IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫，翻譯為絕緣柵雙極晶體管，是一種高性能功率半導體器件。它結(jié)合了MOSFET和雙極晶體管的優(yōu)點，具有MOSFET輸入電阻低、雙極晶體管輸出電流大的特點，是目前常用的高壓、大電流開關(guān)器件之一。
2023-02-28 18:12:26
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2016年印度國際電子元器件、材料及生產(chǎn)設(shè)備展ELECTRONICS FOR YOU EXPO 2016） 【展會時間】2016年1月11日-13日 【展會地點】印度 班加羅爾 【展館名稱】班
2015-09-16 09:48:40
dv/dt限制，過小的柵極電阻可能會導致震蕩甚至造成IGBT或二極管的損壞?！ 艠O電阻的大小影響開關(guān)速度，即后邊介紹的開通關(guān)斷時間，進而影響IGBT的開關(guān)損耗，datasheet上驅(qū)動電阻對開
2021-02-23 16:33:11
IGBT的介紹和應(yīng)用，基礎(chǔ)知識
2015-06-24 22:42:27
=0或者負電壓時（負電壓作用：可靠關(guān)斷），IGBT斷開?！ 〕Ｒ姷挠?b class="flag-6" style="color: red">IGBT單管和IGBT模塊兩種結(jié)構(gòu)?！ ?.IGBT主要參數(shù) ?、偌姌O—射極電壓（VCE）：截止狀態(tài)下集電極與發(fā)射極之間
2021-01-20 16:16:27
IGBT過流保護的保護時間一般設(shè)定成多少合適？根據(jù)IGBT哪些參數(shù)得出來的那？
2017-02-24 11:01:51
`如圖請問英飛凌IGBT參數(shù)頻率參數(shù)里最大最小值分別是什么意義`
2017-08-30 13:05:50
IGBT 飽和壓降Vsat實測值和官方參數(shù)對比在國內(nèi)電子市場上，魚目混珠的產(chǎn)品太多，特別是大功率的IGBT，全新的和翻新的很難分辨出真假，標稱的飽和壓降參數(shù)和實際的參數(shù)相差較大。工程師容易測試
2015-03-11 13:15:10
IGBT手冊的介紹
2015-07-02 17:21:55
本文著重介紹三個IGBT驅(qū)動電路。驅(qū)動電路的作用是將單片機輸出的脈沖進行功率放大，以驅(qū)動IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動電路起著至關(guān)重要的作用，對IGBT驅(qū)動電路的基本要求。
2021-03-04 08:44:36
EN-3020C IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是什么？EN-3020C IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)測試原理是什么？
2021-09-27 08:22:51
什么是MLCCMLCC的主要材料和核心技術(shù)及LCC的優(yōu)點
2021-02-05 06:59:47
機電工程起重技術(shù) 2H311000 機電工程常用材料及工程設(shè)備 2H311010 機電工程常用材料 2H311011 金屬材料的類型及應(yīng)用 金屬材料分為黑色金屬和有色金屬兩大類。 一、黑色金屬材料 黑色金屬（又稱鋼鐵材料）主要是鐵和以鐵為基的合金
2021-06-30 07:32:15
（Ⅰ）、（Ⅱ）兩部分。第一部分為一般磁性、非金屬磁性和材料及磁共振。主要介紹一般和非金屬磁性、微波磁學、磁光學、磁電子學、磁記錄、各種磁共振（鐵磁、順磁、核磁共振和M ***auer效應(yīng)）。第二部分為金屬磁性
2019-07-30 08:04:09
光頡(Viking)合金電流采樣電阻,毫歐電阻的參數(shù)范圍及其特點,材料及應(yīng)用合金電阻電阻的參數(shù)范圍：● 封裝尺寸： 1206，2512，2725● 電阻精度范圍：±0.5%，±1%，±2%，±5
2019-03-11 09:57:30
制造印制電路板的主要材料是覆銅箔板，將其經(jīng)過粘接、熱擠壓工藝，使一定厚度的銅箔牢固地覆著在絕緣基板上。所用基板材料及厚度不同，銅箔與粘接劑也各有差異，制造出來的覆銅板在性能上就有很大
2018-09-03 10:06:11
上一篇文章，我們只是粗略地介紹了一下吸波材料的類型和與吸波原理相關(guān)的知識。那么您可能會問：吸波材料為什么會吸收電磁波？在接下來的文章中，我們會向您較詳細地介紹吸波材料的兩大類吸波機制。今天我們向您
2019-07-01 08:12:47
手機零件材料及技術(shù)要求
2013-05-05 21:57:51
摘要：本文在介紹數(shù)字電視基本概念和背景的前提下，介紹了數(shù)字電視測試的主要參數(shù)和主要儀器，并介紹數(shù)字電視測試行業(yè)的發(fā)展狀況。 關(guān)鍵詞：數(shù)字電視測試、傳輸碼流、信號源
2019-07-23 07:24:14
步進電機主要參數(shù)介紹相數(shù)：步進電機的相數(shù)就是指線圈的組數(shù)。分別有二相，三相，四相，五相。通 常情況，相數(shù)高，步距角小，精度高。額定電流：電機正常運轉(zhuǎn)時的電流大小。步距角：它表示控制系統(tǒng)每發(fā)一個步...
2021-08-31 09:25:00
本文詳細介紹了一些常用的鋁電解電容器的主要特性參數(shù)介紹：標稱電容量和允許偏差，額定電壓，絕緣電阻，損耗等。一、 標稱電容量和允許偏差標稱電容量是標志在電容器上的電容量。電容器實際電容量與標稱電容量
2019-06-27 04:20:21
電磁屏蔽材料及其原理介紹
2016-07-14 13:47:48
電磁爐常用IGBT管型號及主要參數(shù) 目前，用于電磁爐的IGBT管主要由：AIRCHILD(美國仙童)、INFINEON(德國英飛凌)、TOSHIBA(日本東芝)等幾家國外公司生產(chǎn)，各公司對IGBT管
2012-03-22 19:09:22
IGBT是什么？IGBT是由哪些部分組成的？IGBT有哪些特征？IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域是什么？
2021-06-18 08:01:12
系數(shù)。 兩種器件的開關(guān)損耗和電流相關(guān)，電流越大，損耗越高。（5）安全工作區(qū)與主要參數(shù)ICM、UCEM、PCM：IGBT的安全工作區(qū)是由電流ICM、電壓UCEM、功耗PCM包圍的區(qū)域
2009-05-12 20:44:23
英飛凌IGBT參數(shù)中文版搞電源變頻器電焊機 必備資料
2019-02-09 21:33:19
，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
從這個圖上可以看到，這幅圖是650伏600安的IGBT。下面介紹一下IGBT封裝的工藝技術(shù)。IGBT主要包括以下幾個步驟，第一個步驟就是焊接，就是前面圖中所看到的DBC基板與底板，焊接關(guān)鍵點是什么，第一
2012-09-17 19:22:20
一、高頻高速板材材料介紹在選擇用于高頻電路的PCB所用的基板時，要特別考察材料DK，在不同頻率下的變化特性。而對于側(cè)重信號高速傳輸方面的要求，或特性阻抗控制要求，則重點考察DF及其在頻率、溫濕度等條件下的性能。
2019-07-29 08:26:19
直流電機有好有壞，且聽我這個多年從事直流電機銷售的人(134-8079-7357)，給說說直流電機吧?！ ↓X輪減速電機齒輪的材料及熱處理 齒輪減速電機[齒輪減速電機：齒輪減速電機]齒輪的材料
2017-08-31 18:13:37
概述了國內(nèi)外納米磁性材料及器件研究與開發(fā)的進展。具體介紹納米磁性粒子、鐵基納米晶軟磁合金、稀土永磁快淬磁粉、人工格、納米磁性絲、射頻用復合軟磁材料的制備工藝、
2009-06-25 10:22:46
12 電子鎮(zhèn)流器用磁性材料及器件的選擇和制作要點:根據(jù)電子鎮(zhèn)流器的基本電路原理，分析了種種照明燈中主要功能磁性器件和功能磁性器件的實際工作狀態(tài)和環(huán)境。
2009-08-23 11:22:4040 塑料種類很多，根據(jù)塑料受熱的性能，可分為熱塑性塑料及熱固性塑料兩大類?；鹧鎳娡坑盟芰戏勰┮话阌伤芰显霞由细男?b class="flag-6" style="color: red">材料制成，這些改性材料，包括各種填料、顏料、流平
2009-12-08 16:33:017 軟磁材料及其半成品1．序言2． 材料及其應(yīng)用2.1 含72—83%鎳的鎳鐵合金2.2 含54—68%鎳的鎳鐵合金2.3 含45—50%鎳的鎳鐵合金2.4 含35—40%鎳的鎳鐵合金2.5 接近30%鎳
2010-04-08 10:23:5517 電光源主要參數(shù)介紹 光通量 Luminous Flux： 單位：流明（lm） 光源在單位時間內(nèi)發(fā)出的光量總和稱為光源的光通量。 光
2009-12-03 11:09:322964 塑料及其應(yīng)用介紹
2011-01-17 19:04:132636 主要介紹 mosfet 的主要參數(shù)，通過此參數(shù)來理解設(shè)計時候的考量
2011-04-07 16:47:42171 本文主要介紹了IGBT構(gòu)成的電機傳動用逆變器的主電路組成及IGBT參數(shù)選擇，驅(qū)動電路、緩沖吸收電路的組成及參數(shù)選擇以及主電路安裝和布局應(yīng)注意的問題，對實際應(yīng)用中的逆變器設(shè)計有
2011-07-01 09:48:513718 
分析了SiC半導體材料的結(jié)構(gòu)類型和基本特性， 介紹了SiC 單晶材料的生長技術(shù)及器件工藝技術(shù)， 簡要討論了SiC 器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域和優(yōu)勢
2011-11-01 17:23:2081 太陽能電池的發(fā)展和利用離不開太陽能電池材料和技術(shù)的發(fā)展，文中對納米結(jié)構(gòu)材料及其技術(shù)在太陽能電池和太陽能光電轉(zhuǎn)化技術(shù)中的應(yīng)用和發(fā)展現(xiàn)狀做了簡要綜述。介紹了多元化合物太陽電池納米材料、染料敏化太陽電池納米材料和有機聚合物太陽電池結(jié)構(gòu)納米材料的研究現(xiàn)狀和技術(shù)創(chuàng)新，并指出其發(fā)展趨勢。
2013-01-22 14:07:3040 貴州大學機械工程材料及其成型技術(shù)基礎(chǔ)復習資料，適合機械設(shè)計制造及其自動化專業(yè)大二學生使用。
2016-01-22 15:02:0718 詳細介紹IGBT原理，特性，和實際應(yīng)用，以及失敗事例
2016-03-01 17:18:3116 IGBT選型參考一文介紹了IGBT元件的性能.參數(shù)
2016-06-17 16:57:2459 重復定位精度、可動范圍、手部負載，這些術(shù)語究竟代表些什么？本篇將要介紹的是機器人的主要參數(shù)，看完后相信你會對機器人參數(shù)不再陌生。
2017-09-19 15:25:352 不同， 通過IGBT 數(shù)據(jù)手冊給出的參數(shù)不能確切得出應(yīng)用條件下IGBT 的損耗。比較好的方法是通過測量行業(yè)確定IGBT 數(shù)據(jù)手冊中參數(shù)的測量條件與實際應(yīng)用環(huán)境的差別， 并介紹IGBT 的損耗的簡單測量方法。 IGBT 參數(shù)的定義 廠商所提供的IGBT 開關(guān)參數(shù)通常是在純感性負載下
2017-09-22 19:19:3732 近年來 2m 波段室溫運行的固體激光器由于在醫(yī)學、光通訊、激光雷達等方面的重要的應(yīng)用前景而引起學術(shù)界和商業(yè)界的廣泛關(guān)注。本文詳細介紹了 2m 波段固體激光材料及激光器的發(fā)展狀況，闡述了醫(yī)用 Cr
2017-11-13 15:12:214 指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。 隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導體材料及工藝情況。 砷化鎵 GaAs 砷化鎵的電子遷移速率
2017-11-24 06:54:523387 指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。 隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導體材料及工藝情況。 砷化鎵GaAs 砷化鎵GaAs 砷化鎵的電子
2017-12-07 14:37:192680 循環(huán)，人工加速老化過程模擬熱疲勞實驗，然后不斷檢測IGBT模塊的輸出變量，計算輸出變化是否超過一定范圍或者對IGBT模塊進行無傷探測掃描成像，對圖像進行觀察焊錫材料發(fā)生裂痕，鋁鍵合線脫落或者焊錫層發(fā)生金屬化重結(jié)晶的狀況來判定器件老化的
2017-12-12 18:55:460 眾所周知，SiC材料的特性和優(yōu)勢已被大規(guī)模地證實，它被認為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導體材料。SiC器件的可靠性是開發(fā)工程師所關(guān)心的重點之一，因為在出現(xiàn)基于Si材料的IGBT
2017-12-21 09:07:0438316 
本文以壓電材料為中心，主要介紹了壓電材料的主要特性、壓電材料的原理、壓電材料的主要參數(shù)、壓電材料的應(yīng)用以及我們常用的壓電材料。
2017-12-21 15:02:0386481 電阻的作用：分壓，分流，阻抗匹配，濾波，特殊電阻。貼片電阻器的材料的千變?nèi)f化，其性能也是隨之多種多樣。今天我們就電阻器常用的材料及主要性能作簡要分析。
2018-01-25 09:13:129252 隨著中國汽車業(yè)的高速發(fā)展以及全球環(huán)境能源的制約，開發(fā)成本低、性能及安全性高的車用材料及工藝必將成為中國汽車業(yè)發(fā)展方向。 由中國汽車咨詢中心網(wǎng)主辦的2015第四屆汽車材料與工藝高峰論壇將于9月17日
2018-04-25 22:46:001845 線圈間分布電容量Cp：線圈間雜散靜電容。檢測線圈間的距離、絕緣材料及隔離設(shè)計。8．直流電阻DCR：銅線電阻。檢測PIN焊點、銅線材料、設(shè)計線長、斷短路等。9．交流電阻ACR：銅線電阻加上磁滯損失
2018-03-01 08:35:1617868 
本文主要介紹了常用的電壓調(diào)節(jié)片子資料及應(yīng)用電路.
2018-06-27 08:00:003 開發(fā)和應(yīng)用的全球領(lǐng)導者。旗下主要產(chǎn)品導熱材料及EMI屏蔽材料，具有性價比高、屏蔽性好、耐腐蝕性強等特點，可廣泛應(yīng)用
2019-03-13 14:05:021025 為幫助行業(yè)人士高效、快速了解顯示行業(yè)，新材料在線?獨家策劃了《2019年顯示行業(yè)關(guān)鍵材料及市場研究報告》，為您全面介紹行業(yè)概況、產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)、上游關(guān)鍵原材料、本行業(yè)競爭格局及材料重點應(yīng)用領(lǐng)域。目錄如下：
2019-07-23 11:08:534556 
IGBT絕緣柵雙極型晶體管模塊是場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和電力晶體管（GTR）相結(jié)合的產(chǎn)物。
2019-10-07 15:24:0054975 
、焊膏、黏結(jié)劑等焊接和貼片材料，以及焊劑、清洗劑、熱轉(zhuǎn)換介質(zhì)等工藝材料。今天深圳貼片廠家長科順科技就來介紹SMT加工工藝材料的主要作用。 （1）焊料和焊膏 焊料是SMT貼片工藝中的重要結(jié)構(gòu)材料。在不同的應(yīng)用場合采用不同類型的焊料，它用于連
2020-09-16 16:02:492052 是 21 世紀的關(guān)鍵前沿技術(shù)之一，歐美發(fā)達國家為促進納米材料和技術(shù)的發(fā)展制定了多個科研計劃，投入巨額研發(fā)經(jīng)費，并在多個領(lǐng)域取得重要成果。 目前國內(nèi)規(guī)模較大的納米應(yīng)用產(chǎn)品主要集中在納米粉體材料及其相關(guān)產(chǎn)品。而納米生物
2020-10-10 17:20:169490 
IGBT模塊動態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時間、驅(qū)動功率等的重要依據(jù)，本文重點討論以下動態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評估IGBT芯片的性能。
2020-11-17 08:00:0027 IGBT是電壓控制型器件，它只有開關(guān)特性（通和斷兩種狀態(tài)），沒有放大特性。由IGBT等效電路可知，它是以晶體管為主導元件，以MOS管為驅(qū)動元件的達林頓結(jié)構(gòu)。
2020-11-21 10:17:0045249 關(guān)于IGBT的內(nèi)部寄生參數(shù)，產(chǎn)品設(shè)計時對IGBT的選型所關(guān)注的參數(shù)涉及到的寄生參數(shù)考慮的不是很多，對于其標稱的電壓、電流和損耗等關(guān)注的比較多。當然針對不同的應(yīng)用場合，所關(guān)注的方面都不不盡相同，比如
2021-06-12 10:29:0013679 
電磁爐的工作原理與維修及IGBT管型號和主要參數(shù)介紹。
2021-06-21 10:48:2263 濟南三泉中石實驗儀器生產(chǎn)的食品接觸材料遷移池 該器具用于安裝、固定待測試樣，并注入食品模擬物進行遷移試驗預處理操作。器具符合國家標準GB 5009.156-2016《食品安全國家標準 食品接觸材料及
2021-11-05 10:03:061919 【滲漏治理】煤粉集塵器堵漏的材料及步驟
2022-05-25 17:17:270 PPT主要介紹了大功率IGBT模塊應(yīng)用中的一些技術(shù)，包括參數(shù)解讀、器件選型、驅(qū)動技術(shù)、保護方法以及失效分析等。
2022-09-05 11:36:393149 IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊，對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-02-07 15:36:5912542 
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊，對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-02-07 15:39:2812543 
IGBT是什么材料 IGBT的主要材料有外部為封裝用的陶瓷；內(nèi)部件是銀絲、黃金鍍膜和透明硅膠等。IGBT是絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型
2023-02-22 13:57:137451 1.對比不同的IGBT的參數(shù)，例如同一品牌的不同系列的產(chǎn)品的參數(shù)，或者是不同品牌的IGBT的性能。
2.獲取IGBT在開關(guān)過程的主要參數(shù)，以評估Rgon及Rgoff的數(shù)值是否合適，評估是否需要配
2023-02-24 09:41:423 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種雙極性功率半導體器件，由BJT（雙極型三極管）和MOS管復合而成，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點，特別是50OV以上應(yīng)用中的功率損失相當?shù)汀?/div>
2023-02-26 11:13:2014912 簡單介紹了焊機中的硬開關(guān)和軟開關(guān)的拓撲，包括在電路中選擇IGBT的主要參數(shù)等，希望對你們有所幫助
2023-03-16 14:56:215 簡單描述了一些IGBT的主要參數(shù)和注意事項
2023-03-16 14:52:3651 摘要：相變蓄冷技術(shù)利用相變材料在相變時伴隨著的吸熱或放熱過程對能量進行儲存和應(yīng)用，起到控制溫度、降低能耗和轉(zhuǎn)移用能負荷的作用。本文綜述了相變溫度在25℃以下的相變蓄冷材料及其在不同應(yīng)用場景的篩選依據(jù)
2022-12-09 09:33:1510879 
而形成的器件。它具有低開關(guān)損耗、高輸入阻抗、低噪聲和高速開關(guān)等優(yōu)點，因此在各個領(lǐng)域都得到廣泛應(yīng)用，如電力、軌道交通、電動汽車等。本文將詳細介紹IGBT如何選型以及選型時要考慮的參數(shù)。
2023-07-20 16:39:5111643 IGBT模塊動態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時間、驅(qū)動功率等的重要依據(jù)，本文重點討論以下動態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:5411862 
后摩爾時代芯片互連新材料及工藝革新
2023-08-25 10:33:371529 
igbt的優(yōu)缺點介紹 IGBT的優(yōu)缺點介紹 IGBT是一種晶體管，是MOSFET和BJT集成而成的開關(guān)，具有高速開關(guān)能力和較低的導通電阻，用于高效率的功率調(diào)節(jié)。IGBT具有一些優(yōu)點和缺點，下面將詳細
2023-08-25 15:03:2911384 晶閘管和igbt的優(yōu)缺點介紹? 晶閘管和IGBT是電力電子器件中的兩個主要類型，它們在電力傳輸和控制方面扮演著重要角色。下面將從優(yōu)點、缺點和應(yīng)用領(lǐng)域等方面介紹晶閘管和IGBT的特點。 晶閘管 晶閘管
2023-08-25 15:54:086224 SiC，作為發(fā)展最成熟的寬禁帶半導體材料之一，具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場高、熱導率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強等特點。
2023-09-28 16:54:265233 
IGBT是如今被廣泛應(yīng)用的一款新型復合電子器件，而IGBT測試也變的尤為重要，其中動態(tài)測試參數(shù)是IGBT模塊測試一項重要內(nèi)容，IGBT動態(tài)測試參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能的重要依據(jù)。其動態(tài)測試參數(shù)主要有：主要參數(shù)有開關(guān)參數(shù)、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:353766 
剛性PCB用材料及PTFE與FR4混壓工藝介紹
2022-12-30 09:21:092 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《太陽能電池光伏組件材料及部件.doc》資料免費下載
2023-11-02 10:25:441 和性能，動態(tài)測試是必不可少的。下面將詳細介紹IGBT動態(tài)測試的參數(shù)。 1. 開通特性測試（Turn-on Characteristics Test）： 開通特性測試是通過控制IGBT的輸入信號，來檢測
2023-11-10 15:33:513138 、絕緣基板、驅(qū)動電路和封裝材料等組成。 選擇適合的IGBT模塊需要考慮多個因素，包括額定電壓、額定電流、最大耗散功率、開
2024-01-18 17:31:2310041 IGBT應(yīng)用中有哪些短路類型？ IGBT是一種主要用于功率電子應(yīng)用的半導體器件。在實際應(yīng)用中，IGBT可能會遭遇多種短路類型。下面，我將詳細介紹IGBT應(yīng)用中常見的短路類型。 1. IGBT內(nèi)部開路
2024-02-18 10:21:572998 型號和規(guī)格，以確保其穩(wěn)定、高效地工作。IGBT的選型涉及到多個參數(shù)的考慮，下面將詳細介紹這些參數(shù)。 額定電壓（Vce）：這是指IGBT能夠承受的最大電壓。根據(jù)應(yīng)用需求，選擇的IGBT型號的額定電壓應(yīng)大于應(yīng)用中最高電壓。 額定電流（Ic）：這是指IGBT能夠承受的最大連續(xù)電流。根據(jù)應(yīng)用需求，選擇的
2024-03-12 15:31:126982 ? ? ??IGBT的四個主要參數(shù) ? ? ? IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導體器件，用于控制大電流和高電壓。它的四個
2024-03-22 08:37:299025 
近日，華為于4月2日公布一項名為“鈉電池復合正極材料及其應(yīng)用”的發(fā)明專利，該專利技術(shù)可實現(xiàn)復合正極材料包括內(nèi)核和包覆內(nèi)核的包覆層，內(nèi)核包括層狀鈉正極活性材料，包覆層材料的脫鈉電勢高于內(nèi)核。
2024-04-07 10:54:271794 皮秒激光切割機可以切割多種材料，主要應(yīng)用行業(yè)包括但不限于：1.PCB板行業(yè)：主要用于PCB激光分板，如FR4、補強鋼片、FPC、軟硬結(jié)合板、玻纖板等材料的紫外激光切割。2.薄膜材料切割：皮秒紫外激光
2024-05-07 20:14:331595 
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）驅(qū)動波形是電力電子技術(shù)中非常重要的一個方面，它直接影響到IGBT的開關(guān)速度、損耗、可靠性等性能指標。在本文中，我們將介紹IGBT驅(qū)動波形的主要參數(shù)，并分析它們對IGBT
2024-07-25 10:40:383113 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT柵極驅(qū)動是IGBT正常工作的關(guān)鍵部分，其參數(shù)要求和驅(qū)動條件對IGBT的性能和可靠性具有重要影響。本文將介紹IGBT
2024-07-25 10:48:102970 IGBT的四個主要參數(shù)對于選擇合適的IGBT器件至關(guān)重要。本文將介紹IGBT的四個主要參數(shù)：電壓等級、電流等級、開關(guān)頻率和熱性能。 1. 電壓等級 電壓等級是IGBT的一個重要參數(shù)，它決定了IGBT能夠承受的最大電壓。電壓等級的選擇需要考慮電路的工作電壓和安全裕度。
2024-07-25 11:05:519750 ，影響其性能和可靠性。因此，IGBT的熱管理成為保障其長期穩(wěn)定運行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。導熱材料在IGBT的熱管理中扮演著至關(guān)重要的角色，本文將詳細探討IGBT導熱材料的作用、種類、特性以及應(yīng)用。
2025-02-03 14:27:001299 已全部加載完成
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