條件
2025-07-02 09:52:45827 
N溝道MOS管（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種電壓控制型器件，依靠N型半導(dǎo)體中的電子導(dǎo)電。當(dāng)柵極電壓超過(guò)閾值電壓時(shí)，源極與漏極之間形成導(dǎo)電溝道，實(shí)現(xiàn)電流導(dǎo)通，具有輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快
2025-06-28 10:48:03
N溝道MOS管（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種電壓控制型器件，依靠N型半導(dǎo)體中的電子導(dǎo)電。當(dāng)柵極電壓超過(guò)閾值電壓時(shí)，源極與漏極之間形成導(dǎo)電溝道，實(shí)現(xiàn)電流導(dǎo)通，具有輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快
2025-06-27 17:35:56
Analog Devices LTC7890/1同步降壓控制器是高性能直流-直流開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器控制器，用來(lái)驅(qū)動(dòng)輸入電壓高達(dá)100V的所有N溝道同步氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 功率級(jí)
2025-06-22 09:50:43744 
晶體管光耦（PhotoTransistorCoupler）是一種將發(fā)光器件和光敏器件組合在一起的半導(dǎo)體器件，用于實(shí)現(xiàn)電路之間的電氣隔離，同時(shí)傳遞信號(hào)或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電效應(yīng)和半導(dǎo)體
2025-06-20 15:15:49730 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。ADuM4146采用iCoupler? 技術(shù)，可在輸入信號(hào)和 輸出柵極驅(qū)動(dòng)器之間實(shí)現(xiàn)隔離。該器件包括米勒鉗位，以便柵極電壓低于 2V時(shí)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的SiC單軌電源 關(guān)斷。采用帶有或不帶有米勒鉗位操作實(shí)現(xiàn)單極性 或雙極性輔助電源工作。
2025-06-20 15:15:04701 
，10埃）開(kāi)始一直使用到A7代。
從這些外壁叉片晶體管的量產(chǎn)中獲得的知識(shí)可能有助于下一代互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）的生產(chǎn)。
目前，領(lǐng)先的芯片制造商——英特爾、臺(tái)積電和三星——正在利用其 18A、N2
2025-06-20 10:40:07
在微電子系統(tǒng)中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管通過(guò)柵極電位的精確調(diào)控實(shí)現(xiàn)對(duì)主電流通路的智能管理，這種基于電位差的主控模式使其成為現(xiàn)代電路中的核心調(diào)控元件。實(shí)現(xiàn)這種精密控制的基礎(chǔ)源于器件內(nèi)部特殊的載流子遷移機(jī)制與電場(chǎng)調(diào)控特性。
2025-06-18 13:41:14694 現(xiàn)有的晶體管都是基于 PN 結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)而構(gòu)建的。在未來(lái)的幾年里，隨著CMOS制造技術(shù)的進(jìn)步，器件的溝道長(zhǎng)度將小于 10nm。在這么短的距離內(nèi)，為使器件能夠工作，將采用非常高的摻雜濃度梯度。
2025-06-18 11:43:221011 
從內(nèi)容上看，本書(shū)可分成三部分:1.介紹了激光器電源中使用的幾種電子器件，諸如晶閘管(SCR)、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(VMOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。這幾種器件各具特點(diǎn)，在激光器電源及電力電子學(xué)
2025-06-17 17:45:29
Analog Devices Inc. EVAL-LTC7890-AZ評(píng)估板是一款雙輸出同步降壓轉(zhuǎn)換器，可驅(qū)動(dòng)所有N溝道氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。 該板采用EPC EPC
2025-06-10 13:55:03740 
Analog Devices Inc. EVAL-LTC7890-BZ 評(píng)估板是一款雙輸出同步降壓轉(zhuǎn)換器，可驅(qū)動(dòng)N溝道硅 (Si) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)。EVAL-LTC7890-BZ評(píng)估板
2025-06-06 10:57:37690 
自半導(dǎo)體晶體管問(wèn)世以來(lái)，集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言，單位面積上的晶體管數(shù)量每?jī)赡攴环@一進(jìn)步在過(guò)去幾十年里得到了充分驗(yàn)證。
2025-06-03 18:24:131494 
AO4803AAO4803A雙P通道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOS電源控制電路采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，以低門電荷提供優(yōu)秀的RDS（開(kāi)）。此設(shè)備適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM應(yīng)用。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品AO4803A不含鉛（符合RoHS和索尼259規(guī)范）
2025-05-19 17:59:38
28 2010年，愛(ài)爾蘭 Tyndall 國(guó)家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此，半導(dǎo)體界興起了一股研究無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的熱潮，每年的國(guó)際
2025-05-19 16:08:13777 
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié)，MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個(gè) PN結(jié)，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071122 
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在同一塊 N型半導(dǎo)體上制作兩個(gè)高摻雜的P區(qū)，并將它們連接在一起，所引出的電極稱為柵極（G），N型半導(dǎo)體兩端分別引出兩個(gè)電極，分別稱為漏極（D）和源極（S），如圖 1.11所示。
2025-05-14 17:19:202620 
對(duì)于傳統(tǒng)的MOSFET器件，雖然因?yàn)闁艠O絕緣層的采用大大抑制了柵極漏流，但是硅溝道較低的電子遷移率也限制了其在超高頻、超高速等領(lǐng)域的應(yīng)用。
2025-05-14 11:14:591226 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-CCS3125BP N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-13 18:03:110 圣邦微電子推出 SGMNQ36430，一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率負(fù)載開(kāi)關(guān)以及筆記本電池管理等領(lǐng)域。
2025-05-09 16:57:26971 
OPA1S2384 和 OPA1S2385 (OPA1S238x) 將高帶寬，場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 輸入運(yùn)算放大器與一個(gè)快速 SPST COMS 開(kāi)關(guān)組合在一起，設(shè)計(jì)用于需要跟蹤和捕捉快速信號(hào)的應(yīng)用。
2025-04-30 10:05:24837 
OPA1S2384 和 OPA1S2385 (OPA1S238x) 將高帶寬，場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 輸入運(yùn)算放大器與一個(gè)快速 SPST COMS 開(kāi)關(guān)組合在一起，設(shè)計(jì)用于需要跟蹤和捕捉快速信號(hào)的應(yīng)用。
2025-04-29 16:38:49880 
晶體管，F(xiàn)ET和IC，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計(jì)，源極跟隨器電路設(shè)計(jì)，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作，柵極接地放大電路的設(shè)計(jì)，電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作，進(jìn)晶體管
2025-04-14 17:24:55
MOS管，即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，在開(kāi)關(guān)電源中扮演著至關(guān)重要的角色。
2025-04-12 10:46:40821 有機(jī)半導(dǎo)體材料是具有半導(dǎo)體性質(zhì)的有機(jī)材料，1986年第一個(gè)聚噻吩場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)明以來(lái)，有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（OFET）飛速發(fā)展。有機(jī)物作為半導(dǎo)體甚至是導(dǎo)體制備電子器件來(lái)代替以部分硅為主的傳統(tǒng)電子產(chǎn)品，利用有機(jī)物可以大規(guī)模低成本合成的優(yōu)勢(shì)，市場(chǎng)前景是巨大的。
2025-04-09 15:51:551064 
引言
隨著電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展[1-2]，已經(jīng)出現(xiàn)了各種各樣的全控型器件，最常用的有適用于大功率場(chǎng)合的大功率晶體管(GTR)、適用于中小功率場(chǎng)合但快速性較好的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)以及
2025-03-27 14:48:50
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8822SS共漏N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-26 16:00:441 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8814EFF具有ESD保護(hù)的雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-25 17:28:000 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8814EFD具有ESD保護(hù)的共漏N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-25 17:26:020 介紹各種電子元器件的分類、主要參數(shù)、封裝形式等。元器件包括半導(dǎo)體二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、晶閘管、線性集成電路、TTL和CMOS系列電路、數(shù)／模轉(zhuǎn)換器、模／數(shù)轉(zhuǎn)換器、電阻器、電位器、電容器、保護(hù)
2025-03-21 16:50:16
MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的高輸入阻抗和BJT（雙極型晶體管）的低導(dǎo)通損耗優(yōu)點(diǎn)，適用于變頻器、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。
2025-03-19 15:48:34807 安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM31智能功率模塊（IPM）系列。
2025-03-19 14:31:281103 MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是電子電路中常用的關(guān)鍵器件，尤其在開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。對(duì)于初學(xué)者會(huì)遇到不知如何識(shí)別GDS極和電路連接錯(cuò)誤的問(wèn)題。掌握MOSFET的使用技巧，首先要從電路圖入手，扎實(shí)掌握MOS管
2025-03-19 14:30:33986 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TC1201低噪聲和中功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-17 17:15:420 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1541SIJ P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-07 11:33:071 工具。 這項(xiàng)新功能使得設(shè)計(jì)師能夠利用數(shù)據(jù)表中常見(jiàn)的信息，為分立結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和二極管創(chuàng)建電路仿真模型。QSPICE 的開(kāi)發(fā)者 Mike Engelhardt 表示，這一新功能是自 2023 年 QSPICE 發(fā)布以來(lái)最重要的電路仿真改進(jìn)。 “QSPIC
2025-03-06 11:12:37658 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1756SJ N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-05 17:29:160 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1729SI P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 18:05:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1728SJ P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 18:02:350 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1725SI P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 16:32:030 在現(xiàn)代電子學(xué)的宏偉建筑中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET-Field Effect Transistor）是其不可或缺的基石。這些精巧的電子組件以其卓越的性能優(yōu)勢(shì): 低功耗、高輸入阻抗和簡(jiǎn)便的偏置需求, 在
2025-03-03 14:44:532190 
這本書(shū)介紹了晶體管的基本特性，單管電路的設(shè)計(jì)與制作， 雙管電路的設(shè)計(jì)與制作，3~5管電路的設(shè)計(jì)與制作，6管以上電路的設(shè)計(jì)與制作。書(shū)中具體內(nèi)容有：直流工作解析，交流工作解析，接地形式，單管反相放大器，雙管反相放大器，厄利效應(yīng)，雙管射極跟隨器等內(nèi)容。
2025-02-26 19:55:46
LMG342XEVM - 04X 包含兩個(gè)以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成，這使得低側(cè)參考信號(hào)能夠控制兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。功率級(jí)上配備了高頻去耦電容，采用優(yōu)化布局，以盡量減少寄生電感并降低電壓過(guò)沖。
2025-02-21 18:16:54786 
?在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，電子元件的創(chuàng)新成為推動(dòng)各領(lǐng)域進(jìn)步的關(guān)鍵力量。Ziener 公司最新推出的 ZN70C1R460D 氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），以其卓越性能在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域掀起波瀾
2025-02-18 16:47:25949 
FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進(jìn)的晶體管架構(gòu)，旨在提高集成電路的性能和效率。它通過(guò)將傳統(tǒng)的平面晶體管轉(zhuǎn)換為三維結(jié)構(gòu)來(lái)減少短溝道效應(yīng)，從而允許更小、更快且功耗更低的晶體管。本文將從硅底材開(kāi)始介紹FinFET制造工藝流程，直到鰭片(Fin)的制作完成。
2025-02-17 14:15:022608 
MAX2829EVKIT+ 開(kāi)發(fā)板產(chǎn)品概述MAX2829EVKIT+ 是由美信科技（Maxim Integrated）推出的一款評(píng)估板，專為 MAX2829 頻率合成器設(shè)計(jì)。該開(kāi)發(fā)板為工程師和開(kāi)發(fā)
2025-02-15 16:19:17
HSC-ADC-EVALEZ 開(kāi)發(fā)板產(chǎn)品概述HSC-ADC-EVALEZ 是由模擬設(shè)備公司（Analog Devices）推出的一款高性能評(píng)估板，專為高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）設(shè)計(jì)。該開(kāi)發(fā)板旨在
2025-02-15 16:18:33
ADRV9009-W/PCBZ 開(kāi)發(fā)板產(chǎn)品概述ADRV9009-W/PCBZ 是由模擬設(shè)備公司（Analog Devices）推出的一款高性能評(píng)估板，專為 ADRV9009 多通道收發(fā)器設(shè)計(jì)。該
2025-02-15 16:17:53
ADMV7420-EVALZ 開(kāi)發(fā)板產(chǎn)品概述ADMV7420-EVALZ 是由模擬設(shè)備公司（Analog Devices）推出的一款高性能評(píng)估板，專為 ADMV7420 射頻開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)。該開(kāi)發(fā)板為
2025-02-15 16:16:58
EVAL01-HMC1061LC5 開(kāi)發(fā)板產(chǎn)品概述EVAL01-HMC1061LC5 是由宏邁科技（Hittite Microwave Corporation）推出的一款評(píng)估板，專為
2025-02-15 16:16:17
MAX2990EVKITF# 開(kāi)發(fā)板產(chǎn)品概述MAX2990EVKITF# 是由美信科技（Maxim Integrated）推出的一款評(píng)估套件，專為 MAX2990 設(shè)備設(shè)計(jì)。該開(kāi)發(fā)板旨在
2025-02-15 16:15:38
ADMV7320-EVALZ 開(kāi)發(fā)板產(chǎn)品概述ADMV7320-EVALZ 是由模擬設(shè)備公司（Analog Devices）推出的一款高性能評(píng)估板，專為 ADMV7320 射頻開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)。該開(kāi)發(fā)板為
2025-02-15 16:14:58
ADRV9026-MB/PCBZ 開(kāi)發(fā)板產(chǎn)品概述ADRV9026-MB/PCBZ 是由模擬設(shè)備公司（Analog Devices）推出的一款高性能評(píng)估板，專為 ADRV9026 多通道收發(fā)器設(shè)計(jì)。該
2025-02-15 16:11:44
ADMV1014-EVALZ 開(kāi)發(fā)板產(chǎn)品概述ADMV1014-EVALZ 是一款由模擬設(shè)備公司（Analog Devices）推出的評(píng)估板，專為 ADMV1014 射頻混頻器設(shè)計(jì)。該開(kāi)發(fā)板旨在
2025-02-15 16:10:17
AD9986-FMCB-EBZ 開(kāi)發(fā)板產(chǎn)品概述AD9986-FMCB-EBZ 是一款由模擬設(shè)備公司（Analog Devices）推出的評(píng)估板，專為 AD9986 模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）設(shè)計(jì)。該開(kāi)發(fā)板
2025-02-15 16:08:31
ADMV1013-EVALZ 開(kāi)發(fā)板產(chǎn)品概述ADMV1013-EVALZ 是一款由模擬設(shè)備公司（Analog Devices）推出的評(píng)估板，專為 ADMV1013 射頻混頻器設(shè)計(jì)。該開(kāi)發(fā)板旨在
2025-02-15 16:07:11
在數(shù)字電路和功率電子中，MOS管（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)元件，廣泛應(yīng)用于各種開(kāi)關(guān)電源、驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)處理電路中。MOS管不僅在電源管理和信號(hào)放大中扮演重要角色，還在實(shí)現(xiàn)邏輯功能中有著廣泛
2025-02-14 11:54:051854 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高級(jí)SPICE模型.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 15:23:257 金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (Vth? （Extreme Enhancement-Mode Operation Accumulation Channel Hydrogen-Terminated Diamond
2025-02-11 10:19:01820 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限，傳統(tǒng)的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）從平面晶體管到FinFET的演變，乃至全環(huán)繞柵或圍柵（GAA
2025-01-24 10:03:514437 
朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請(qǐng)的專利為場(chǎng)效應(yīng)晶體管奠定了理論基礎(chǔ)。 雖然第一個(gè)工作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）直到1945年才出現(xiàn)，但這個(gè)想法早在近20年前，即朱利葉斯·埃德加·利利恩
2025-01-23 09:42:111476 
本文介紹了FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）制造過(guò)程中后柵極高介電常數(shù)金屬柵極工藝的具體步驟。
2025-01-20 11:02:395360 
MOS管，全稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是電子電路中非常重要的一種元件。它在不同電路中具有多種作用。
2025-01-17 14:19:562758 安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)Qorvo碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。
2025-01-16 16:30:061082 MOS,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管英文名稱的縮寫(xiě)，是一種獨(dú)特的半導(dǎo)體器件，它通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路的電流，這一特性使其得名。
2025-01-14 14:09:532108 
1月8日消息，日本豐田合成株式會(huì)社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功開(kāi)發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm（8英寸）氮化鎵 （GaN）單晶晶圓。 據(jù)介紹，與使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:221356 場(chǎng)效應(yīng)管代換手冊(cè)
2025-01-08 13:44:213
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